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半導(dǎo)體輔材用多晶硅中碳、氮雜質(zhì)的分離去除技術(shù)

2021-05-10 10:30:08
云上高博會 http://www.a00n.com
所屬領(lǐng)域:
新材料及其應(yīng)用
項目成果/簡介:

伴隨著我國半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起,硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材,其需求日趨增加。同時,基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O,然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染,導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜,嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。

傳統(tǒng)制備技術(shù)下,設(shè)備熱場結(jié)構(gòu)單一,熔體流動性差,導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出,難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)(P、 O、N);利用電子束誘導(dǎo)實現(xiàn)多晶硅的定向凝固,進而分離硅中的金屬雜質(zhì);基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒,并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系;基于上述研究開發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝,可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。

本項目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持,具有很好的生產(chǎn)示范性,實現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過程中的能耗,是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法,屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣,可大幅增加就業(yè)崗位,提高企業(yè)的市場競爭力,保護環(huán)境。

知識產(chǎn)權(quán)類型:
發(fā)明專利
知識產(chǎn)權(quán)編號:
ZL201410339759.2;ZL201410817510.8
技術(shù)成熟度:
可以量產(chǎn)
技術(shù)先進程度:
達到國內(nèi)領(lǐng)先水平
成果獲得方式:
與研究院所合作
獲得政府支持情況:
國家級
計劃/專項類別:
國家重點研發(fā)計劃項目
獲得經(jīng)費:
90.00萬元
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