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硅薄膜太陽電池集成組件的制備技術
本發明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結構和制備技術，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結構的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關鍵工藝——子電池內聯集成技術，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術領域。本發明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結合濕法腐蝕ZnO的方法，實現具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內聯集成技術，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太
南開大學
2021-04-14
光降解塑料和生物降解塑料薄膜
項目簡介： 隨著石油化學
西華大學
2021-04-14
一種用于薄膜復合的同步驅動對輥裝置
本發明提供一種用于薄膜復合的同步驅動對輥裝置，包括主動輥組件，其具有一可轉動的主動輥，該主動輥組件固定安裝在一安裝板上，其一端與一驅動組件聯接，用以提供驅動力帶動該主動輥轉動；浮輥組件，其具有一可轉動的浮輥，該浮輥與所述主動輥呈有間隙地相對布置，兩輥的中心軸線平行；齒輪組件，其包括外嚙合的呈同步轉動的兩齒輪，該兩齒輪分別通過軸端同步帶輪上的同步帶與主動輥和浮輥相連，實現兩輥的同步轉動；在驅動組件驅動下，所述主動輥轉動，驅動所述齒輪組件的兩齒輪轉動，從而帶動所述浮輥與該主動輥同步轉動，實現對兩輥間的薄膜的驅動或復合。本發明方便調節，可穩定完成多層薄膜的復合和輸送，保證薄膜復合的均勻性。
華中科技大學
2021-04-11
石墨烯基透明導電薄膜、復合導熱膜及吸附材料
將石墨烯進行二維或三維組裝，制備透明可導電薄膜、復合導熱膜及吸附材料技術。
上海理工大學
2021-01-12
采用低壓脈沖電流改善含鈮鋼鑄坯角部裂紋和熱送裂紋的方法
簡介：本發明公開了一種采用低壓脈沖電流改善含鈮鋼鑄坯角部裂紋和熱送裂紋的方法，屬于改善鑄坯角部裂紋和熱送裂紋的技術領域。本發明是當含鈮鋼鑄坯在進入矯直區前或者鑄坯出連鑄機被切割后，對上述的含鈮鋼鑄坯施加一脈沖電流，所述的脈沖電流參數為：脈沖電壓2～20V，脈沖電流30～120A，脈沖頻率15～40Hz；所述的含鈮鋼為ω[C]<0.25%的含鈮低碳鋼，其中0.01%≤ω[Nb]≤0.40%。本發明通過施加低壓脈沖電流，改變了含鈮低碳鋼鑄坯的微觀組織，提高了鑄坯高溫力學性能，從而有效減少了鑄坯的角部裂紋和熱送（紅送）裂紋，且本發明的方法不影響正常的生產，且不需要改變現有生產工藝，不需要添加合金元素，對鑄坯及設備無污染，對人員無危害，是一項環保安全的減少鑄坯缺陷的新技術。
安徽工業大學
2021-04-13
一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其制備方法
專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。
電子科技大學
2021-02-01
一種用于三層結構薄膜的接料裝置
本發明提供了一種用于三層結構薄膜的接料裝置，包括接料底板，設置在接料底板的一相對兩側，用于提供粘結膠帶的粘結膠帶組件；設置在接料底板的另一相對兩側，用于對接薄膜整齊對位的膠帶糾偏組件；設置在接料底板上用于接料時固定對接薄膜的壓合組件；以及設置在接料底板上方用于夾持三層結構薄膜各層的夾持組件。本發明實現三層結構薄膜的分層對接，整個裝置結構簡單，操作方便，易于實現。
華中科技大學
2021-04-11
一種機械疊層ALSB/CIS薄膜太陽電池
一種機械疊層ALSB/CIS薄膜太陽電池,屬于一種半導體薄膜太陽電池的結構設計,它是由ALSB頂電池機械疊合在CIS底電池上而成的雙結四端薄膜太陽電池。其中ALSB頂電池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉積N型摻鋁氧化鋅導電層,然后沉積氧化鋅高阻層,再沉積硫化鎘緩沖層,隨后沉積銻化鋁吸收層以及碳納米管涂層作為透明導電層,最后,沉積鎳/鋁柵線而制成的太陽電池;而CIS底電池,指的是在SODA LIME玻璃上沉積鉬,然后沉積吸收層硒銦銅,再沉積緩沖層硫化鎘,隨后沉積高阻氧化鋅和摻鋁氧化鋅,最后沉積與頂電池相同形狀和大小的鎳/鋁柵線而制成的太陽電池。采用上述結構的疊層電池,可以選擇性地吸收和轉化太陽光譜的不同區域的能量,擴展光譜響應的范圍,有效地提高薄膜太陽電池的轉換效率。
四川大學
2021-04-11
安裝在汽車進氣系統上的薄膜空氣吸振器
其他成果/n本發明公開了一種安裝在汽車進氣系統上的薄膜吸振器，用于消除由進氣系統引起的至少一種車內噪聲，所述汽車進氣系統包括依次連接的進氣管、空氣濾清器和出氣管，該吸振器包括開設在所述進氣管振動異常處的開孔以及密封覆蓋在所述開孔外側的薄膜，所述開孔的孔徑小于進氣管的直徑。本發明在不增加進氣系統降噪空間的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善進氣系統低、中、高各頻率段噪聲。
武漢理工大學
2021-04-11
一種納米晶Cu2O薄膜的制備方法
“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.
安徽建筑大學
2021-01-12