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一種深硅刻蝕方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.a00n.com
關鍵詞：
深硅刻蝕
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種深硅刻蝕方法，包括如下步驟：（1）在硅片表面制備圖形化的光刻膠掩膜；（2）對硅片進行深感應耦合等離子體干法刻蝕，包括多個刻蝕階段，每個刻蝕階段均在感應耦合等離子體機內，通過鈍化、轟擊和刻蝕三個步驟交替循環加工完成，隨著刻蝕深度的增加，各刻蝕階段中轟擊步驟的轟擊強度逐漸增強。本發明有效解決了現有技術中側壁垂直度及粗糙度難以控制以及大刻蝕深度難以實現的問題，在提高刻蝕效率的同時，提高了對光刻膠的選擇比，刻蝕槽側壁垂直度高，粗糙度小，刻蝕深度大。
項目階段:
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