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采用激光反射和散射測(cè)量原理，激光照射被測(cè)物，經(jīng)被測(cè)物表面反射和散射的光由探測(cè)頭內(nèi)部的硅光電池接收，再經(jīng)電路處理由軟件將接收到的信號(hào)值轉(zhuǎn)換為Ra，即被測(cè)物的表面粗糙度。 儀器屬于非接觸測(cè)量，不會(huì)對(duì)產(chǎn)品表面造成破壞；可消除在高級(jí)別粗糙度測(cè)量時(shí)測(cè)尖無(wú)法進(jìn)入谷底而帶來(lái)的測(cè)量誤差，特別適用于對(duì)超精加工后工件表面粗糙度的測(cè)量，以及內(nèi)孔內(nèi)壁的測(cè)量；非機(jī)械測(cè)量，不會(huì)有探針的損耗，降低了使用成本；可靠性、重復(fù)性高；采用數(shù)值標(biāo)定，同一類平面只需標(biāo)定一次，不需要重復(fù)標(biāo)定，降低了標(biāo)定成本，并且提高生產(chǎn)效率；由于激光的相干性好，測(cè)量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，免去了一般光源干涉測(cè)量?jī)x器視場(chǎng)過(guò)小帶來(lái)的諸多不便。 儀器操作簡(jiǎn)單，可用于平面和圓柱面等多種被測(cè)材料，如：金屬、塑料、陶瓷以及磁性介質(zhì)等的測(cè)量，LCD直觀顯示。 主要性能指標(biāo)：測(cè)量范圍：0.01mm～0.1mm重復(fù)性：測(cè)量值的±1.0%準(zhǔn)確度：±0.006mm光點(diǎn)直徑：f3mm

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問(wèn)題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過(guò)程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問(wèn)題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過(guò)各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過(guò)柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明提供一種針接式嫁接機(jī)用出插針裝置。包括由振動(dòng)盤、彈簧片組、分離底座、偏心電機(jī)、上導(dǎo)槽構(gòu)成的嫁接針震動(dòng)分離機(jī)構(gòu)，氣缸、推針支架、下導(dǎo)槽和儲(chǔ)針槽構(gòu)成推針機(jī)構(gòu)，三個(gè)氣缸、插針支架、插針底板和插針筒構(gòu)成的插針機(jī)構(gòu)。本發(fā)明可以通過(guò)震動(dòng)分離機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)大量嫁接針排序分離后進(jìn)入推針機(jī)構(gòu)內(nèi)，推針機(jī)構(gòu)通過(guò)氣缸實(shí)現(xiàn)嫁接針單根進(jìn)入插針筒內(nèi)，在插針機(jī)構(gòu)上下氣缸的配合作用下實(shí)現(xiàn)瓜科類蔬菜苗針接法中的出插針作業(yè)。本發(fā)明設(shè)計(jì)合理，自動(dòng)化程度高、緊湊性能好、插針作業(yè)的可靠性高、插針效率高。

本實(shí)用新型公開了一種貂籠糞尿分離式接糞槽，包括籠體和糞尿分離器，所述糞尿分離器包括箱體、滑板、隔擋板、網(wǎng)孔板和輸送機(jī)，箱體上端設(shè)置有與籠體配合的開口，滑板設(shè)置在箱體的前上角，隔擋板鉸接連接在箱體的末端，隔擋板在復(fù)位彈簧的作用下頂在滑板上；在滑板和隔擋板的下方設(shè)置有末端高前端底的網(wǎng)孔板，網(wǎng)孔板的前端連接有輸送機(jī)，在輸送機(jī)的右端且箱體上設(shè)置有出糞口；網(wǎng)孔板底端設(shè)置有引尿槽，引尿槽包括固定設(shè)置在網(wǎng)孔板前后兩端且向內(nèi)傾斜的兩個(gè)斜板，和固定連接在兩個(gè)斜板之間的滑道，在箱體的側(cè)壁上且位于滑道右端設(shè)置有出尿孔，在出尿孔上可拆設(shè)置有引流管；在箱體的側(cè)壁上且位于隔擋板和網(wǎng)孔板之間設(shè)置有推糞口。

定單信息 TES-5600CE 發(fā)卡器 TES-5600CE …………………………………………………………………………………………………………… 發(fā)卡器 ? TES-5600K 非接觸式IC卡 TES-5600K …………………………………………… 非接觸式IC卡（支持ISO1443A協(xié)議，白卡100張，86×54 mm）

