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小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應用前景，然而，其化學性質不夠穩(wěn)定，即使在室溫下也容易轉化為Cr2O3。本發(fā)明采用SnI4和CrO3作為前驅物，通過化學氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩(wěn)定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩(wěn)定性的問題。

本項目主要研究和開發(fā)高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料，研 究和制備優(yōu)質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特

化合物薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于半導體光電材料與薄膜太陽能電池制備領域，解決現(xiàn)有化合物薄膜太陽能電池中所需材料在地殼中含量較少、價格昂貴、對人體有毒的問題。本發(fā)明的化合物薄膜太陽能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發(fā)明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層

本項目共包括10項授權專利，其中高品質微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項專利技術，同時將這種單晶薄膜應用在微波器件/結構、太赫茲結構/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項專利技術。本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁

本發(fā)明公開了一種可尋址電調光反射率薄膜。包括陰極，陽極陣列，以及設置在陰極和陽極陣列間的介電層；陽極陣列由 M×N 元陣列分布的陽極單元構成，陽極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個子電極構成，可尋址電調光反射率薄膜被劃分為 M×N 元陣列分布的電調光反射率單元，陽極單元與電調光反射率單元一一對應，構成電調光反射率單元的陽極，所有電調光反射率單元共用陰極；通過陽極單元和陰極對電調光反射率單元執(zhí)行獨立加電操作，進而通過調變加

本發(fā)明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結構和制備技術，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結構的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關鍵工藝——子電池內聯(lián)集成技術，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術領域。本發(fā)明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結合濕法腐蝕ZnO的方法，實現(xiàn)具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內聯(lián)集成技術，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太

項目簡介： 隨著石油化學

本發(fā)明提供一種用于薄膜復合的同步驅動對輥裝置，包括主動輥組件，其具有一可轉動的主動輥，該主動輥組件固定安裝在一安裝板上，其一端與一驅動組件聯(lián)接，用以提供驅動力帶動該主動輥轉動；浮輥組件，其具有一可轉動的浮輥，該浮輥與所述主動輥呈有間隙地相對布置，兩輥的中心軸線平行；齒輪組件，其包括外嚙合的呈同步轉動的兩齒輪，該兩齒輪分別通過軸端同步帶輪上的同步帶與主動輥和浮輥相連，實現(xiàn)兩輥的同步轉動；在驅動組件驅動下，所述主動輥轉動，驅動所述齒輪組件的兩齒輪轉動，從而帶動所述浮輥與該主動輥同步轉動，實現(xiàn)對兩輥間的薄膜的驅動或復合。本發(fā)明方便調節(jié)，可穩(wěn)定完成多層薄膜的復合和輸送，保證薄膜復合的均勻性。

1、主要功能及應用領域 透明電極在太陽能電池、有機發(fā)光二極管、觸摸屏等光電器件中具有重要的應用價值，目前應用最多的用氧化銦錫（ITO）為制造的透明電極，但ITO存在脆性大，無法彎曲，近年來隨著光電器件對透明電極需求的增加，銦的價格也大幅提高。由于石墨烯產業(yè)化后的預期成本低，成為柔性透明電極的主要材料之一，但在實際中由于大面積石墨烯總會存在一定的缺陷，影響了其導電率，本項目結合石墨烯和納米金屬網孔的優(yōu)勢制備出石墨烯和金屬網孔復合膜柔性透明電極。 2、特色與先進性技術指標 特色：利用低成本、無污染的溶膠在透明基底形成網狀模板，利用模板制作金屬網格；通過轉移石墨烯在金屬網格上制作一種石墨烯/金屬網格復合電極。其復合電極表現(xiàn)出優(yōu)異的光電特性。通過結合單層石墨烯的高透光性和金屬網格的導電性，有效地彌補了化學氣相沉積法（CVD）-石墨烯多晶結構的缺陷和金屬網格不利于制作依賴垂直電流傳輸器件的的缺點，從而提高透明復合電極的光電特性。 圖1 制備的石墨烯及拉曼圖，可以看到非常清楚的2D峰，右圖為金屬網孔的顯微圖。 3.技術指標 復合電極：面電阻為 21.2 、透光率為92%（在550nm波長測得），下圖表明其寬帶的透射光譜特性。 圖2 復合電極的透過率 將復合電極制作在PET基底上，使其可以表現(xiàn)出優(yōu)異的機械柔軟性。在將透明電極從正向到反向彎曲，其彎曲角度從-150o達到150o時，其電導率也只下降3.4%，反復彎折100次，電導率幾乎沒有什么變化。 4、產業(yè)化的關鍵性問題 高性能的透明電極在許多光電器件是必不可少的，例如觸摸屏、光伏電池、有機發(fā)光二極管等。目前商業(yè)上，由于氧化銦錫（ITO）薄膜的高光學透過率、低面電阻和成熟的制造工藝，在作為透明電極方面已廣泛地應用在各種光電器件中。但銦是稀有金屬，在地殼中的分布量比較小且分散，主要以微量存在于錫石和閃鋅礦中，且隨著液晶顯示器和觸摸屏等產品的普及，因此銦的價格在急劇上漲。此外，氧化銦錫透明電極缺乏柔韌性，不易彎曲，化學穩(wěn)定性差，不適合應用于柔性透明電極。 傳統(tǒng)上制備金屬網采用光刻法及蝕刻工藝。但是，通過采用光刻法制備的金屬網格不僅成本較大、工藝復雜、效率低，而且在制備的工藝條件、設備要求也較高。 本實驗采用了低成本高效率的方法制備金屬網格，再通過CVD法生長大面積石墨烯并轉移在金屬網格上。實驗過程中工藝簡單、成本低、效率高，并可制備大面積-高質量的透明電極。

透明電極在太陽能電池、有機發(fā)光二極管、觸摸屏等光電器件中具有重要的應用價值，目前應用最多的用氧化銦錫（ITO）為制造的透明電極，但ITO存在脆性大，無法彎曲，近年來隨著光電器件對透明電極需求的增加，銦的價格也大幅提高。由于石墨烯產業(yè)化后的預期成本低，成為柔性透明電極的主要材料之一，但在實際中由于大面積石墨烯總會存在一定的缺陷，影響了其導電率，本項目結合石墨烯和納米金屬網孔的優(yōu)勢制備出石墨烯和金屬網孔復合膜柔性透明電極。