傳統(tǒng)上多采用Ni/Au金屬作為LED的電極,降低出光效率,因此,需要采用 透明電極。針對LED對透明電極的要求,利用磁控濺射法在玻璃襯底上設(shè)計不同 氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時間等參數(shù)下的實驗制備 CI0和ZA0薄膜,探尋制備兩類薄膜的合適的工藝條件;并研究了退火處理對制 備薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。制備出高質(zhì)量、高性能的CI0和ZA0薄膜,發(fā)現(xiàn)薄 膜的透光率均在80%以上,甚至可高達91%,電阻率達到10-3Q. cm數(shù)量級或 更低,達到了 LED用透明電極薄膜材料的性能要求。
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