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一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及 應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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摻鋁氧化鋅薄膜的退火真空度和氬離子濺射清洗工藝控制
摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無(wú)毒環(huán)保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡(jiǎn)單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優(yōu)點(diǎn)，而后續(xù)處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵。為此我們研究 105 到 10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)：電阻率的降低集中在相對(duì)狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa 到 10 Pa 之間，電阻率陡降了 2 個(gè)數(shù)量級(jí)。電阻率在 10 Pa 退火時(shí)達(dá)到最小值，繼續(xù)提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續(xù)降低。這一研究結(jié)果不僅澄清了以往對(duì)溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續(xù)工藝處理的模糊認(rèn)識(shí)，而且對(duì)實(shí)際生產(chǎn)工藝具有重要的指導(dǎo)意義，例如以此為根據(jù)，選擇合適的真空度退火，達(dá)到既滿(mǎn)足產(chǎn)品的性能指標(biāo)，又能節(jié)能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS 的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+ 對(duì) Zn2+ 離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用 Ar+ 離子對(duì)退火后的樣品進(jìn)行反濺射清洗，能進(jìn)一步提高電導(dǎo)率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結(jié)構(gòu)，能將入射太陽(yáng)光分散到各個(gè)角度。用作太陽(yáng)能電池電極時(shí)，能有效增強(qiáng)太陽(yáng)能電池內(nèi)的光吸收材料對(duì)入射太陽(yáng)光的捕獲，提高光能利用率。
遼寧大學(xué)
2021-04-11
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽(yáng)極和一層平面金屬納膜陰極/陽(yáng)極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個(gè)外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽(yáng)極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽(yáng)極間形成局域彎曲的銳化電場(chǎng)陣，陰極/陽(yáng)極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的陣列化納電場(chǎng)驅(qū)控，向各納電場(chǎng)中電場(chǎng)強(qiáng)度最強(qiáng)部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽(yáng)極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種小容量薄膜電容永磁同步電機(jī)直軸電流給定控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種小容量薄膜電容永磁同步電機(jī)直軸電流給定控制方法，采用小容量的薄膜電容，代替?zhèn)鹘y(tǒng)功率電路中的大容量電解電容，相比傳統(tǒng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，小容量薄膜電容變頻系統(tǒng)體積得到減小，重量得到減輕。本發(fā)明不需要考慮波動(dòng)的母線電壓對(duì)交直軸參考電流的影響，相比于傳統(tǒng)的直軸電流給定方式更簡(jiǎn)單有效；交直軸電壓給定經(jīng)過(guò)陷波器，濾除特定次諧波分量，電流控制器采用內(nèi)
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種基于 SnO2的鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法
本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦薄膜光伏電池及其制備方法。所述的鈣鈦礦薄膜光伏電池采用可低溫制備的 SnO2 作為電子傳輸層，用以取代傳統(tǒng)的需要高溫?zé)Y(jié)的 TiO2 電子傳輸層。這種基于低溫制備的 SnO2 電子傳輸層的鈣鈦礦薄膜光伏電池取得了14.60%的高光電轉(zhuǎn)化效率，大大優(yōu)于基于傳統(tǒng)高溫?zé)Y(jié)的TiO2 電子傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)電池。SnO2 薄膜的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定而且制備過(guò)程簡(jiǎn)單，極大地簡(jiǎn)化鈣鈦礦電池 的制備流程，有效地降低電池的制作成本，也能很好的改善鈣
武漢大學(xué)
2021-04-14
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鉬硫化物碳納米復(fù)合材料電催化析氫催化劑項(xiàng)目
氫能源是高效的綠色能源，如何低廉高效的大規(guī)模生產(chǎn)是制約其應(yīng)用的一個(gè)關(guān)鍵因素。近年來(lái)，電解水制氫受到學(xué)術(shù)界廣泛關(guān)注，尋找廉價(jià)高效的非鉑電催化劑成為時(shí)下研究熱點(diǎn)。本項(xiàng)目分別采用輻射法及水熱法制備了鉬硫化物/碳納米復(fù)合材料,其催化析氫性能優(yōu)于商用Pt/C（20%Pt）催化劑，而且具有良好的催化穩(wěn)定性,適合大規(guī)模制備。
北京大學(xué)
2021-02-01
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一種高速鐵路運(yùn)營(yíng)期碳減排的環(huán)境效益計(jì)算方法
一種高速鐵路運(yùn)營(yíng)期碳減排的環(huán)境效益計(jì)算方法，屬于環(huán)境保護(hù)領(lǐng)域。根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局相關(guān)文件、中國(guó)交通運(yùn)輸統(tǒng)計(jì)年鑒、中國(guó)鐵道年鑒和鐵道年統(tǒng)計(jì)公報(bào)，建立基礎(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)；基于層次分析法的數(shù)學(xué)分析，根據(jù)數(shù)據(jù)庫(kù)，確定碳減排要素在高鐵運(yùn)營(yíng)期的權(quán)重值；基于高鐵耗電與標(biāo)準(zhǔn)煤量的換算，根據(jù)數(shù)據(jù)庫(kù)，確定高鐵碳排放指標(biāo)；基于影子價(jià)格理論，根據(jù)數(shù)據(jù)庫(kù)，采用超越對(duì)數(shù)法，計(jì)算二氧化碳影子價(jià)格。
北京交通大學(xué)
2021-04-10
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一種空心納米碳球組裝介孔碳纖維材料的制備方法
簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種空心納米碳球組裝介孔碳纖維材料的方法，屬于介孔碳材料的制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法以氨三乙酸和可溶性金屬亞鐵鹽或鎳鹽為原料，溶劑熱法合成金屬配合物纖維前驅(qū)體，將配合物纖維前驅(qū)體在密閉條件或氬氣氣氛下焙燒可得由核殼結(jié)構(gòu)納米球組裝的碳/金屬氧化物(金屬)復(fù)合物，將復(fù)合物纖維中納米球的核(金屬氧化物(金屬))經(jīng)酸蝕后，即可獲得富含羧基基團(tuán)、由納米空心球組裝而成的碳纖維材料。本發(fā)明的制備方法具有工藝簡(jiǎn)單，溶劑可回收再循環(huán)利用，制備成本低廉等優(yōu)點(diǎn)；所制備的碳材料由納米空心球組裝而成，結(jié)構(gòu)新穎，在吸附、催化劑載體等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-11
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半導(dǎo)體輔材用多晶硅中碳、氮雜質(zhì)的分離去除技術(shù)
伴隨著我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時(shí)，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過(guò)程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴(yán)重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)單一，熔體流動(dòng)性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實(shí)現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進(jìn)而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開(kāi)發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
本項(xiàng)目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實(shí)現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過(guò)程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，保護(hù)環(huán)境。
大連理工大學(xué)
2021-05-10