本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管,包括:由下至上依次設置的襯底,AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層,其中z>y>x,p型AlGaN層和透明導電層,在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型