本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管,包括:由下而上依次設置的襯底、n型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、p型氮化物層、p型氮化物歐姆接觸層,所述n型氮化物層上設置的n型電極和所述p型氮化物層上設置的p型電極;其中電子阻擋層由由下而上依次設置的p型摻雜氮化物勢壘層,非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合