成果簡介
對于大電流注入下的高功率 LED 而言, 光衰是 LED 普遍存在的問題。 主要原因有載流子在多量子阱(MQW) 上的溢出(overflow); LED 芯片的晶體內部的缺陷導致的非輻射復合; 在大注入條件下, 載流子分布的不均勻; 以及 LED 結構設計合理性等原因; 這些因素在 LED 材料生長過程中(采用 MOCVD 技術) 就已經決定。 而大功率 LED 在實際應用過程中另外一個瓶頸就是芯片的熱輸運處理問
題。 在大注入條件下, 過高的 pn 結結溫, 導致
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