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硅通孔結構及其制造方法
2021-04-11 00:00:00
云上高博會
http://www.a00n.com
關鍵詞：
硅通孔結構
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種硅通孔結構的制造方法，包括以下步驟：將硅片的厚度減薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有絕緣層；在硅片的導電區表面和絕緣區表面制作摻雜掩膜，以對導電區和絕緣區分別進行粒子摻雜，絕緣區與導電區摻雜的粒子的極性相反；在粒子摻雜完成后去除摻雜掩膜；在導電區表面覆蓋金屬電極；在硅片的表面除金屬電極之外的區域覆蓋絕緣層。本發明的方法制造工藝簡單，可避免刻蝕、絕緣處理等工藝對硅片的破壞，并能夠提高制造硅通孔結構的成品率。本發明還公開了一種硅通孔結構。
項目階段:
未應用
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