本發明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜,包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層,所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間,所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間,所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法,包括以下步驟:將氧化石墨烯均 勻分散于水中,涂敷在片狀導電基底上,干燥得到納米氧化石墨烯膜; 組建三電極體系采用