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隨著集成電路工藝的進(jìn)步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢下，將可控硅ESD防護(hù)器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護(hù)器件來泄放靜電電荷以保護(hù)柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導(dǎo)體工藝的靜電保護(hù)（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護(hù)的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進(jìn)行觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS的導(dǎo)通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導(dǎo)通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電流觸發(fā)晶閘管SCR導(dǎo)通。晶閘管電流（SCR current）導(dǎo)通大部分ESD 電流，從而實(shí)驗(yàn)了ESD保護(hù)。

本發(fā)明公開了一種用于 ESD 保護(hù)的低壓觸發(fā) SCR 器件。本發(fā)明創(chuàng)造采用第一 PMOS 和第二 PMOS 分別進(jìn)行襯底觸發(fā)和柵觸發(fā)，從而降低 SCR 器件的觸發(fā)電壓。 ESD 脈沖信號施加在 Anode 和 Cathode 之間，第一 PMOS 和第二 PMOS 首先被觸發(fā)導(dǎo)通，第一 PMOS 開通之后，給 Nwell 施加一觸發(fā)電流，第二 PMOS 開通之后給第三 PMOS 施加一觸發(fā)電壓。第一 PMOS 施加的 Nwell 觸發(fā)電流和第三 PMOS 的溝道電流觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通，晶閘管電流（ SCR current ）導(dǎo)通大部分 ESD  電流，從而實(shí)現(xiàn)了 ESD 保護(hù)。

本發(fā)明公開了一種低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統(tǒng)的 VDMOS 器件結(jié)構(gòu)中引入一塊與 源區(qū)摻雜雜質(zhì)相同的摻雜區(qū)。該摻雜區(qū)位于柵氧層正下方且與基區(qū)和柵氧層緊密接觸。相應(yīng)地，新?lián)诫s 區(qū)上方的柵極采用中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明 VDMOS 器件可有效降低溝道導(dǎo)通電阻和頸區(qū)電阻，從而降低 VDMOS 器件的導(dǎo)通電阻；同時(shí)，采用中空結(jié)構(gòu)的柵極既可避免新?lián)诫s區(qū)對擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結(jié)電容，提高 VDMOS 的開關(guān)速度。本發(fā)明方法工藝簡

一、 項(xiàng)目簡介NOX作為一種主要的空氣污染物會(huì)造成一系列的環(huán)境問題，例如光化學(xué)煙霧、酸雨、地表水富營養(yǎng)化、臭氧層破壞等。如何有效的消除氮氧化物引起了全球的關(guān)注，也是我國大氣環(huán)保中的重點(diǎn)。人類活動(dòng)產(chǎn)生的NOX主要是由燃燒所致，目前, 減少燃燒煙氣中的NOX排放主要有燃燒控制和煙氣脫硝兩種措施。各種控制方法中選擇性催化還原法（SCR）由于兼顧經(jīng)濟(jì)和效率成為火電廠等固定源主要的脫硝技術(shù)。其主要技術(shù)是在催化劑作用下，用NH3、尿素或者其他烴類為還原劑，把NO、NO2還原為N2和H2O。但是，傳統(tǒng)的脫硝方式存在一些問題：受催化劑活性溫度限制的要求，傳統(tǒng)SCR裝置一般安裝在除塵器和脫硫塔的上游以滿足最佳催化溫度為350-400℃的要求。這種安裝方式會(huì)使得煙氣中含有大量的飛灰和SO2，造成催化劑活性的降低和使用壽命的縮短，且增加了現(xiàn)有鍋爐脫硝改造的難度。有的煙氣脫硝SCR裝置也安裝在除塵器之后，但需要安裝煙氣再熱系統(tǒng)才能滿足反應(yīng)溫度的要求，這樣就帶來能耗增加，從而影響經(jīng)濟(jì)性。因此，研究低溫SCR脫硝技術(shù)，保證其在250℃甚至更低的溫度下運(yùn)行，使得SCR反應(yīng)器可以安裝在電除塵和脫硫塔之后，具有重要意義。迄今為止，我們的實(shí)驗(yàn)研究已經(jīng)獲得重要進(jìn)展，即獲得了在150～250℃之間脫硝效率超過80%的催化劑，其脫硝效率和傳統(tǒng)脫硝方式相當(dāng)，但溫度卻大大降低，應(yīng)用前景非常廣闊 。二、 項(xiàng)目技術(shù)成熟程度已完成低溫SCR脫硝催化劑的性能實(shí)驗(yàn)工作。三、 技術(shù)指標(biāo)在150～250℃之間，催化劑的脫硝效率超過80%。四、 市場前景在鍋爐等燃燒設(shè)備需要脫硝的地方都可以應(yīng)用，市場前景廣闊。五、 規(guī)模與投資需求投資規(guī)模1000萬元，廠房及設(shè)備設(shè)施需求等。六、 生產(chǎn)設(shè)備溶解池、干燥爐、金屬切割、焊接等。七、 效益分析按每年生產(chǎn)2000噸計(jì)算，可獲利約2000-3000萬。八、 合作方式技術(shù)入股，技術(shù)轉(zhuǎn)讓等形式。九、 項(xiàng)目具體聯(lián)系人及聯(lián)系方式項(xiàng)目負(fù)責(zé)人和聯(lián)系人：茍湘，電話：13652167898，郵箱：[email protected] 。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

