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本發(fā)明提供了一種在超細(xì)鎢絲表面電沉積鋁鎂合金薄膜的方法。該方法克服了在有機(jī)溶劑、離子液體體系中電沉積鋁鎂合金薄膜存在鍍液體系不穩(wěn)定，原料成本高昂，鍍液配置不易，使用壽命較短，制得的鋁鎂合金薄膜中鎂含量較低等問(wèn)題。該方法在低溫?zé)o機(jī)熔鹽體系中，氯化鋁和氯化鎂作為主鹽，氯化鈉和氯化鉀作為支持電解質(zhì)；以超細(xì)鎢絲作為電沉積陰極，鋁為陽(yáng)極，控制電鍍溫度，電鍍時(shí)間以及電流密度，在惰性氛圍保護(hù)下進(jìn)行鋁鎂合金薄膜在超細(xì)鎢絲表面的電沉積。

本項(xiàng)目主要涉及到一種大面積的米級(jí)碳納米管/石墨烯薄膜。本技術(shù)產(chǎn)品可應(yīng)用于智能電發(fā)熱材料， 超輕薄防彈衣材料，電磁屏蔽膜，防火耐腐蝕衣服及涂料，手機(jī)散熱材料，復(fù)合結(jié)構(gòu)材料等。本技術(shù)產(chǎn)品 具有世界最輕，最薄，超柔軟可揉搓，高導(dǎo)電導(dǎo)熱的性能，并且具有量產(chǎn)性強(qiáng)，成本低廉的優(yōu)勢(shì)。在數(shù)十 個(gè)行業(yè)領(lǐng)域具有可革命性的替代能力。本次主要介紹該材料在短期內(nèi)可迅速成果轉(zhuǎn)化的智能電加熱及散熱 方面的技術(shù)應(yīng)用。 縛，真正保持了純天然的特性，使產(chǎn)品的質(zhì)量邁上一個(gè)新臺(tái)階。 本技術(shù)成果已經(jīng)工業(yè)化應(yīng)用的有高純度肉桂醛、苯甲醛、苯乙酮、1-苯乙醇、藿香油、香茅油、山 蒼子油、澳洲茶樹(shù)精油等；應(yīng)用領(lǐng)域涉及石化、化工、食品、醫(yī)藥、日化、香料等行業(yè)。產(chǎn)品的提純用普 通的蒸餾方法或者分子蒸餾難以達(dá)到的它能做得到，如肉桂醛≥98%、苯乙酮≥99%、苯甲醛≥99%。本 聯(lián)用技術(shù)在熱敏性物料的精細(xì)分離提純中具有十分廣闊的市場(chǎng)。對(duì)投資者要求：從事熱敏性組分分離的企 業(yè)，研究所及設(shè)備生產(chǎn)廠家。

本發(fā)明屬于薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種制備ZnO/CuInS2核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜的方法和相關(guān)工藝參數(shù)。該制備方法為媒介模板轉(zhuǎn)換法。首先，采用水熱法，以硝酸鋅(Zn(NO3)2)/六次甲基四胺(HMT)水溶液為生長(zhǎng)體系，在ITO導(dǎo)電玻璃上生長(zhǎng)ZnO納米棒；然后以硫代乙酰胺(TAA)為反應(yīng)試劑進(jìn)行水浴，得到ZnO/ZnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜；然后，將所得樣品在硝酸銅(Cu(NO3)2)的三乙二醇(TEG)溶液中靜置一段時(shí)間得到ZnO/CuS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜媒介模板；最后，將所得樣品放入氯化銦(InCl3

本發(fā)明公開(kāi)了一種高取向二氧化釩薄膜的液相制備方法，屬于化學(xué)功能材料領(lǐng)域。該制備方法以三異丙醇氧釩為溶質(zhì)制備前驅(qū)液，將所得前驅(qū)液涂于藍(lán)寶石襯底制備前驅(qū)物薄膜，最后將前驅(qū)物薄膜置于真空環(huán)境中燒制而成。本發(fā)明在液相法的基礎(chǔ)上，通過(guò)控制真空燒結(jié)條件制備二氧化釩薄膜，所獲得的薄膜均具有良好的生長(zhǎng)取向，相變溫度為60°C左右，相變前后電阻率的變化在三個(gè)量級(jí)以上；且制備工藝簡(jiǎn)單，適合大范圍推廣。

本發(fā)明公開(kāi)了一種溶液法熒光粉膠薄膜涂覆方法及其在晶圓級(jí)發(fā)光二極管封裝中的應(yīng)用，屬于 LED 封裝領(lǐng)域。其包含：S1 將熒光粉膠涂覆在 LED 晶圓片上；S2 將 LED 晶圓片置于溫度為 50℃～200℃度的溶液中；S3 待熒光粉膠形貌穩(wěn)定后，將 LED 晶圓片從溶液中取出；S3 將 LED 晶圓片置于溫度在 50℃～200℃下加熱，使殘留在 LED晶圓片和熒光粉膠表面上的溶液蒸發(fā)并將熒光粉膠固化；S5 將晶圓片切割成小芯片單元。本發(fā)明方法操作簡(jiǎn)單，成本低，可制備厚度極薄且厚度均勻度大于 0.95 的熒光粉膠薄膜，從而提高 LED 的光效、空間顏色均勻性以及產(chǎn)品一致性。該工藝可以廣泛的應(yīng)用于晶圓級(jí)發(fā)光二極管封裝中。

