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低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法

2021-04-14 00:00:00
云上高博會 http://www.a00n.com
關鍵詞: VDMOS 器件
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所屬領域:
其它領域
項目成果/簡介:

本發明公開了一種低導通電阻 VDMOS 器件及制備方法,在傳統的 VDMOS 器件結構中引入一塊與

源區摻雜雜質相同的摻雜區。該摻雜區位于柵氧層正下方且與基區和柵氧層緊密接觸。相應地,新摻雜

區上方的柵極采用中空結構。本發明 VDMOS 器件可有效降低溝道導通電阻和頸區電阻,從而降低

VDMOS 器件的導通電阻;同時,采用中空結構的柵極既可避免新摻雜區對擊穿電壓的影響,也可降低

柵極與漏極間結電容,提高 VDMOS 的開關速度。本發明方法工藝簡

項目階段:
未應用
知識產權編號:
201410745311.0
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