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通過(guò)超高真空分子束外延技術(shù)，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導(dǎo)體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度大約在60 K左右，并通過(guò)原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術(shù)對(duì)其中的超導(dǎo)配對(duì)機(jī)制進(jìn)行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測(cè)表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，F(xiàn)e原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無(wú)近鄰Fe原子團(tuán)簇。系統(tǒng)的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強(qiáng)度[數(shù)量占比約13% (15%)]，F(xiàn)e吸附原子上可觀測(cè)到尖銳的零能電導(dǎo)峰（圖1）。該電導(dǎo)峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長(zhǎng)度~3 A，且遠(yuǎn)離吸附原子時(shí)不劈裂。變溫實(shí)驗(yàn)表明，零能電導(dǎo)峰在遠(yuǎn)低于超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度時(shí)即消失，可初步排除Kondo效應(yīng)、常規(guī)雜質(zhì)散射態(tài)等解釋（圖2A和圖2B）。進(jìn)一步的控制實(shí)驗(yàn)和分析顯示，零能電導(dǎo)峰半高寬嚴(yán)格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標(biāo)度方程，這些結(jié)果均與馬約拉納零能模的唯象學(xué)特征吻合（圖2C-圖2G）。對(duì)沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結(jié)果基本相同。相比于單層FeSe，統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測(cè)到零能束縛態(tài)的幾率更高且信號(hào)更強(qiáng)。波士頓學(xué)院汪自強(qiáng)教授和合作者曾在理論上提出，無(wú)外加磁場(chǎng)時(shí)，強(qiáng)自旋-軌道耦合s波超導(dǎo)體間隙磁雜質(zhì)可產(chǎn)生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對(duì)稱破缺而具有較強(qiáng)的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時(shí)間反演對(duì)稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對(duì)單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預(yù)測(cè)存在拓?fù)浞瞧接瓜唷Ｔ诙S拓?fù)涑瑢?dǎo)體中，馬約拉納零能模也會(huì)產(chǎn)生于Fe原子誘導(dǎo)的量子反常渦旋中的束縛態(tài)。因此，實(shí)驗(yàn)中觀測(cè)到的零能電導(dǎo)峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導(dǎo)材料從三維拓展到二維、從低溫超導(dǎo)拓展到超過(guò)40 K超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的高溫超導(dǎo)體系，同時(shí)無(wú)需外加磁場(chǎng)，觀測(cè)到的零能束縛態(tài)原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優(yōu)勢(shì)為未來(lái)實(shí)現(xiàn)可應(yīng)用的拓?fù)淞孔颖忍靥峁┝丝赡艿姆桨浮?

本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢(shì)壘層，非摻雜氮化物勢(shì)阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過(guò)率的非摻雜勢(shì)壘層聯(lián)合

本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型

本發(fā)明公開了一種激光打印機(jī)高質(zhì)量文字輸出的二位半色調(diào)方法，以用戶輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調(diào)幅閾值矩陣做第一次對(duì)比，生成只有兩種曝光狀態(tài)的半色調(diào)文件。第二次對(duì)比前先取特 征邊緣點(diǎn)，然后待打印文件相應(yīng)位置的灰度值與灰度等級(jí)的中值做第二次對(duì)比，生成四種曝光狀態(tài)的半 色調(diào)文件。最后根據(jù)半色調(diào)文件控制半曝光激光打印機(jī)進(jìn)行輸出。本發(fā)明有效地改善在輸出時(shí)文字邊緣 的顯示效果，二位半色調(diào)方法調(diào)整效果顯著。 

獲廣元市第七屆教育科研優(yōu)秀成果《廣元市地震災(zāi)區(qū)教師信息技術(shù)能力現(xiàn)狀調(diào)查與分析》二等獎(jiǎng)。

我校郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在二維范德瓦爾斯材料固態(tài)自旋色心領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)李傳鋒、唐建順研究組與匈牙利魏格納物理研究中心AdamGali教授等人合作，實(shí)驗(yàn)研究并理論解釋了六方氮化硼（hexagonalboronnitride，hBN）中帶負(fù)電硼空位（VB-）色心受磁場(chǎng)調(diào)制的自旋相干動(dòng)力學(xué)行為，揭示了hBN中VB-色心電子自旋與核自旋之間的相干耦合和弛豫機(jī)制，對(duì)發(fā)展基于二維范德瓦爾斯材料的相干自旋系統(tǒng)及低維量子器件具有重要意義。

（專利號(hào)：ZL 201410557617.3） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽(yáng)極材料，采用石墨作為陰極

本發(fā)明公開了一種１，１?二吡唑甲烷雙核錳聚合物，還提供了該化合物的制備方法及催化應(yīng)用。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、化學(xué)組分易于控制、重復(fù)性好并且產(chǎn)量高，催化效果優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長(zhǎng)ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問(wèn)題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。