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一種支持非搶占實時任務集的節能調度方法
本發明公開了一種支持非搶占實時任務集節能調度方法，其步 驟包括：初始任務集合處理，獲取初始減速因子，獲取候選減速因子， 分配減速因子；本發明所公開的非搶占實時任務集節能調度方法，在 保證非搶占實時任務在截止期之前完成的前提下，充分考慮了任務集 的非搶占特性，得到更小的減速因子，從而使得任務集能以更低的速 度運行，達到更好的節能效果,可有效節約嵌入式系統能耗，并具有更 強的非搶占任務集實時節能調度能力；與現有的實時系統
華中科技大學
2021-04-14
非接觸電能傳輸系統電磁機構動態實驗演示裝置及其方法
一種非接觸電能傳輸系統電磁機構動態實驗演示裝置及其方法，裝置構成是：底座的縱向滑軌與左、右基座底部的滑槽配合；底座左、右兩端分別通過軸承連接左、右縱向調節絲桿，兩絲桿分別與左、右基座上的螺母連接；左、右基座頂部橫向的滑軌分別與左、右橫向滑塊底部的滑槽配合，左、右橫向滑塊的相對面分別螺紋連接發射線圈承載板與接收線圈承載板；左、右基座前端分別通過軸承連接左、右橫向調節絲桿，兩橫向調節絲桿分別與左、右橫向滑塊上的螺母連接；能量輸入端和輸出端均與功率測試及處理顯示設備相連。該裝置能夠測試出發射線圈和接收線圈之間相對距離與系統傳輸效率的數量關系，為非接觸電能傳輸系統的設計、制造與使用、維護提供實驗依據。
西南交通大學
2016-10-25
用非平衡等離子體處理顆粒和氣體物質的裝置
本發明公開了一種用非平衡等離子體處理顆粒和氣體物質的裝 置，包括前級充電器和等離子體發生器；前級充電器包括直流電源和 諧振充電電路，直流電源用于為諧振充電電路提供直流電壓，諧振充 電電路用于為等離子體發生器提供交流脈沖電壓；等離子體發生器為 中心設置有反應腔的圓柱狀結構，包括外屏蔽層、原方低壓繞組、外 絕緣層、副方高壓繞組、內絕緣層、內屏蔽層、副方電容、觸發極電 阻、氣體間隙陡化開關、電極支架、高壓電極、直線電極和金屬板； 顆粒或氣體物質的處理直接在反應腔內進行。該裝置放電可以在大氣 壓開放空氣以及
華中科技大學
2021-04-14
基于動車組的接觸網參數非接觸測試系統研究
本成果來自有重大應用前景的橫向項目，現已結題，知識產權歸屬西南交通大學。成果的創新性和先進性：針對目前接觸網幾何參數檢測中存在的問題與不足，提出了利用動車組作為檢測載體，基于二維激光雷達技術，對視距內障礙物所產生的輪廓曲線進行目標識別、運動跟蹤，以達到在線測量接觸網幾何參數。主要技術指標為導高、拉出值、雙支接觸線間距與高差、側面限界等。
西南交通大學
2016-06-27
一種非均相催化芳胺乙酰化反應的方法
（專利號：ZL 201410545694.7） 簡介：本發明公開了一種非均相催化芳胺乙酰化反應的方法，屬于化學材料及其制備技術領域。該乙酰化反應中芳胺與乙酸酐的摩爾比為1：1.5～3，非均相催化劑的摩爾量是所用芳胺的3～5％，室溫下反應18～70min，反應壓力為一個大氣壓，反應后抽濾，濾渣用乙醇洗滌，收集的濾液通過高效液相色譜分析芳胺的轉化率以及產物N-乙酰芳胺的選擇性和產率。本發明與其它催化劑催化芳胺乙酰化反應的方法相比，具有反應選擇
安徽工業大學
2021-01-12
基于單邊虛擬電感的電容耦合式非接觸電導測量裝置
本實用新型公開了一種基于單邊虛擬電感的電容耦合式非接觸電導測量裝置，由交流激勵源、激勵電極、絕緣測量管道、檢測電極、單邊虛擬電感、電流電壓轉換電路、信號處理模塊依次相連。單邊虛擬電感輸出端通過電流電壓轉換電路中的運放虛地。本實用新型利用單邊虛擬電感代替實際電感，利用串聯諧振原理，用單邊虛擬電感的感抗消除傳感器中耦合電容的容抗對測量的不利影響。相較浮置虛擬電感，單邊虛擬電感虛地，結構緊湊，穩定性高；相較實際電感，單邊虛擬電感體積小易集成，電感值可調，降低了對激勵源的要求。本實用新型通過測量檢測通路的輸出電流，經計算得到待測流體等效電導值，為實現非接觸測量絕緣管道內部導電流體的電導提供了一種有效方法。
浙江大學
2021-04-13
SCIENTZ08-IIIC非接觸式超聲波細胞粉碎機
產品說明
非接觸式超聲波粉碎機也叫杯式超聲破碎儀，可在密閉容器、無菌、可超微量條件下進行破碎。相比傳統的探頭超聲波細胞粉碎機，該儀器具有一次可同時檢測多個樣品、實驗效率高、無需頻繁操作探頭、避免樣本交叉污染等優勢。儀器標配低溫恒溫裝置（可根據客戶需要選擇不同型號），便于樣品在4-10℃環境內工作，使能量分布均勻，超聲作用 完全。逐漸成為ChIP(染色質免疫共沉淀)和DNA剪切研究平臺不可缺少的標準化工具。
寧波新芝生物科技股份有限公司
2021-12-08
先導中心8?寸平臺上制造絕緣體上張應變鍺（TSGOI）晶圓
已有樣品/n實現了工藝過程中對Ge的誘導應變微調，使Ge的帶隙改變為0.7eV。以此類Ge襯底制備的PMOS器件實現了506cm2V-1s-1的高空穴遷移率。
中國科學院大學
2021-01-12
錫納米晶為模板合成具有帶隙可調的錫鍺合金納米材料
通過精細調控Ge2+離子前驅體溶液與已制備的錫納米顆粒反應，合成帶隙可調的半導體錫鍺合金納米晶（0.51 eV至0.71 eV）。使用的錫納米晶模板可以大大降低反應的成核、結晶和生長的反應能壘。與以前報道的反應溫度（約300 ℃）相比，課題組的方法可以在較低的溫度下（60-180 ℃）得到錫鍺合金納米晶。課題組深入闡明了從錫到錫鍺合金納米晶的相變機理，清晰揭示了從不均勻核殼結構到均勻合金結構的演變過程。
南方科技大學
2021-04-13
一種高擇優取向細晶超高純鋁靶材的制備方法
本發明涉及金屬材料加工技術領域，具體涉及一種高擇優取向細晶超高純鋁靶材的制備方法。包括以下步驟：將超高純鋁板材于５０℃～３００℃下熱軋，道次壓下量控制在４０％～５０％；將熱軋后的超高純鋁板材在１００～３００℃溫度下保溫０～１小時；然后進行冷軋，道次壓下量控制在４０％～５０％，通過對板材進行道次間空冷、水冷以及冰水冷卻控制板材軋制過程的溫升，抑制板材的
東南大學
2021-04-14