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利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測(cè)量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實(shí)現(xiàn)對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實(shí)現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測(cè)量光路，以及單光子探測(cè)器等），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)量子信息的載體單光子進(jìn)行處理、計(jì)算、傳輸和存儲(chǔ)等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此，該技術(shù)被普遍認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強(qiáng)、以及工作波長(zhǎng)與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對(duì)光子態(tài)進(jìn)行簡(jiǎn)單操控。因此，我們迫切需要擴(kuò)大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強(qiáng)其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進(jìn)量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)難點(diǎn)。相對(duì)于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計(jì)算效率高、以及抗噪聲性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點(diǎn)等物理體系中實(shí)現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動(dòng)量模式、時(shí)域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實(shí)現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測(cè)量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對(duì)上述問(wèn)題，英國(guó)布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國(guó)馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個(gè)光子以量子疊加態(tài)的形式同時(shí)存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高達(dá)15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過(guò)可控地激發(fā)16個(gè)參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過(guò)單片集成通用型線性光路，可對(duì)高維量子糾纏態(tài)進(jìn)行任意操控和任意測(cè)量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時(shí)，團(tuán)隊(duì)充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實(shí)現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠(yuǎn)超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團(tuán)隊(duì)通過(guò)硅基納米光子集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個(gè)光量子元器件，包括16個(gè)全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個(gè)光學(xué)移相器、122個(gè)光束分束器、256個(gè)波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個(gè)光柵耦合器，從而達(dá)到對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量。       研究進(jìn)一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗(yàn)證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強(qiáng)量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對(duì)4維度量子糾纏態(tài)，實(shí)驗(yàn)觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差，而且超過(guò)普通二維糾纏體系的最大可到達(dá)值的2.8個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差。研究還首次實(shí)現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測(cè)和量子隨機(jī)放大等新功能，例如，對(duì)3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測(cè)保真度約為76%，對(duì)14維以下糾纏態(tài)均實(shí)現(xiàn)了量子隨機(jī)放大功能。

本發(fā)明公開(kāi)了一種含氟、含磷及含硅的環(huán)氧樹(shù)脂及其制備方法，含氟、含磷及含硅的環(huán)氧樹(shù)脂的制備方法為：取雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂100phr，二胺類固化劑10～60phr，固化促進(jìn)劑1～6phr，將三者混合均勻后置于反應(yīng)模具中，先在80～120°C條件下固化反應(yīng)1～3h，再在130～170°C條件下固化反應(yīng)2～4h，即得到含氟、含磷及含硅的環(huán)氧樹(shù)脂，所述的二胺類固化劑為含氟、含磷及含硅的二元胺類化合物。所述的含氟、含磷及含硅的環(huán)氧樹(shù)脂中同時(shí)引入了氟、磷以及硅這三種元素，是一種新的有機(jī)化合物，這種含氟、含磷及含硅的

為了提高白炭黑的利用價(jià)值，將其轉(zhuǎn)化為高效吸附劑和催化劑載體，本課題組研發(fā)了一種具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)（獲授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利）、高比表面積的二氧化硅介孔材料，有望應(yīng)用于氣體吸附和催化劑載體。

航空航天器、飛機(jī)、導(dǎo)彈、火箭、超低溫冷凍機(jī)、極寒冷地區(qū)工程機(jī)械和 高速列車等設(shè)備，在極低溫度條件下運(yùn)行時(shí)，對(duì)密封材料要求很高，一旦出現(xiàn) 密封效果不佳或不可靠情況，會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重后果，極端情況會(huì)造成機(jī)毀人亡等重 特大事故，形成嚴(yán)重的財(cái)產(chǎn)和人員損失。密封材料大多采用有機(jī)高分子材料， 在低溫條件下，密封材料中分子熱運(yùn)動(dòng)減少，分子鏈段會(huì)變得僵硬甚至凍住， 使之失去彈性，導(dǎo)致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應(yīng)用于上述 設(shè)備和地域時(shí)，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設(shè)備的穩(wěn)定 運(yùn)行。這就要求密封材料必須具備優(yōu)良的耐低溫性能，使其具有耐低溫穩(wěn)定性， 才能達(dá)到相應(yīng)的密封要求。 本研究開(kāi)發(fā)的耐超低溫有機(jī)硅密封膠，采用特殊原料和工藝，克服了傳統(tǒng) 密封材料的弱點(diǎn)，使有機(jī)硅密封膠在-100℃以上時(shí)具有良好的密封性能。 

