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本發(fā)明公開了一種深硅刻蝕方法，包括如下步驟：（1）在硅片表面制備圖形化的光刻膠掩膜；（2）對硅片進行深感應耦合等離子體干法刻蝕，包括多個刻蝕階段，每個刻蝕階段均在感應耦合等離子體機內(nèi)，通過鈍化、轟擊和刻蝕三個步驟交替循環(huán)加工完成，隨著刻蝕深度的增加，各刻蝕階段中轟擊步驟的轟擊強度逐漸增強。本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有技術中側(cè)壁垂直度及粗糙度難以控制以及大刻蝕深度難以實現(xiàn)的問題，在提高刻蝕效率的同時，提高了對光刻膠的選擇比，刻蝕槽側(cè)壁垂直度高，粗糙度小，刻蝕深度大。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國際先進的拉管生產(chǎn)線，70余臺國際先進的制瓶機，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

本發(fā)明公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟：將硅片的厚度減薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有絕緣層；在硅片的導電區(qū)表面和絕緣區(qū)表面制作摻雜掩膜，以對導電區(qū)和絕緣區(qū)分別進行粒子摻雜，絕緣區(qū)與導電區(qū)摻雜的粒子的極性相反；在粒子摻雜完成后去除摻雜掩膜；在導電區(qū)表面覆蓋金屬電極；在硅片的表面除金屬電極之外的區(qū)域覆蓋絕緣層。本發(fā)明的方法制造工藝簡單，可避免刻蝕、絕緣處理等工藝對硅片的破壞，并能夠提高制造硅通孔結(jié)構(gòu)的成品率。本發(fā)明還公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明公開了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊，設置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周，用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過程中的隔熱保溫，該隔熱塊為中空方形筒體結(jié)構(gòu)，筒體筒壁為中空夾層結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)壁用于包覆設置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面，且該內(nèi)壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙，所述外壁用于與設置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸，所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合，且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發(fā)明還公開了具有

首次使用炔烴作為卡賓前體完成了一例不對稱Si-H鍵插入反應，高效構(gòu)筑了一類新型手性有機硅化合物。該反應使用手性羧酸雙銠催化劑，首先促進羰基-烯-炔底物發(fā)生分子內(nèi)環(huán)化現(xiàn)場生成雙芳基金屬卡賓，該金屬卡賓中間體進而對硅烷的Si-H鍵發(fā)生高對映選擇性的插入反應，給出相應的手性有機硅化合物。該反應的條件溫和，底物適用范圍廣，大部分產(chǎn)物的ee值都能達到90%以上。所得的手性烯丙基硅產(chǎn)物能夠進一步轉(zhuǎn)化，例如發(fā)生烯丙基乙酰化反應，對映選擇性能夠得到很好的保持，因此在有機合成中具有一定的應用潛力。動力學實驗表明，反應對雙銠催化劑、硅烷展現(xiàn)出一級動力學效應，對底物則表現(xiàn)出零級動力學特征，說明銠卡賓對Si-H鍵的插入步驟是反應的決速步，這與動力學同位素實驗的結(jié)果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烴作為卡賓前體同樣可以發(fā)生高對映選擇性的Si-H鍵插入反應，結(jié)合炔烴化學在從簡單原料構(gòu)筑復雜產(chǎn)物上的優(yōu)勢，為結(jié)構(gòu)多樣性有機硅化合物的合成提供了新的方向。

