小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應用前景,然而,其化學性質不夠穩定,即使在室溫下也容易轉化為Cr2O3。本發明采用SnI4和CrO3作為前驅物,通過化學氣相沉積(CVD)成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜,使薄膜的熱穩定性大大提升,從而解決了CrO2薄膜穩定性的問題。