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智能虹膜識(shí)別芯片及產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺(tái)
虹膜識(shí)別技術(shù)的應(yīng)用
1.將先進(jìn)的虹膜識(shí)別算法芯片化，在成本，功耗，速度上都較目前的虹膜識(shí)別產(chǎn)品有很大的優(yōu)勢(shì)。
2. 依托中科大微電子學(xué)院和合作的芯片研發(fā)公司，創(chuàng)建一個(gè)虹膜識(shí)別技術(shù)的芯片級(jí)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺(tái)，將智能虹膜識(shí)別芯片廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
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一種 SWP 協(xié)議中 CLF 芯片接口電路
本發(fā)明公開了一種 SWP 協(xié)議中 CLF 芯片接口電路，包括輸入 整形模塊，輸出負(fù)載調(diào)制模塊，電流采樣模塊和輸出整形模塊；所述 輸入整形模塊的輸入端用于連接 CLF 芯片輸出的電壓調(diào)制信號(hào)，所述 輸出負(fù)載調(diào)制模塊的輸入端與所述輸入整形模塊的輸出端連接，所述 輸出負(fù)載調(diào)制模塊的輸出端用于與 UICC 芯片的 C6 引腳連接；所述電 流采樣模塊的輸入端與 UICC 芯片的 C6 引腳相連；所述輸出整形模塊 的輸入端連接至
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于模板匹配的芯片定位方法
本發(fā)明公開了一種基于模板匹配的芯片定位方法，具體包括以 下步驟:步驟一，制作模板;步驟二，對(duì)待定位圖片進(jìn)行預(yù)處理，增 大背景與芯片基體的對(duì)比度;步驟三，對(duì)預(yù)處理后的圖片進(jìn)行圖像分 割，得到 blob 塊，利用 blob 塊的面積和 blob 塊對(duì)應(yīng)的最小外接矩形 的邊長(zhǎng)信息排除存在連晶、缺損缺陷的芯片;獲取剩下的 blob 塊的最小外接矩形的中心位置坐標(biāo)，以及短邊與水平方向的夾角;步驟四， 根據(jù)步驟三得出的中心位置坐標(biāo)和
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置
本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置，其包括：工作 臺(tái)模塊、收光測(cè)試組件、運(yùn)輸傳輸組件、探針測(cè)試平臺(tái)、精密對(duì)準(zhǔn)系 統(tǒng)，其中，在工作中，運(yùn)輸傳送系統(tǒng)可以運(yùn)輸盤片工作臺(tái)到合適的工 作區(qū)域，調(diào)整位姿之后，啟動(dòng)探測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)對(duì)探針工作臺(tái)進(jìn)行控制， 使探針與待測(cè)試的芯片接觸通電，使芯片發(fā)亮，從而收光測(cè)試組件可 以對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。按照本發(fā)明的機(jī)械結(jié)構(gòu)，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的問題，并且采用了精密圖像運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)， 實(shí)現(xiàn)了倒裝 LED 芯片的高速精密測(cè)試，加快了芯片的檢測(cè)效率。按
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)方法
本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)方法，該方法所涉及 的檢測(cè)裝置包括盤片裝載臺(tái)、運(yùn)輸傳輸系統(tǒng)、收光測(cè)試組件、探針工 作臺(tái)以及探測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，其中，該在線檢測(cè)方法為:在工作中，運(yùn)輸 傳送系統(tǒng)可以運(yùn)輸盤片工作臺(tái)到合適的工作區(qū)域，調(diào)整位姿之后，啟 動(dòng)探測(cè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)對(duì)探針工作臺(tái)進(jìn)行控制，使探針與待測(cè)試的芯片接觸 通電，使芯片發(fā)亮，從而收光測(cè)試組件可以對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。按照本發(fā) 明的機(jī)械結(jié)構(gòu)，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的 問題，并且采用了精密圖像
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)裝置
