本發明公開了一種硅通孔互連結構的制備方法,步驟為①將鍵合硅器件晶圓鍵合于硅晶圓基板上;②減薄硅器件晶圓,再刻蝕硅器件晶圓,形成盲孔;③在硅器件晶圓上涂敷一層圖案化介電材料(如聚對二甲苯);④刻蝕圖案化介電質層,刻蝕掉盲孔底部的介電材料,保留盲孔側壁;在基板上形成介電質孔,使介電質孔和盲孔同軸;⑤在介電質孔上沉積一層導電材料,作為導電層,形成導電孔;⑥在導電層上再沉積一層圖案化介電質層;⑦移除基板,在導電層上形成焊料微凸點。本發明簡化了工藝步驟,減少工藝時間并降低了費用;降低了寄生電容,提升了互連電性
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