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一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法
本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內的光信號實現分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結構簡單緊 湊，對光路的準直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關的特性，在分辨出波長 的同時，還能對入射光束的偏振態(tài)進行測量，適用范圍更廣。
華中科技大學
2021-04-14
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術可以有效的解決集成電路進一步發(fā)展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸的速度和頻率。Si基光子集成是實現集成電路光互聯的核心技術和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉換效率已經在光電子器件領域得到廣泛的應用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法
本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法?；诠?基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內的光信號實現分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結構簡單緊 湊，對光路的準直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關的特性，在分辨
華中科技大學
2021-04-14
多晶硅太陽能光伏電池成套設備
該項目針對多晶硅太陽能光伏電池成套設備中太陽能光伏電池絲網印刷、自動光學檢測系統(tǒng)、燒結系統(tǒng)、自動分揀系統(tǒng)等高端設備進行研發(fā)和產業(yè)化，形成了晶硅太陽能光伏電池生產線和成套設備的產業(yè)化生產能力，打破了國外相關高端設備的壟斷局面，為我省相關產業(yè)的良性發(fā)展提供技術支撐。該成套設備具有完全自主知識產權,聯合體已擁有發(fā)明專利8件,實用新型專利21件。 該項目的特色與創(chuàng)新之處主要體現在如下幾個方面：1）基于視覺的高速精密定位理論與技術；2）有效降低破損率的高速、高精度印刷技術；3）均勻熱場形成技術
華南理工大學
2021-04-14
一種硅通孔互連結構的制備方法
本發(fā)明公開了一種硅通孔互連結構的制備方法，步驟為①將鍵合硅器件晶圓鍵合于硅晶圓基板上；②減薄硅器件晶圓，再刻蝕硅器件晶圓，形成盲孔；③在硅器件晶圓上涂敷一層圖案化介電材料(如聚對二甲苯)；④刻蝕圖案化介電質層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側壁；在基板上形成介電質孔，使介電質孔和盲孔同軸；⑤在介電質孔上沉積一層導電材料，作為導電層，形成導電孔；⑥在導電層上再沉積一層圖案化介電質層；⑦移除基板，在導電層上形成焊料微凸點。本發(fā)明簡化了工藝步驟，減少工藝時間并降低了費用；降低了寄生電容，提升了互連電性
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長選擇開關
一種基于硅基液晶的波長選擇開關，屬于光交換器件，解決現 有基于硅基液晶的波長選擇開關輸出端口數量受到限制的問題。本發(fā) 明由設置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調制器、自聚焦準直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構成。本發(fā)明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調制器實現二維偏轉，使波長選擇開關輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉化，能夠大幅度增加波長選擇開關輸出端
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長選擇開關
一種基于硅基液晶的波長選擇開關，屬于光交換器件，解決現 有基于硅基液晶的波長選擇開關輸出端口數量受到限制的問題。本發(fā) 明由設置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調制器、自聚焦準直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構成。本發(fā)明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調制器實現二維偏轉，使波長選擇開關輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉化，能夠大幅度增加波長選擇開關輸出端
華中科技大學
2021-04-14
硅薄膜太陽電池集成組件的制備技術
本發(fā)明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結構和制備技術，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結構的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關鍵工藝——子電池內聯集成技術，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術領域。本發(fā)明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結合濕法腐蝕ZnO的方法，實現具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內聯集成技術，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太
南開大學
2021-04-14
一種用于硅材料表面的復合結構及其應用
本發(fā)明公開了一種用于硅材料表面的復合結構及其應用，其中該復合結構包括光柵結構和納米線陣列，光柵結構包括多個周期性并列排列的長方體，相鄰的兩個長方體之間的間距保持固定；納米線陣列為多個周期性排列的圓柱體，這些圓柱體均位于光柵結構的長方體的頂面上；位于同一長方體頂面上的相鄰兩個圓柱體的中心軸線之間距離保持固定。本發(fā)明通過對復合結構的關鍵形狀參數等進行改進，能夠提高硅太陽能電池的光吸收率，并且降低制備成本，提高復合結構的整體穩(wěn)定性；此外，通過調節(jié)該復合結構內部光柵結構和納米線陣列的排列組成方式，能夠調控硅太陽能電池表面的光吸收率，減小由于光波段不同造成的光吸收率的波動。
華中科技大學
2021-04-13
柏勝經典硅PU跑道面層系統(tǒng)解決方案
產品詳細介紹
廣東柏勝新材料科技有限公司
2021-08-23