葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

產品詳細介紹壓差法氣體滲透儀適用于塑料薄膜、復合膜、高阻隔材料、片材、金屬箔片、橡膠、滲透膜等材料在各種溫度下的氣體透過率、溶解度系數、擴散系數、滲透系數的測定。壓差法氣體滲透儀符合GB 1038、ASTM D1434、ISO 2556、ISO 15105-2等多種標準。壓差法氣體滲透儀（VAC-V2）具有以下特點：測定試驗氣體透過率、溶解度、擴散與滲透系數；三腔獨立測試，恒溫控制，可選濕度控制；任意溫度下的數據擬合功能；可擴展有毒、易爆等危險氣體的試驗；壓差法氣體滲透儀測試原理：將預先處理好的試樣放置在上下測試腔之間，夾緊，首先對低壓腔（下腔）進行真空處理，然后對整個系統抽真空，當達到規定的真空度后，關閉測試下腔，向高壓腔（上腔）充入一定壓力的試驗氣體，并保證在試樣兩側形成一個恒定的壓差（可調），這樣氣體會在壓差梯度的作用下，由高壓側向低壓側滲透，通過對低壓側內壓強的監測處理，從而得出所測試樣的各項阻隔性參數。壓差法氣體滲透儀技術指標：測試范圍： 0.05 ～ 50,000 cm3/m2·24h·0.1MPa（常規）                      上限不小于500,000 cm3/m2·24h·0.1MPa（擴展體積）                      注：常規和擴展體積通過體積填塊來選擇 控溫范圍：5℃～95℃控溫精度：±0.1℃ 控濕范圍：0%RH、2%RH～98.5%、100%RH（濕度發生裝置另購）控濕精度：±1%RH真空精度：0.1Pa 測試腔真空度：<20Pa試樣尺寸：Φ97mm試樣數量：3 件(數據各自獨立)透過面積：38.48cm2試驗氣體：O2、N2、CO2 等氣體（氣源用戶自備）了解詳情請致電：濟南蘭光0531-85068566 Labthink蘭光產品：1. 透氧儀 2. 氣體透過率測定儀 3. 透氣性測試儀 4. 透濕儀 5. 透濕性測試儀 6. 密封試驗儀 7. 落鏢沖擊試驗儀 8. 密封儀 9. 泄漏與密封強度測試儀 10. 氧氣透過率測試儀 11. 熱封儀 12. 氧氣透過率測定儀 13. 水蒸氣透過率測定儀 14. 薄膜拉力機 15. 摩擦系數儀 16. 初粘性測試儀 17. 智能電子拉力試驗機 18. 撕裂度儀 19. 熱縮試驗儀 20. 電子剝離試驗機 21. 揉搓試驗儀 22. 瓶蓋扭矩儀 23. 頂空分析儀 24. 磨擦試驗機 25. 熱封試驗儀 26. 擺錘沖擊試驗儀 27. 墨層結合牢度試驗機 28. 持粘性測試儀 29. 薄膜測厚儀 30. 霧化測試儀 31. 摩擦系數測試儀 32. 紙箱抗壓試驗機 33. 氣相色譜儀 34. 摩擦系數測定儀 35. 透氣度測試儀 36. 測厚儀 37. 摩擦系數試驗儀

SDS6000 Pro系列高分辨率數字示波器，具有最高 12-bit 垂直分 辨率、優秀的本底噪聲性能和垂直測量精度，能滿足高精度的 測量需求。SDS6000 Pro采用鼎陽獨創的SPO 技術，最大帶寬1 GHz，采樣率最高5 GSa/s，具備4個模擬通道和16個數字通道，存儲深度可達 250 Mpts/通道。

成果介紹智能控溫薄膜可以實現高溫下對紅外線的反射和低溫下對紅外線的透射，是一種無需能源的智能空調。技術創新點及參數室溫可用（20℃-40℃）節能減排（無需能源）滿足了實時反饋的需求滿足了溫度控制的需求提出了在室溫下實現智能變色的可能性

一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為 圓角多邊形的柱狀結構，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝 離面，使用時可根據不同的薄膜選擇不同剝離面進行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進一步運用剝離刀的 幾何參數與剝離效果的關系理論，設計優化得到最優的剝離刀結構， 得到最佳的剝離質量和剝離效率，剝離裝置結構簡單、成本低廉，在 大面積柔性器件的封裝領域具有廣闊應用前景。 

本發明公開了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發明通過對光子 晶體

將石墨烯進行二維或三維組裝，制備透明可導電薄膜、復合導熱膜及吸附材 料技術。

小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應用前景，然而，其化學性質不夠穩定，即使在室溫下也容易轉化為Cr2O3。本發明采用SnI4和CrO3作為前驅物，通過化學氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩定性的問題。

本項目主要研究和開發高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料，研 究和制備優質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特

化合物薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于半導體光電材料與薄膜太陽能電池制備領域，解決現有化合物薄膜太陽能電池中所需材料在地殼中含量較少、價格昂貴、對人體有毒的問題。本發明的化合物薄膜太陽能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層

本項目共包括10項授權專利，其中高品質微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項專利技術，同時將這種單晶薄膜應用在微波器件/結構、太赫茲結構/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項專利技術。本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