木質(zhì)，共13件，與教材一致。

  距離的高精度實(shí)時(shí)測(cè)量在現(xiàn)代工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣,工件的表面輪廓目標(biāo)物體的相對(duì)位置、形狀描述等都離不開距離的高精度測(cè)量,非接觸、小型化、數(shù)字化、智能化成為距離測(cè)量系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)。隨著數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)功能越來(lái)越強(qiáng),光電耦合器CCD的日益普及,使符合實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)要求的非接觸高精度在線距離測(cè)量系統(tǒng)的研制成為可能。    技術(shù)原理與工藝流程:    光學(xué)三角法檢測(cè)技術(shù)。光學(xué)三角法的測(cè)量原理就是使發(fā)光元件所發(fā)出的光束照射在被測(cè)物體表面上并被反射,部分反射光成像在位置敏感元件表面上(如CCD,PSD等),通過(guò)檢測(cè)光斑在敏感表面上的位置,由幾何關(guān)系即可計(jì)算出被測(cè)物體的距離。這類位移測(cè)量?jī)x的基本組成是激光器、物鏡、光電接收器、信號(hào)處理及測(cè)量顯示系統(tǒng)。    圖像中心位置的識(shí)別算法。這是非接觸測(cè)量技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù),當(dāng)激光照射在被測(cè)物體表面散射,經(jīng)透鏡會(huì)聚在cCD表面成像,所成像的模擬信號(hào)經(jīng)過(guò)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(AD)被轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)處理器可以處理的數(shù)字信號(hào)后,要經(jīng)過(guò)圖像中心位置識(shí)別算法的處理確定所成像的中心點(diǎn)位置,根據(jù)激光三角法原理,由所成像的中心點(diǎn)位置就可以求出相應(yīng)的被測(cè)量物體的距離信息。    為了保證系統(tǒng)可靠性和提高測(cè)量精度,用查表與細(xì)分相結(jié)合的方法根據(jù)線性CCD上像點(diǎn)的位置確定目標(biāo)物體的距離。    主要技術(shù)性能指標(biāo)：    測(cè)量范圍:50mm；    測(cè)量?jī)x與被測(cè)物體距離:80mm；    測(cè)量精度:在全部測(cè)量范圍內(nèi),不小于01mm；    分辨率:25微米；    測(cè)量頻率:1KH    技術(shù)水平及用途：    在工業(yè)生產(chǎn)中有很多生產(chǎn)指標(biāo)和工藝參數(shù)要實(shí)現(xiàn)測(cè)量和控制,非接觸距離測(cè)量可以為生產(chǎn)的調(diào)度指揮和工藝參數(shù)的監(jiān)測(cè)提供準(zhǔn)確、可靠、快捷的信息,是一種應(yīng)用范圍很廣和非常有潛力的測(cè)量技術(shù)。    應(yīng)用行業(yè):1.教育2制造業(yè)

項(xiàng)目的背景及目的 距離的高精度實(shí)時(shí)測(cè)量在現(xiàn)代工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣，工件的表面輪廓，目標(biāo)物體的相對(duì)位置，形狀描述等都離不開距離的高精度測(cè)量，非接觸，小型化，數(shù)字化，智能化成為距離測(cè)量系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)。隨著數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）功能越來(lái)越強(qiáng)，光電耦合器CCD的日益普及，使符合實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)要求的非接觸高精度在線距離測(cè)量系統(tǒng)的研制成為可能。 技術(shù)原理與工藝流程 光學(xué)三角法檢測(cè)技術(shù)。光學(xué)三

復(fù)合功能腦深部刺激器及 MEMS 腦電極：本課題組針對(duì) MEMS 腦電極及其配套腦起搏器極端制造技術(shù)中的諸多關(guān)鍵難題，開展了如下研究：環(huán)形腦電極的鍵合、封裝等工藝，制造了環(huán)形腦電極樣品；MEMS 硅基腦電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造工藝、鍵合方法和封裝工藝，制造了硅基腦電極樣品；螺旋微導(dǎo)線和轉(zhuǎn)接線的制造工藝，制造了樣品；植入式顱內(nèi)壓傳感器的制造和封裝工藝，制造出顱內(nèi)壓微傳感器樣品；經(jīng)皮無(wú)線能量傳輸供電的關(guān)鍵技術(shù)和方法，制造出穩(wěn)定地?zé)o線供電裝置；植入裝置與體外控制裝置之間的無(wú)線通訊方法研究及其實(shí)用裝置；腦深部神經(jīng)核團(tuán)信號(hào)采集方法研究及其實(shí)用裝置；植入式腦起搏器的封裝工藝和方法。