本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片測(cè)試裝置，該裝置包括:工作臺(tái)模塊、運(yùn)輸傳輸組件、收光測(cè)試組件、探針測(cè)試平臺(tái)以及精密對(duì)準(zhǔn) 系統(tǒng)，其中，在工作中，運(yùn)輸傳輸組件可以運(yùn)輸待測(cè)試倒裝 LED 芯片 到合適的工作區(qū)域，使待測(cè)試倒裝 LED 芯片對(duì)準(zhǔn)收光測(cè)試組件的收光 口處，調(diào)整位姿之后，啟動(dòng)探針測(cè)試平臺(tái)，使探針與待測(cè)試的芯片接 觸通電，使芯片發(fā)亮，從而收光測(cè)試組件可以對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。按照本 發(fā)明的機(jī)械結(jié)構(gòu)，能夠成功地解決倒裝 LED
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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光學(xué)超晶格鈮酸鋰有源光量子芯片
國(guó)際上第一個(gè)鈮酸鋰有源光量子芯片
一、項(xiàng)目分類
重大科學(xué)前沿創(chuàng)新、關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、成果簡(jiǎn)介
南京大學(xué)物理學(xué)院祝世寧院士的科研團(tuán)隊(duì)，研制出國(guó)際上第一個(gè)鈮酸鋰有源光量子芯片。該芯片集成了微型化光學(xué)超晶格糾纏光源、波導(dǎo)量子干涉器、波分復(fù)用器及電光調(diào)制器等不同功能器件,實(shí)現(xiàn)了糾纏光子的高效產(chǎn)生、高速電光調(diào)制并完成相應(yīng)的信息處理功能。該芯片由光纖耦合輸入輸出,能在室溫穩(wěn)定工作，工作電壓低于3.55V，調(diào)控速率可達(dá)40GHz。芯片的多項(xiàng)核心指標(biāo)如糾纏光子產(chǎn)率、調(diào)諧速率、調(diào)諧帶寬等創(chuàng)下當(dāng)時(shí)國(guó)際最高水平，為光量子集成光學(xué)和信息處理開辟了一條和硅基芯片不同的技術(shù)路線。
成果以編輯推薦形式發(fā)表在物理學(xué)頂級(jí)期刊《物理評(píng)論快訊》(Phys. Rev. Lett. ,2014)上，被國(guó)際Physics、IEEE Spectrum等科技媒體重點(diǎn)評(píng)述。成果也成功入選中國(guó)光學(xué)十大進(jìn)展(2014)，以此為主要成果之一的“光學(xué)超晶格中糾纏光子的產(chǎn)生、調(diào)控和應(yīng)用”獲2020年高等學(xué)校自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。以此成果為基礎(chǔ)，團(tuán)隊(duì)成功獲批和完成基金委重大科研儀器研制項(xiàng)目，研制出多種高性能量子光源。
南京大學(xué)
2022-08-12
基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片
本發(fā)明公開了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姌O層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質(zhì)石墨烯膜構(gòu)成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質(zhì)的勻質(zhì)石
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種液晶基紅外波束偏振控制芯片
本發(fā)明公開了一種液晶基紅外波束偏振控制芯片，包括芯片殼體(4)以及位于該芯片殼體(4)內(nèi)的陣列化液晶偏振控制結(jié)構(gòu)(3)；芯片殼體(4)上設(shè)置有第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口(1)，第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口(2)，第三驅(qū)控信號(hào)輸入端口(5)，第四驅(qū)控信號(hào)輸入端口(6)。紅外光波進(jìn)入芯片的陣列化液晶偏振控制結(jié)構(gòu)后，按照液晶偏振控制結(jié)構(gòu)的陣列規(guī)模和排布情況被離散化為子波束陣。子波束與受控電場(chǎng)激勵(lì)下的液晶分子相互作用，被執(zhí)行水平、垂直、4
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種芯片連晶缺陷識(shí)別方法
本發(fā)明公開了一種芯片連晶缺陷識(shí)別方法，該發(fā)明主要用于在 芯片制造過程中識(shí)別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個(gè)步驟：步驟 一，對(duì)采集到的芯片圖片進(jìn)行模板匹配，定位出芯片的位置，根據(jù)芯 片的位置，對(duì)圖片進(jìn)行截取；步驟二，對(duì)截取獲得的圖片進(jìn)行預(yù)處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對(duì)經(jīng)過預(yù)處理的圖片進(jìn)行分割， 獲取 blob 塊，對(duì) blob 塊進(jìn)行特征分析：首先以面積為基準(zhǔn)判斷出是否 含連晶缺陷；對(duì)面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點(diǎn)以及四邊中點(diǎn)的位置，以中心點(diǎn)以及四邊
華中科技大學(xué)
2021-04-14