衛(wèi)星在軌運(yùn)行和返回過程中需經(jīng)歷極端高低溫環(huán)境，構(gòu)件尺寸的穩(wěn)定是保證衛(wèi)星在軌高精度、返回高安全、任務(wù)高可靠的關(guān)鍵。針對衛(wèi)星搭載的某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配極易導(dǎo)致的載荷在軌及返回過程中載荷接收精度不穩(wěn)定、信息傳輸不連續(xù)等問題。我校陳駿教授團(tuán)隊(duì)以原創(chuàng)的負(fù)熱膨脹技術(shù)研發(fā)了具有輕質(zhì)、熱膨脹系數(shù)低、力學(xué)性能優(yōu)異、尺寸穩(wěn)定性好的高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料，并研制了系列關(guān)鍵連接內(nèi)置件、環(huán)件等高性能低膨脹構(gòu)件，首次將負(fù)熱膨脹技術(shù)應(yīng)用到我國的衛(wèi)星上，填補(bǔ)了高性能低膨脹金屬構(gòu)件在工程應(yīng)用領(lǐng)域的空白。該技術(shù)使得某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體之間熱膨脹匹配性增強(qiáng)、界面應(yīng)力大幅度減小，保證了衛(wèi)星在軌與返回過程中信號高精度傳輸與接收，助力衛(wèi)星成功返回。 圖1 實(shí)踐十九號衛(wèi)星成功返回（圖片來源國家航天局） 圖2 高性能低膨脹鋁基復(fù)合材料及構(gòu)件應(yīng)用于全球首顆可重復(fù)使用返回式技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星（圖片來源央視新聞?lì)l道）

還原劑是SCR煙氣脫硝必不可少的重要原料。位于大中城市及其近郊區(qū)的電廠（人口稠密區(qū)的脫硝設(shè)施）因安全性要求較高，均宜選用尿素作為還原劑。通過理論研究、實(shí)驗(yàn)室小型實(shí)驗(yàn)、中試、工業(yè)示范，開發(fā)成功SCR脫硝尿素催化熱解技術(shù)。（1）提出了尿素催化熱解反應(yīng)的合理溫度區(qū)間；（2）研發(fā)出新型尿素?zé)峤鉅t；（3）開發(fā)出物料及能量平衡計(jì)算軟件包。該成果獲北京市科技成果二等獎(jiǎng)。

還原劑是SCR煙氣脫硝必不可少的重要原料。位于大中城市及其近郊區(qū)的電廠（人口稠密區(qū)的脫硝設(shè)施）因安全性要求較高，均宜選用尿素作為還原劑。通過理論研究、實(shí)驗(yàn)室小型實(shí)驗(yàn)、中試、工業(yè)示范，開發(fā)成功SCR脫硝尿素催化熱解技術(shù)。（1）提出了尿素催化熱解反應(yīng)的合理溫度區(qū)間；（2）研發(fā)出新型尿素?zé)峤鉅t；（3）開發(fā)出物料及能量平衡計(jì)算軟件包。

還原劑是SCR煙氣脫硝必不可少的重要原料。位于大中城市及其近郊區(qū)的電廠（人口稠密區(qū)的脫硝設(shè)施）因安全性要求較高，均宜選用尿素作為還原劑。通過理論研究、實(shí)驗(yàn)室小型實(shí)驗(yàn)、中試、工業(yè)示范，開發(fā)成功SCR脫硝尿素催化熱解技術(shù)。 （1）提出了尿素催化熱解反應(yīng)的合理溫度區(qū)間； （2）研發(fā)出新型尿素?zé)峤鉅t； （3）開發(fā)出物料及能量平衡計(jì)算軟件包。