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高速實時聯動控制電路及芯片
本實用新型實現了一種高速實時運動控制電路/芯片，包括CPU讀寫控制模塊、FIFO(First In First Out)模塊、FIFO讀取控制模塊、初始化模塊、輔助控制模塊、插補控制模塊和輸出控制模塊；CPU讀寫控制模塊的數據輸入端接收外部控制數據，它的數據輸出端連接FIFO模塊的輸入端；FIFO模塊的輸出端連接FIFO讀取控制模塊，FIFO讀取控制模塊的輸出端連接初始化模塊輸入端，初始化模塊輸出端分別連接輔助控制模塊和插補控制模塊的輸入端；輔助控制模塊和插補控制模塊的輸出端分別連接輸出控制模塊的輸入端，輸出控制模塊的輸出端即為本電路/芯片的輸出端；FIFO模塊內還包括監測FIFO空/滿狀態的檢測模塊。
南京工程學院
2021-04-13
毛細管等速微通道電泳芯片
本發明所述毛細管等速微通道電泳芯片，包括芯片本體，包括位于芯片本體上的進樣毛細管和檢測毛細管，所述進樣毛細管中部和檢測毛細管一端呈T形垂直連接。采用本發明所述的毛細管等速微通道電泳芯片，采取蝕刻芯片代替普通毛細管，使得電泳路徑明顯縮短并更加規則；采取T字形毛細管，使得前導、尾隨緩沖液和樣品分別進樣更加方便，且能有效縮短電泳路徑減少流體沿程阻力損失，更大限度的保證衡量污染物監測的精確度。
四川大學
2016-09-29
微電子芯片關鍵尺寸測試/分析系統
微電子芯片結構關鍵尺寸（CD）的測試，是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實現能否滿足設計要求的關鍵測試/分析技術。該技術（OCD）的產業化在國內還是空白，目前我們的系統研究可PK國際先進水平，并已具備產業化轉移的能力。
電子科技大學
2021-04-14
一種芯片拾放控制方法
本發明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學
2021-04-14
高集成度光通信芯片
哈爾濱工業大學（深圳）電子與信息工程學院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導模場的精細調控，在實現多模波導低損耗和低串擾的同時，將關鍵器件的尺寸縮小了1-2個數量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復用信號的任意緊湊布線，使多模光學系統的大規模片上集成成為可能。該成果將進一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領域中加速發展和應用。
哈爾濱工業大學
2021-04-14
光電探測量子芯片產業化
用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關鍵技術參數，通過多次半導體器件仿真優化，最終得到外延結構設計。結合 13 所 自主外延生長技術與精準的鋅擴散方案，最終實現較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術有限公司的產品中得到應用。
中國科學技術大學
2021-04-14
一種廣譜成像探測芯片
本發明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結構和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結構后，在納尖表面激勵產生等離激元，驅動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅控下涌入的自由電子相疊合，產生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉換為電信號，經預處理后得到電子圖像數據并輸出。本發明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學
2021-04-14
一種多頂針芯片剝離裝置
本發明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構， 安裝于 Z 向升降機構上并連接旋轉驅動機構，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現預頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉驅動機構， 連接多頂針主體機構，用于先后驅動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構，安裝于三自由度微調對準機構上，停 機狀態時其處于下降位置，工作狀態其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準備；三自由度微調對準機構，用于對多頂針主體機構進行 X、Y 和 Z 向的微調。本發明可實現頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調節，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。
華中科技大學
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區域進行芯片后續工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續的加工工藝，相對于傳統的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學
2021-04-11
LED用透明電極
傳統上多采用Ni/Au金屬作為LED的電極，降低出光效率，因此，需要采用 透明電極。針對LED對透明電極的要求，利用磁控濺射法在玻璃襯底上設計不同 氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時間等參數下的實驗制備 CI0和ZA0薄膜，探尋制備兩類薄膜的合適的工藝條件；并研究了退火處理對制 備薄膜的結構和性能的影響。制備出高質量、高性能的CI0和ZA0薄膜，發現薄 膜的透光率均在80%以上，甚至可高達91%,電阻率達到10-3Q. cm數量級或 更低，達到了 LED用透明電極薄膜材料的性能要求。
重慶大學
2021-04-11