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凹凸棒石礦物的棒狀晶束納米化解離
中國是凹凸棒石粘土礦的資源大國，但是由于成礦條件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在著一定的礦物學局限性。比如氣候條件、地質環境與礦床成分的不同，都會影響凹凸棒石粘土的形成、晶體發育、元素組成等，所以，含量較高、單晶體發育良好的礦床很少，極大部 分的天然凹凸棒石粘土礦物中凹凸棒石粘土的含量都低于 50%，通常，在凹凸棒石粘土礦物開采之后，都要對其進行提純處理，將其中的伴生礦物與之分離，同時，在提純過程中減小礦物粒徑，提高分散性， 使包含于凹凸棒石粘土聚集體中以及晶體束中間的雜質去除，獲得均勻、完整的凹凸棒石
蘭州大學
2021-01-12
乾立微晶款護眼教室燈-全護眼教育照明產品
深圳鵬翔智明光電科技有限公司
2021-08-23
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司，位于安徽省合肥市國家高新技術開發區，是一家專業面向集成電路人才培養的實體企業，青軟晶芒攜手擁有5000顆芯片設計經驗的集成電路產教融合和設計服務平臺——青軟晶尊微電子，共同打造面向國內提供集成電路領域產教融合整體解決方案的領先企業。
青軟晶芒致力于打造集成電路人才培養新模式，通過集成電路產業學院共建/專業共建，產教融合平臺共建，集成電路大賽，師資培共建，實驗實訓平臺訓，工信部培訓認證，新工科優訓營，課程改革等多種合作模式，推動集成電路教育與產業的無縫銜接，為客戶創造價值。
青軟晶芒擁有自主知識產權集成電路設計專利證書，軟件著作權等十余項，愿通過校企合作和院校一起為集成電路人才培養做出貢獻。
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
2021-12-07
青島青軟晶尊微電子科技有限公司
青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國內面向集成電路設計領域提供產教融合整體解決方案的領先企業。具有五千顆芯片設計經驗的集成電路設計服務與教育培訓公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長三角經濟帶，形成東部沿海發展網絡，打造國內一流的集成電路設計服務與教育培訓基地。同時借助臺灣業務平臺，開拓國際業務，積極部署國際化發展戰略。
青軟晶尊集成電路設計服務始于1996年，為國內最早從事集成電路設計服務的企業，公司擁有20余年的集成電路設計服務經驗，向客戶提供高速DDR存儲類芯片、固態射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅動、AD/DA轉換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設計服務。為客戶累計完成5000余顆芯片的設計。公司依據高品質的設計服務能力，在美國、日本、臺灣及國內積累了長期、穩定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業，并通過國際DNV信息安全風險管理體系認證。
青島青軟晶尊微電子科技有限公司
2021-12-07
智能控溫節能氧化釩（VO2）薄膜的制備
成果介紹智能控溫薄膜可以實現高溫下對紅外線的反射和低溫下對紅外線的透射，是一種無需能源的智能空調。技術創新點及參數室溫可用（20℃-40℃）節能減排（無需能源）滿足了實時反饋的需求滿足了溫度控制的需求提出了在室溫下實現智能變色的可能性
東南大學
2021-04-11
一種多層柔性薄膜的剝離裝置及剝離方法
一種多層柔性薄膜的剝離裝置，剝離裝置的剝離刀為橫截面為 圓角多邊形的柱狀結構，具有多個不同彎曲半徑和彎曲角度的圓弧剝 離面，使用時可根據不同的薄膜選擇不同剝離面進行剝離加工，無須更換剝離刀，大大提高了剝離刀的適用范圍，并進一步運用剝離刀的 幾何參數與剝離效果的關系理論，設計優化得到最優的剝離刀結構， 得到最佳的剝離質量和剝離效率，剝離裝置結構簡單、成本低廉，在 大面積柔性器件的封裝領域具有廣闊應用前景。
華中科技大學
2021-04-11
一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用
本發明公開了一種光子晶體水凝膠薄膜及其制備與應用，其中 該光子晶體水凝膠薄膜包括聚丙烯酰胺凝膠、以及分布在該聚丙烯酰 胺凝膠內的 Fe3O4@C 納米粒子，其中所述 Fe3O4@C 納米粒子為 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的納米粒子，所述 Fe3O4@C 納米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝膠中沿某一方向呈鏈狀排列，該 Fe3O4@C 納米粒子 在該光子晶體水凝膠薄膜中的濃度為 1～50mg/mL。本發明通過對光子 晶體
華中科技大學
2021-01-12
石墨烯基透明導電薄膜、復合導熱膜及吸附材料
將石墨烯進行二維或三維組裝，制備透明可導電薄膜、復合導熱膜及吸附材 料技術。
上海理工大學
2021-01-12
一種Sn摻雜CrO2薄膜及其制備方法
小試階段/n磁性半金屬CrO2薄膜在自旋電子器件中有廣闊的應用前景，然而，其化學性質不夠穩定，即使在室溫下也容易轉化為Cr2O3。本發明采用SnI4和CrO3作為前驅物，通過化學氣相沉積(CVD）成功制備出Sn摻雜CrO2薄膜，使薄膜的熱穩定性大大提升，從而解決了CrO2薄膜穩定性的問題。
武漢科技大學
2021-01-12
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項目主要研究和開發高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料，研 究和制備優質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特
復旦大學
2021-01-12