1、成果簡(jiǎn)介：   本研究組一直以來(lái)從事納米材料的生化分析研究，完成了多種量子點(diǎn)和微球的合成、修飾和相關(guān)的生化分析檢測(cè)，在多色量子點(diǎn)的標(biāo)記和光譜識(shí)別研究中做了大量的工作。我們掌握了多種量子點(diǎn)和石墨烯量子點(diǎn)、納米金等納米材料的制備方法和表面修飾技術(shù)，成功地檢測(cè)了生物樣本中的多種重要成分。  我們創(chuàng)新性地設(shè)計(jì)了可用于檢測(cè)的多色熒光編碼的納米硅球，具有包含多個(gè)量子點(diǎn)的獨(dú)特結(jié)構(gòu)和可調(diào)諧的熒光比率信號(hào)，功能修飾后的探針不僅提高了腫瘤標(biāo)志物檢測(cè)的靈敏度，

本發(fā)明公開(kāi)了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測(cè)器。該探測(cè)器是 模擬光子通信系統(tǒng)和微波光子系統(tǒng)中的硅基關(guān)鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個(gè)并聯(lián)鍺層結(jié)構(gòu)和電感。多個(gè)并聯(lián)的鍺層結(jié)構(gòu)的多個(gè) 鍺層尺寸是可以不同的，以實(shí)現(xiàn)對(duì)寄生電阻的調(diào)控，在提高器件飽和 功率的同時(shí)保持了寄生參數(shù)不至顯著增加。同時(shí)，通過(guò)引入片上和片 外電感，實(shí)現(xiàn)對(duì)器件寄生電感的調(diào)控，抬升器件高頻處頻率響應(yīng)，提 升器件工作帶寬。本發(fā)明提出的光電探測(cè)器采用集總電極結(jié)構(gòu)

本發(fā)明公開(kāi)了一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質(zhì)層；③刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁的介電材料，在基板上形成介電質(zhì)孔；④在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電孔；⑤在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層，填充導(dǎo)電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點(diǎn)。圖案化介電質(zhì)層的材料優(yōu)選聚對(duì)二甲苯。本發(fā)明簡(jiǎn)化了工藝步驟，減少工藝時(shí)間并降低了費(fèi)用；使用二層圖案化介電質(zhì)層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和

本發(fā)明公開(kāi)了一種鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)可控制備方法及產(chǎn)品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長(zhǎng)鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過(guò)電子束光刻技術(shù)在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結(jié) 構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環(huán)境下進(jìn)行氧化和退火，使得氧氣優(yōu)先與硅反應(yīng)形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮?dú)浠旌蠚夥障?

本發(fā)明公開(kāi)了一種微型皮拉尼計(jì)與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒(méi)有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對(duì)有光刻膠掩膜的一面進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計(jì)的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計(jì)與體

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于硅基液晶的偏振檢測(cè)系統(tǒng)及方法，所述 偏振檢測(cè)系統(tǒng)包括檢偏器、光探測(cè)器、硅基液晶驅(qū)動(dòng)模塊、控制單元 和用于相位調(diào)制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅(qū)動(dòng)模塊的驅(qū)動(dòng)下 對(duì)待測(cè)光進(jìn)行相位調(diào)節(jié)，獲取一系列偏振光，通過(guò)對(duì)這一系列偏振光 的分析獲取待測(cè)光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發(fā)明的系統(tǒng)在精確可編程控制下，進(jìn)行偏振態(tài)檢測(cè)與控制， 不受類似于波片的波長(zhǎng)敏感性制約；且本發(fā)明采用硅基液晶進(jìn)