通過精細調控Ge2+離子前驅體溶液與已制備的錫納米顆粒反應,合成帶隙可調的半導體錫鍺合金納米晶(0.51 eV至0.71 eV)。使用的錫納米晶模板可以大大降低反應的成核、結晶和生長的反應能壘。與以前報道的反應溫度(約300 ℃)相比,課題組的方法可以在較低的溫度下(60-180 ℃)得到錫鍺合金納米晶。課題組深入闡明了從錫到錫鍺合金納米晶的相變機理,清晰揭示了從不均勻核殼結構到均勻合金結構的演變過程。