本發明公開了一種可實現純紫外發光的ZnO基異質結發光二極管的制備方法,包括如下步驟:在藍寶石襯底上生長n?ZnO納米線;采用磁控濺射法在p?GaN上濺射一層AlN薄膜;采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在n?ZnO和p型GaN一端制備具有歐姆接觸的金屬電極;將AlN薄膜/p?GaN緊扣在n?ZnO納米棒陣列上面形成異質結,構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ZnO納米棒陣列,提高ZnO結晶度,提高電學性能,有效消除晶體質量差的問題;引入AlN隔離層,有效較少了結區的剩余電子,增加ZnO區載流子復合效率,實現純ZnO紫外發光;n?ZnO納米棒陣列/AlN/p?GaN異質結發光二極管,發光位置在385nm左右,半峰寬為14.5nm。
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