電機(jī)系李琦副教授、何金良教授等在《自然·通訊》（Nature Communications）期刊上發(fā)表了題為“基于聚合物-分子半導(dǎo)體全有機(jī)復(fù)合材料的高溫電容薄膜”（Polymer/molecular semiconductor all-organic composites for high-temperature dielectric energy storage）的研究論文，首次研制出 200 攝氏度高效介電儲(chǔ)能的全有機(jī)復(fù)合薄膜。這類(lèi)全有機(jī)復(fù)合介電材料在 200 攝氏度高溫條件下的介電儲(chǔ)能性能不僅遠(yuǎn)超過(guò)目前最好的高溫聚合物及聚合物納米復(fù)合介電材料，并接近商業(yè)化聚合物電容薄膜室溫下性能；在大幅提升高溫介電儲(chǔ)能特性的同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了大面積、性能均勻的薄膜制備，為實(shí)現(xiàn)薄膜電容器在 200 攝氏度嚴(yán)酷溫度環(huán)境下應(yīng)用提供了可能。 聚合物薄膜電容器具有介電強(qiáng)度高、能量損耗低以及自愈性好等優(yōu)點(diǎn)，在全球工業(yè)電容器市場(chǎng)占有率超過(guò)其它類(lèi)型電容產(chǎn)品。然而，聚合物介電材料的絕緣性能對(duì)溫度極其敏感，在高溫、高電場(chǎng)作用下泄漏電流呈指數(shù)上升、放電效率急劇下降，最終造成電容器過(guò)熱損壞。目前主流商業(yè)薄膜電容器僅在 105 攝氏度以下工作，長(zhǎng)期工作溫度低于 70 攝氏度。另一方面，隨著電子器件和電力、能源設(shè)備功率不斷增大以及對(duì)小型化和緊湊型功率模塊的持續(xù)追求，電子材料的工作溫度要求快速提高，薄膜電容器介電材料已成為高溫電子器件和設(shè)備的技術(shù)瓶頸。 該論文采用了一種與前期方法截然不同的技術(shù)路線——利用有機(jī)光伏中電子受體材料的強(qiáng)得電子能力，實(shí)現(xiàn)了在高溫聚合物中構(gòu)筑深電荷陷阱。這種有機(jī)分子半導(dǎo)體型的電子受體材料具有極高的電子親和能，被廣泛應(yīng)用于有機(jī)光伏中激子在異質(zhì)結(jié)界面高效分離。它們可通過(guò)其表面靜電勢(shì)分布的極不均勻特性，對(duì)自由電子產(chǎn)生強(qiáng)束縛作用。通過(guò)向耐熱聚合物中摻雜極少量高電子親和能有機(jī)分子半導(dǎo)體制備了全有機(jī)復(fù)合高溫介電材料。這類(lèi)材料在 200 攝氏度和 200kV/mm 電場(chǎng)條件下，電阻率比高溫聚合物提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上；200 攝氏度、放電效率90%以上的能量密度是目前最好的聚合物高溫介電材料的 2.3 倍。此外，全有機(jī)復(fù)合體系解決了傳統(tǒng)有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合體系中高表面能粒子分散不均和引入界面缺陷等問(wèn)題，在薄膜品質(zhì)和規(guī)模化制備等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。

本成果通過(guò)有機(jī)光電器件中有機(jī)薄膜的缺陷態(tài)來(lái)揭示： 1. 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級(jí)排布或者出現(xiàn)的界面能級(jí)釘扎的機(jī)理； 3. 缺陷態(tài)的存在對(duì)器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機(jī)、無(wú)機(jī)材料摻雜來(lái)極大的提高有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡(jiǎn)單的使用方法來(lái)提高有機(jī)光電器件的性能。

本發(fā)明公開(kāi)了一種成分連續(xù)漸變的半導(dǎo)體合金薄膜及其制備方法和應(yīng)用，其中該薄膜的特征有：薄膜為三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 軸方向能夠連續(xù)漸變，在 Y 軸方向和 Z 軸方向基本不變；該成分連續(xù)漸變的半導(dǎo)體合金薄膜作為良好的光吸收層被用于薄膜太陽(yáng)能·831·電池陣列和光電探測(cè)器。其制備方法包括：(1)選取沉積襯底；(2)準(zhǔn)備蒸發(fā)源；(3)制備半導(dǎo)體合金薄膜。本發(fā)明提出的方法能夠在同一條件下沉積成分大范圍連

該成果是一種用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)方法進(jìn)行低成本的耐高溫二極管制備的技術(shù)，它采用高熔點(diǎn)的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對(duì)通入生長(zhǎng)腔體中的氣體進(jìn)行快速分解，通過(guò)控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長(zhǎng)氣壓等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)不同導(dǎo)電類(lèi)型的納米硅薄膜的沉積和相關(guān)二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測(cè)器和傳感器、光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)光器件等相關(guān)領(lǐng)域。 該成果

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種采用全固態(tài)薄膜鋰電池的背包內(nèi)嵌儲(chǔ)能裝置無(wú)線充電系統(tǒng)，包括發(fā)射單元和 接收單元，發(fā)射單元包括第一 AC-DC 模塊、DC-DC 模塊、高頻逆變模塊、第一控制器、第一檢測(cè)電路、 第二檢測(cè)電路和發(fā)射機(jī)構(gòu)；接收單元包括接收機(jī)構(gòu)、第二 AC-DC 模塊、第三檢測(cè)電路、第二控制器和 儲(chǔ)能單元，儲(chǔ)能單元為全固態(tài)薄膜鋰離子電池。本實(shí)用新型采用磁耦合諧振式無(wú)線電能傳輸技術(shù)實(shí)現(xiàn)儲(chǔ) 能單元的無(wú)線充電，大大地簡(jiǎn)化了充電過(guò)程，可有效避免因遺忘而未對(duì)背