本項目主要研究和開發高遷移率透明氧化物半導體薄膜,重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料,研 究和制備優質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜,使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT,研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特