傳統(tǒng)的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應紫外波段的光信號，這是因為紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術的日趨發(fā)展，人們越來越需要對紫外波段進行更深的探測分析與認識。紫外探測技術是繼激光探測技術和紅外探測技術之后發(fā)展起來的又一軍民兩用光電探測技術。幾十年來，紫外探測技術已經(jīng)逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學等諸多領域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應用最廣泛的光電探測器件。當前最先進的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD、CMOS具有靈敏度強、噪聲低、成像質(zhì)量好等優(yōu)點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應都很弱。成像器件的這種紫外弱響應限制了其在先進光譜儀器及其他領域紫外波段探測的使用。 在技術發(fā)達國家,寬光譜響應范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經(jīng)廣泛應用于高檔光譜儀器中。上世紀中葉美國Varian公司開發(fā)的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達0.01nm,光波長在600nm和300nm時QE分別達到了84%和50%；美國熱電公司開發(fā)的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應范圍更是達到165～1000nm，在200nm時的分辨率達到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達0.0035nm,紫外響應拓展到120nm的遠紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀一維色散和22個CCD檢測器設計，其光譜響應范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續(xù)光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達0.002nm,光譜響應范圍為189—900 nm。總而言之，發(fā)達國家在寬光譜響應和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領域已取得相當?shù)某删汀Ｖ饕夹g指標和創(chuàng)新點（1）  我們在國內(nèi)首次提出紫外增強的硅基成像器件，并在不改變傳統(tǒng)硅基成像探測器件的結(jié)構(gòu)的基礎上，利用鍍膜的方法增強成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應，使其光譜響應范圍拓寬到190—1100nm，實現(xiàn)對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達到0.1V/lex.s。（3）  增強成像探測器件的紫外響應的同時，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應。（4）  選用適合的無機材料，克服有機材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術已經(jīng)逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學等諸多領域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設計與傳統(tǒng)CCD、CMOS結(jié)合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應范圍，在科學實驗和物質(zhì)分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設計樣品能取代傳統(tǒng)CCD、CMOS，應用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統(tǒng)光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實現(xiàn)紫外探測和紫外分析。具有較強的市場推廣應用價值。

北京大學物理學院“極端光學創(chuàng)新研究團隊”王劍威研究員和龔旗煌院士領導的課題組，與英國、丹麥、奧地利和澳大利亞的學者合作，實現(xiàn)了硅基集成光量子芯片上的多體量子糾纏和芯片-芯片間的量子隱形傳態(tài)功能，為芯片上光量子信息處理和計算模擬的應用，奠定了堅實的基礎。相關研究成果于近日發(fā)表在國際頂級物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技術，結(jié)合了量子物理、量子信息和集成光子學等前沿學科，通過半導體微納加工制造高性能且大規(guī)模集成的光量子器件，實現(xiàn)對光量子信息的高效處理、計算和傳輸?shù)裙δ堋Ｆ渲校霉杌矫婀獠▽Ъ杉夹g的光量子芯片具有諸多獨特優(yōu)勢，包括集成度高、穩(wěn)定性好、編程操控性優(yōu)越和可單片集成核心光量子器件等，因此被認為是一種實現(xiàn)光量子信息應用的重要手段之一。 A. 硅基量子隱形傳態(tài)和多光子量子糾纏芯片的示意圖，左上角為集成量子光源的電子顯微鏡圖；B. 量子隱形傳態(tài)的量子線路圖；C. 量子糾纏互換的量子線路圖；D. GHZ糾纏制備的量子線路圖 北京大學研究團隊與布里斯托爾大學、丹麥科技大學、奧地利科學院、赫瑞-瓦特大學和西澳大利亞大學科研人員密切合作，在硅基光量子芯片技術和應用方面取得了突破性進展。研究團隊發(fā)展了一種基于微環(huán)諧振腔的高性能集成量子光源，通過硅波導的強四波混頻非線性效應，實現(xiàn)了光子全同性優(yōu)于90%、無需濾波后處理的50%觸發(fā)效率的單光子對源，達到了對4組微腔量子光源陣列的相干操控，片上雙光子量子糾纏源的保真度達到了92%。團隊實現(xiàn)了關鍵的可編程片上雙比特量子糾纏門，可以按照功能需要切換貝爾投影測量和量子比特焊接操作，通過量子態(tài)層析實驗確認了高保真的雙比特糾纏操作。 研究團隊在單一硅芯片上實現(xiàn)了高性能量子糾纏光源、可編程雙比特量子糾纏門，以及可編程單量子比特測量的全功能集成，進而實現(xiàn)了三種核心量子功能模塊——芯片上四光子真糾纏、量子糾纏互換、芯片-芯片間的高保真量子隱形傳態(tài)。通過對兩對糾纏光子對進行量子比特焊接操作，團隊實現(xiàn)并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子糾纏的存在；通過對兩對糾纏光子中各一個光子進行貝爾投影操作，實現(xiàn)了量子糾纏互換功能，使來自不同光子源的光子間產(chǎn)生了量子糾纏；利用兩個芯片間的量子態(tài)傳輸和量子糾纏分布技術，實現(xiàn)了兩個芯片間任意單量子比特的量子隱形傳態(tài)，達到了近90%的隱形傳態(tài)保真度。 團隊研制的硅基多光子量子芯片尺寸僅占幾平方毫米，比傳統(tǒng)實現(xiàn)方法小了約5-6個數(shù)量級，不僅達到了器件的微型化，同時具備了單片全功能集成、器件編程可控、系統(tǒng)性能優(yōu)越等特點，其中量子隱形傳態(tài)保真度優(yōu)于已報道的其它物理實現(xiàn)方法。多體量子糾纏體系的片上制備與量子調(diào)控技術，為片上量子物理基礎研究和片上光量子信息處理傳輸、量子計算模擬的應用提供了重要基礎。

