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新型微波超材料對空間波和表面等離激元波的自由調(diào)控或?qū)崟r調(diào)控
成果介紹超材料(Metamaterial),或其二維形式—超表面(Metasurface)由具有亞波長尺寸的人工原子周期或者非周期地排列而成,其描述方式可分為等效媒質(zhì)和空間編碼兩種形式。由等效媒質(zhì)描述的超材料(或超表面)我們稱之為新型人工電磁媒質(zhì),由空間編碼描述的超材料(超表面)我們稱之為編碼超材料(超表面)和數(shù)字超材料(超表面)。對于新型人工電磁媒質(zhì),人們通過自由設(shè)計單元結(jié)構(gòu)、單元排列方式、以及單元各向異性,可以根據(jù)意愿控制等效媒質(zhì)的媒質(zhì)參數(shù),實現(xiàn)自然界中不存在或者很難實現(xiàn)的介電常數(shù)和/或磁導(dǎo)率,進而控制電磁波。本成果對于新型人工電磁媒質(zhì)對電磁波的調(diào)控作用,例如隱身衣、電磁黑洞、雷達幻覺器件、遠場超分辨率成像透鏡、新型透鏡天線、隱身表面、極化轉(zhuǎn)換器、人工表面等離激元器件及混合集成電路等。技術(shù)創(chuàng)新點及參數(shù)對于編碼和數(shù)字超材料(超表面),我們提出基于空間編碼調(diào)控電磁波的新思路。其中,一比特編碼超材料選用相位差接近180度的兩種基本單元(記為0單元和1單元),按照一定規(guī)律排列0和1單元構(gòu)成超材料,以實現(xiàn)所需的設(shè)計功能。當(dāng)電磁編碼采用FPGA控制時,可實現(xiàn)現(xiàn)場可編程超材料,即單一的超材料在FPGA的實時控制下可實現(xiàn)多種功能(例如單波束、多波束、波束掃描、隱身功能等)。市場前景本成果獲得國家自然科學(xué)二等獎。該項目突破傳統(tǒng)模擬超材料的等效媒質(zhì)表征方法，創(chuàng)造性地提出用 0 和 1 表征的數(shù)字超材料，建了數(shù)字編碼和現(xiàn)場可編程超材料新體系；在國際上率先從微波傳輸線的角度研究人工 SPP 超材料，提出一種性能優(yōu)越的超薄、可共形 SPP 傳輸線，開辟了基于 SPP 模式的微波領(lǐng)域新分支，實現(xiàn)了超材料研究從跟跑、并跑變成走在世界前列的跨越。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種利用復(fù)配偶聯(lián)劑對粉煤灰漂珠進行表面改性的方法及應(yīng)用
要：本發(fā)明涉及一種粉煤灰漂珠表面改性技術(shù)，具體涉及一種利用復(fù)配硅烷偶聯(lián)劑對粉煤灰漂珠進行表面改性的方法，首先對粉煤灰進行燒結(jié)、酸堿預(yù)處理，然后再用復(fù)配偶聯(lián)劑對預(yù)處理過的粉煤灰進行表面改性處理。采用本發(fā)明方法對粉煤灰進行表面改性后，所得表面改性粉煤灰漂珠表面的物理化學(xué)性質(zhì)發(fā)生了改變，提高了其在樹脂和有機聚合物中的分散性，增進填料與樹脂等基體界面的相容性，進而提高塑料、涂料、橡膠等高分子材料的力學(xué)性能及其它性能，為粉煤灰的更好利用提供了一種改進方法，減少了對環(huán)境的污染。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
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用于鑄件表面的優(yōu)良綠色鋅合金電鍍的強滲透性與高分散性的電鍍液
本專利公開了一種無氰離子的電鍍工藝，屬于材料表面處理領(lǐng)域。該工藝本專利是采取新的電鍍液，具有滲透性強、分散性好的特性。 鑄件在整個電鍍過程中，可以克服現(xiàn)有鑄鋼件電鍍工藝的所有缺陷，實現(xiàn)鑄件快速高效優(yōu)質(zhì)電鍍，該工藝具有鍍層厚度均勻、鍍層光澤度好、鍍層與鑄件結(jié)合力牢固、鍍層致密、鍍層抗氧化能力好的特點，鍍層的中性鹽霧化試驗、酸霧化試驗達到國家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)（96小時無腐蝕點）。目前該項技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成熟，有很大的推廣應(yīng)用價值。通過X射線能譜儀分析鍍層的成分，具體分析譜圖見附件。
南京工程學(xué)院
2021-04-13
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在硅基質(zhì)表面制備油水浸潤性光控可逆SiO2/TiO2復(fù)合涂層的方法
本發(fā)明公開了一種在硅基質(zhì)表面制備油水浸潤性光控可逆SiO2/TiO2復(fù)合涂層的方法，將硫酸洗液清洗過的硅基質(zhì)樣品浸入到SiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，使玻璃表面覆蓋均勻的SiO2涂層，220℃煅燒涂層，得到的覆蓋SiO2涂層的樣品浸入到TiO2凝膠中，以14厘米/分鐘速度勻速提拉出液面，并在500℃煅燒涂層。最后經(jīng)氟硅烷溶液浸泡進行涂層表面改性得到光控油水浸潤性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層。本發(fā)明和以往制備親疏水親疏油可逆轉(zhuǎn)換材料的方法相比，方法簡便，耗時少，不需要特殊儀器。涂層呈現(xiàn)納米TiO2微球包裹微米SiO2微球的類荷葉表面結(jié)構(gòu)，在工程領(lǐng)域中具有良好的應(yīng)用前景。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
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解釋了在釕基催化劑表面電化學(xué)合成氨的過電位很低的
在金屬釕表面，另一種不穩(wěn)定的中間產(chǎn)物*N 2
