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光纖激光器具有轉換效率高、光束質量好、維護周期長、運行費用低等優點，是激光加工裝備的光源最佳選擇，具有十分廣闊的市場應用前景，被譽為“光制造時代的核心”。由于技術門檻等原因，目前國內市場光纖激光器產品普遍集中在低功率光纖激光器，而從利潤和銷售額來看，光纖激光器最大的市場在千瓦級以上的應用，因此高功率光纖激光器產品極具市場空間和投資價值。 經過近兩年的持續攻關，學校已掌握一系列研制高功率光纖激光器的關鍵技術，并自主研制成功連續光纖激光器，與國內同類產品相比，核心技術指標、性能參數均處于

本發明屬于無損檢測技術領域，為一種寬頻大功率電磁激勵裝置，包括猝發脈沖發生電路、模擬開關、變壓器和至少二個功率放大單元，各功率放大單元均包括依次的聯接的信號放大電路、加法電路、電流緩沖器、場效應管電壓跟隨電路和效應管電流放大電路，各加法電路均連接有電位器；猝發脈沖發生電路與模擬開關的輸入端相連，模擬開關的使能端與過功率檢測電路的輸出端相連，模擬開關的各輸出端分別與信號放大電路相連；效應管電流放大電路與變壓器的輸入端相連，過功率檢測電路的輸入端與變壓器的一個輸出端相連，變壓器的另一個輸出端用于驅動負載

成果簡介對于大電流注入下的高功率 LED 而言， 光衰是 LED 普遍存在的問題。 主要原因有載流子在多量子阱（MQW） 上的溢出（overflow）； LED 芯片的晶體內部的缺陷導致的非輻射復合； 在大注入條件下， 載流子分布的不均勻； 以及 LED 結構設計合理性等原因； 這些因素在 LED 材料生長過程中（采用 MOCVD 技術） 就已經決定。 而大功率 LED 在實際應用過程中另外一個瓶頸就是芯片的熱輸運處理問題。 在大注入條件下， 過高的 pn 結結溫， 導致

本發明公開了一種低射頻功率檢測電路，該檢測電路將射頻輸 入信號連接至匹配負載，然后經過基于檢波二極管的峰值檢測電路處 理，峰值檢測電路的輸出連接至峰值補償電路，使得補償之后的直流 電平與射頻信號峰值基本一致。補償電路的輸出連接至乘法器的兩個 輸入端，乘法器的輸出經濾波、放大、零位補償之后，在檢測電路輸 出端得到一個與待測信號功率成正比的直流信號。該發明的特點是： 各功能電路相對獨立，調試方便；補償電路可精細調節，在一定頻率 和功率范圍內測量準確度較高；通過設定電路參數，響應速度靈活可 調；能滿足高達

該成果應用于多功能高速列車運行模擬試驗臺模型車驅動系統（旨在研究列車在雨雪、地震、氣壓增減等復雜環境下高速會車時的性能），采用了多相直線無刷直流電機驅動技術，即模型車電磁彈射技術，通過該技術，動子推動220kg模型車在50米范圍內可達到112m/s（403km/h）,并在9米內動子制動停車，電機功率達到28.6MW。整個電磁彈射系統包括東西兩線，每條線在線路上均包括牽引段、制動段，在設備上包括脈沖發電機飛輪儲能系統、多相直線無刷直流電機定子、動子以及安裝定子和模型車運動軌道的支撐架，另外還包括動子回收、動子保持機構等，運行過程通過過程監控系統、視頻監控系統進行實時監控記錄。

本發明公開了一種螺旋立銑刀正交車銑加工三維穩定性建模方 法，包括以下步驟:(1)將機床-刀具-工件系統簡化為質塊-彈簧-阻尼器 連接的振動系統，建立坐標系 xFyFzF，建立振動系統動力學方程;(2) 利用錘擊法模態試驗分別得到振動系統分別在 xF，yF，zF 每個方向的 頻響函數，辨識出振動系統的模態質量、剛度和阻尼，計算振動系統的慣性力、彈簧力、阻尼力;(3)計算螺旋立銑刀的動態切削力;(4)求 解振動系統動力學方程得到振動系統的穩定性葉瓣圖。本發明考慮了

本發明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發明可以用于光伏發電系統與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發明可以實現8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。