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硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱電堆是由兩種不同的半導(dǎo)體臂級(jí)聯(lián)組成。
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示四大模塊組成，傳感器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器主要是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成。模數(shù)轉(zhuǎn)換
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)是制作在高阻Ｓｉ襯底上，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器主要是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、熱電偶和隔直電容所構(gòu)成，熱電偶是由金屬臂和半導(dǎo)體臂串聯(lián)
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，結(jié)構(gòu)由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)上下左右對(duì)稱，包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先進(jìn)行頻率檢測(cè)，頻率檢測(cè)通過利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路相位差為９０度的耦合信號(hào)分別同兩路等分后的參考信
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，結(jié)構(gòu)主要包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先進(jìn)行頻率檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)是制作在高阻Ｓｉ襯底上，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、熱電偶和隔直電容所構(gòu)成。模數(shù)轉(zhuǎn)換部分由ＳＴＭ３２和ＡＤ６２０
東南大學(xué)
2021-04-14
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面向大功率開關(guān)電源器件的鐵硅粉芯關(guān)鍵生產(chǎn)工藝開發(fā)
：鐵硅粉芯是一種新型復(fù)合軟磁材料，主要用于 替代傳統(tǒng)開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對(duì)直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風(fēng)電變流器、電動(dòng)汽車充電機(jī)、變頻空調(diào)、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節(jié)能電力電子系統(tǒng)。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實(shí)現(xiàn)電磁能量轉(zhuǎn)換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統(tǒng)中起到功率因數(shù) 校正和濾波
合肥工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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太陽能薄膜電池一種關(guān)鍵技術(shù)：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們?cè)趪?guó)內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長(zhǎng)的微晶硅薄膜，并實(shí)現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項(xiàng)重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，具有綠色、高效、簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前需要合作伙伴，把該實(shí)驗(yàn)室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。
大連理工大學(xué)
2021-04-14
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一種多點(diǎn)接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法
一種多點(diǎn)接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法，它將硅(100)單晶片置于多微球的多點(diǎn)接觸板垂直下方位置，再使硅片與多點(diǎn)接觸板兩者垂直相對(duì)運(yùn)動(dòng)至發(fā)生接觸，并達(dá)到一定接觸載荷F；使多點(diǎn)接觸板和硅片按照既定軌跡相對(duì)運(yùn)動(dòng)，進(jìn)行刻劃；刻劃后，將硅片放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15～25％的KOH溶液中腐蝕一段分鐘，即可得到具有預(yù)先設(shè)定結(jié)構(gòu)的納米壓印硅模具。該方法在多點(diǎn)接觸模式下進(jìn)行，可以方便地控制所加工納米壓印硅模具的圖案、排列方式等；刻劃過程中硅片與多點(diǎn)接觸板始終保持平行狀態(tài)。該方法的設(shè)備和原材料成本低，操作簡(jiǎn)便、步驟簡(jiǎn)單，能一次性完成大面積的硅(100)單晶片納米壓印模具加工，具有明顯的低成本、高效率的特點(diǎn)。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
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一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14