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一種高功率大帶寬鍺硅光電探測器
本發明公開了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測器。該探測器是 模擬光子通信系統和微波光子系統中的硅基關鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個并聯鍺層結構和電感。多個并聯的鍺層結構的多個 鍺層尺寸是可以不同的，以實現對寄生電阻的調控，在提高器件飽和 功率的同時保持了寄生參數不至顯著增加。同時，通過引入片上和片 外電感，實現對器件寄生電感的調控，抬升器件高頻處頻率響應，提 升器件工作帶寬。本發明提出的光電探測器采用集總電極結構
華中科技大學
2021-04-14
一種加工硅通孔互連結構的工藝方法
本發明公開了一種加工硅通孔互連結構的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質層；③刻蝕圖案化介電質層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側壁的介電材料，在基板上形成介電質孔；④在介電質孔上沉積一層導電材料，形成導電孔；⑤在導電層上再沉積一層圖案化介電質層，填充導電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導電層，在導電層上形成焊料微凸點。圖案化介電質層的材料優選聚對二甲苯。本發明簡化了工藝步驟，減少工藝時間并降低了費用；使用二層圖案化介電質層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和
華中科技大學
2021-04-14
鍺硅納米低維結構的可控制備方法及產品
本發明公開了一種鍺硅納米低維結構可控制備方法及產品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結構圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結 構圖形轉移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環境下進行氧化和退火，使得氧氣優先與硅反應形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮氫混合氣氛下
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法
本發明公開了一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法，所述 偏振檢測系統包括檢偏器、光探測器、硅基液晶驅動模塊、控制單元 和用于相位調制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅動模塊的驅動下 對待測光進行相位調節，獲取一系列偏振光，通過對這一系列偏振光 的分析獲取待測光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發明的系統在精確可編程控制下，進行偏振態檢測與控制， 不受類似于波片的波長敏感性制約；且本發明采用硅基液晶進
華中科技大學
2021-04-14
耐超低溫有機硅密封膠生產技術
航空航天器、飛機、導彈、火箭、超低溫冷凍機、極寒冷地區工程機械和高速列車等設備，在極低溫度條件下運行時，對密封材料要求很高，一旦出現密封效果不佳或不可靠情況，會出現嚴重后果，極端情況會造成機毀人亡等重特大事故，形成嚴重的財產和人員損失。密封材料大多采用有機高分子材料，在低溫條件下，密封材料中分子熱運動減少，分子鏈段會變得僵硬甚至凍住，使之失去彈性，導致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應用于上述設備和地域時，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設備的穩定運行。這就要求密封材料必須具備
山東大學
2021-04-14
新一代硅烷法電子級晶體硅生產技術
上海交通大學
2021-04-13
微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法
本發明公開了一種微型皮拉尼計的制備方法及其與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結構。本發明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體硅器件集成封裝工藝難度大，風險高，成本高且產量低的技術問題。
華中科技大學
2021-04-14
承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網、羽球場
產品詳細介紹承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網、羽球場
廣州市奧力生體育設施有限公司
2021-08-23
人才需求；分布式存儲系統架構領域技術性人才，重刪領域技術性人才，資源調度領域技術性人才，非易失介質領域技術性人才，網絡領域技術性人才
1、機器學習領域技術性人才
2、存儲系統領域技術性人才
3、系統軟件領域技術性人才
4、分布式存儲系統架構領域技術性人才
5、分布式存儲系統重刪領域技術性人才
6、分布式存儲系統資源調度領域技術性人才
7、分布式存儲系統非易失介質領域技術性人才
8、分布式存儲系統網絡領域技術性人才
9、固態盤領域技術人才
浪潮集團有限公司
2021-06-16
一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法
本發明公開了一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法，其主要控制過程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉軸和 X/Y 直線軸的角度及位置粗調偏差值，然后在執行粗調的同時，實現 X/Y 直線軸的閉環跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉軸的當前實際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉軸執行角度閉環控制的同時，實現另外兩直線軸的位置閉環跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉軸和X/Y 直線軸的角度及位置精調偏差值，然后在執行精調的同時，實現X/Y 直線軸的閉環跟隨控制。通過本發明，可使得芯片
華中科技大學
2021-04-14