本發明公開了一種加工硅通孔互連結構的工藝方法,步驟為:①在基板上刻蝕盲孔;②在基板上沉積一層圖案化介電質層;③刻蝕圖案化介電質層,刻蝕掉盲孔底部的介電材料,保留盲孔側壁的介電材料,在基板上形成介電質孔;④在介電質孔上沉積一層導電材料,形成導電孔;⑤在導電層上再沉積一層圖案化介電質層,填充導電孔;⑥刻蝕板背面,暴露出導電層,在導電層上形成焊料微凸點。圖案化介電質層的材料優選聚對二甲苯。本發明簡化了工藝步驟,減少工藝時間并降低了費用;使用二層圖案化介電質層,降低了寄生電容,提升了互連電性能,適用于高速和
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