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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二次鋁灰提取工業(yè)用氧化鋁的高值資源化工藝
上海交通大學(xué)
2021-04-11
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熔紡氨綸用的一種亞氨酯添加劑制造方法
氨綸熔融紡絲具有工藝流程簡單，設(shè)備投資少、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)過程不使用溶劑、環(huán)境污染少等優(yōu)點而成為最為經(jīng)濟和對環(huán)境最為友善的氨綸生產(chǎn)新技術(shù)。由于熔紡氨綸與干紡氨綸結(jié)構(gòu)上的差異，使熔紡氨綸的耐熱性與回彈性較差。為了克服上述缺點，國內(nèi)外普遍采用添加預(yù)聚體的方法，然而預(yù)聚體的NCO基團十分活潑，在存放過程中易與空氣中的水分發(fā)生副反應(yīng)，使預(yù)聚體失效。 本項目是以帶有活潑氫的酚、酸、醇、酯、胺等化合物作為封端劑，與預(yù)聚體中的NCO基團進行反應(yīng)，使兩端NCO基團得到暫時的保護，反應(yīng)形成一種在常溫下穩(wěn)定的亞氨酯，從而改善了纖維的耐熱性及回彈性，同時由于亞氨酯在常溫下非常穩(wěn)定，存放期可大大地延長，因此這種新穎的封閉型預(yù)聚體比常規(guī)預(yù)聚體法更有效。已獲得國家發(fā)明專利。
東華大學(xué)
2021-02-01
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一種含鎳銅的高強緊固件用鋼及其熱處理方法
簡介：本發(fā)明公開了一種含鎳銅的高強緊固件用鋼及其熱處理方法，包括如下質(zhì)量百分比的組分：C：0.38～0.45％；Si：0.17～0.30％；Mn：0.60～0.80％；P≤0.010％；S≤0.010％；Cr：0.90～1.20％；Mo：0.15～0.22％；Ni：0.05～0.15％；Cu：0.10～0.20％；余量為Fe和不可避免的雜質(zhì)。本發(fā)明經(jīng)過油淬和高溫回火后得到的組織均為回火索氏體組織，性能如下：抗拉強度Rm＝1100～1135MPa，屈服強度Rel＝980～1015MPa，伸長率A＝14.5～17.2％，25℃，V型缺口沖擊功AKv＝70～90J，-20℃，V型缺口沖擊功AKv＝55～85J。本發(fā)明具有穩(wěn)定的沖擊性能和較高的強度，可用來制作10.9級耐延遲斷裂高強度緊固件。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-11
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用太陽能多晶硅切割廢料制備太陽能級多晶硅項目
隨著光伏產(chǎn)業(yè)的高速的發(fā)展，硅錠切割產(chǎn)生的切割廢料也將出現(xiàn)井噴式的增長。僅2012年一年，我國就用了23萬噸的多晶硅，產(chǎn)生了近25萬噸的粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)，回收廠家院內(nèi)廢料堆積如山，粉塵飛揚，環(huán)境惡劣。而粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)中的SiC和晶體Si粉都是通過高能耗、高成本制備出來的，所以如能將這些廢料得以回收利用，不僅減少了環(huán)境污染，也會產(chǎn)生出巨大的經(jīng)濟效益。特別是如能將二次廢料中價值最高的晶體硅粉得以回收并再用于制造太陽能多晶硅，這對我國減少多晶硅的進口是有重要意義的，所以說，從晶體硅切割廢料中回收多晶硅是今后一個重要的發(fā)展方向。 （1）本項目可從多晶硅切割廢料中提取出太陽能級多晶硅，其技術(shù)含量高、生產(chǎn)成本低、能耗小。生產(chǎn)的多晶硅可以替代國外進口產(chǎn)品，減少我國多晶硅的進口量，這對降低光伏能源成本，實現(xiàn)光伏能源的普及有重要意義。 (2) 本項目同時生產(chǎn)的副產(chǎn)品碳化硅制品的最大特點耐高溫和耐磨性等性能遠好于同類產(chǎn)品，且價格遠優(yōu)于國內(nèi)同類產(chǎn)品，因此該副產(chǎn)品有著廣闊的市場前景，市場競爭力強。該副產(chǎn)品作為耐火材料可廣泛應(yīng)用于冶金、陶瓷、能源、化工等行業(yè)。如鋼鐵廠高爐的爐窯內(nèi)襯和鋼包內(nèi)襯、電解鋁廠鋁電解槽的側(cè)部、火法煉鋅的罐體的內(nèi)襯等；如陶瓷行業(yè)所用窯爐內(nèi)所用的窯板和棚板等。 (3) 產(chǎn)品附加值高：由于本項目所用原料主要是來源于光伏行業(yè)產(chǎn)生的切割廢料，原料的來源豐富且價格便宜，產(chǎn)品的科技含量高，生產(chǎn)成本低，故產(chǎn)品的附加值高。本項目擁有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多項專利。
東北大學(xué)
2021-04-11
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半導(dǎo)體輔材用多晶硅中碳、氮雜質(zhì)的分離去除技術(shù)
伴隨著我國半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場結(jié)構(gòu)單一，熔體流動性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項目團隊前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
本項目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場競爭力，保護環(huán)境。
大連理工大學(xué)
2021-05-10