本發(fā)明的首要目的是提供一種含硅含硼水性聚氨酯，本發(fā)明的另外一個目的是提供一種上述含硅含硼水性聚氨酯的制備方法，包括以下步驟：a、稱取大分子二元醇與TDI混合，在N2保護下升溫至70～90°C，反應1～3h，然后先加入DMPA反應1～2h，再加入BDO反應1～3h，降溫至60～70°C，接著滴加氨基封端的硅氧烷反應0.5～1.5h，降溫至30～50°C，得硅氧烷封端的聚氨酯；b、將硅氧烷封端的聚氨酯置于1500～2000rpm的轉(zhuǎn)速條件下,先加入TEA進行乳化、中和20～30min，再加入硼酸繼續(xù)乳化

環(huán)氧樹脂作為一種運用廣泛的高分子材料，主要優(yōu)點有：①耐濕性、耐堿性、耐酸性和耐溶劑性好；②固化收縮率低；③介電絕緣性、力學性能優(yōu)良；④與多種基材的粘接性能優(yōu)異。但是，環(huán)氧樹脂耐熱阻燃性能差，極大限制了它在高性能化方向的應用。本項目采用磷、硅、氮三者協(xié)同阻燃體系改性環(huán)氧樹脂，不僅使環(huán)氧樹脂的阻燃性能達到不燃物標準，同時各元素比重都較低，相對降低由于某一種元素含量過高造成對環(huán)氧固化體系基體性能的過多影響。

 基于硅材料和CMOS工藝制備光電子器件及其集成技術，可實現(xiàn)低成本、批量化生產(chǎn)，并具有和微電子單片集成的潛力，是目前國際光電子前沿研究領域。該技術不僅可以用于片上光互連，也可為骨干網(wǎng)、光接入網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心提供高性能、低成本收發(fā)模塊。 在國家973計劃項目《超高速低功耗光子信息處理集成芯片與技術基礎研究》的支持下，針對硅基材料不具備線性電光效應、而利用自由載流子等離子色散效應實現(xiàn)電光調(diào)節(jié)效率低、功耗高等科學難題，提出了一系列解決思路和具有創(chuàng)新性的器件結(jié)構(gòu)，形成了硅基光電子集成器件設計方法和基于CMOS工藝的制備工藝流程，成功制備了一系列硅基光電子集成芯片。 該技術不僅為我國硅基光電子集成技術的發(fā)展和華為等知名電信設備企業(yè)新一代產(chǎn)品提供了有力的技術支撐，也引起了國際同行的密切關注。美國光學學會《Optics & Photonics News》曾出版專題報道“Integrated Photonics in China”，對本項目的部分工作進行了介紹。2014年底，Nature Photonics將本項目首次在硅基上研制成功的大容量可編程光緩存芯片作為Research Highlight加以報道。高速低功耗16*16光交換芯片版圖大容量可編程光緩存芯片（左：芯片照片，中：封裝后的結(jié)構(gòu)，右：性能測試結(jié)果）為華為公司研制的400G可調(diào)光模塊。