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氧化物抑制層輔助二維MoX2 (X=S, Se, Te)單層的可控生長
高質(zhì)量鉬系硫族化合物單層材料的CVD生長一直受限于難以控制的化學(xué)動力學(xué)條件，其中最為重要的是對于Mo蒸汽釋放的合理調(diào)控。近日，課題組在傳統(tǒng)的MoO 3
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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納米銀包裹二氧化硅納微米球?qū)щ姺勰┘捌渲苽浞椒ê蛻?yīng)用
本發(fā)明公開了一種納米銀包裹二氧化硅納微米球?qū)щ姺勰┘捌渲苽浞椒ê蛻?yīng)用。采用二氧化硅納微米球表面預(yù)處理法，通過―晶核-生長‖理論控制納米銀顆粒在二氧化硅納微米球表面的沉積:先將二氧化硅納微米球在 SnCl2·2H2O/CF3COOH 溶液中進(jìn)行表面處理;然后將處理后的 SiO2 納微米球分散在乙醇中，倒入新配制的硝酸銀和三乙醇胺的絡(luò)合溶液中;最后，加入甲醛水溶液進(jìn)行還原。所用的二氧化硅納微米球，粒徑大小在 0.
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯(lián)合
東南大學(xué)
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型
東南大學(xué)
2021-04-14
一種激光打印機(jī)高質(zhì)量文字輸出的二位半色調(diào)方法
本發(fā)明公開了一種激光打印機(jī)高質(zhì)量文字輸出的二位半色調(diào)方法，以用戶輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調(diào)幅閾值矩陣做第一次對比，生成只有兩種曝光狀態(tài)的半色調(diào)文件。第二次對比前先取特 征邊緣點，然后待打印文件相應(yīng)位置的灰度值與灰度等級的中值做第二次對比，生成四種曝光狀態(tài)的半 色調(diào)文件。最后根據(jù)半色調(diào)文件控制半曝光激光打印機(jī)進(jìn)行輸出。本發(fā)明有效地改善在輸出時文字邊緣 的顯示效果，二位半色調(diào)方法調(diào)整效果顯著。
武漢大學(xué)
2021-04-14
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二氧化硅中空微球的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)與結(jié)構(gòu)調(diào)控關(guān)鍵技術(shù)
本團(tuán)隊采用新型結(jié)構(gòu)導(dǎo)向技術(shù)來實現(xiàn)亞微米和納米二氧化硅中空微球的溶膠凝膠法和沉淀法高濃度制備，能夠滿足大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的需要，并能對其納米殼層結(jié)構(gòu)進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)控，為相關(guān)功能材料的性能設(shè)計提供合成技術(shù)基礎(chǔ)。現(xiàn)有二氧化硅中空微球制備技術(shù)的投資成本高、設(shè)備生產(chǎn)率低、控制難度大，無法在工業(yè)規(guī)模上對其特有的納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)控，嚴(yán)重限制了中空微球在高端產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。本團(tuán)隊基于全新的中空結(jié)構(gòu)導(dǎo)向技術(shù)，在間歇反應(yīng)釜中通過溶膠凝膠法和沉淀法實現(xiàn)中空微球的高密度、大批量生產(chǎn)，具有設(shè)備生產(chǎn)率高、微球結(jié)構(gòu)規(guī)整、壁厚可控、容易復(fù)合改性等優(yōu)點，突破了中空微球規(guī)模化生產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。通過改變導(dǎo)向劑分子結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝微調(diào)，可在 50-400 納米范圍內(nèi)對中空微球的壁厚進(jìn)行精準(zhǔn)調(diào)控，使其對不同波長的光信號產(chǎn)生各種響應(yīng)，并能通過控制中空和多孔結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)比表面積、導(dǎo)熱系數(shù)、阻尼特征、機(jī)械強(qiáng)度等性能，滿足不同功能材料領(lǐng)域的要求。該技術(shù)還可以實現(xiàn)脂溶性物質(zhì)或納米顆粒與二氧化硅的復(fù)合，制備出具有功能多樣性的復(fù)合中空微球， 如將氧化錫銻（ATO）與二氧化硅中空微球復(fù)合，可制備兼具紫外光、可見光、近紅外反射和隔熱功能的復(fù)合中空微球保溫填料。
華南理工大學(xué)
2023-05-09
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廣元市第七屆教育科研優(yōu)秀成果二等獎
獲廣元市第七屆教育科研優(yōu)秀成果《廣元市地震災(zāi)區(qū)教師信息技術(shù)能力現(xiàn)狀調(diào)查與分析》二等獎。
川北幼兒師范高等專科學(xué)校
2015-01-14
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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在二維材料固態(tài)自旋色心研究中取得新進(jìn)展
我校郭光燦院士團(tuán)隊在二維范德瓦爾斯材料固態(tài)自旋色心領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該團(tuán)隊李傳鋒、唐建順研究組與匈牙利魏格納物理研究中心AdamGali教授等人合作，實驗研究并理論解釋了六方氮化硼（hexagonalboronnitride，hBN）中帶負(fù)電硼空位（VB-）色心受磁場調(diào)制的自旋相干動力學(xué)行為，揭示了hBN中VB-色心電子自旋與核自旋之間的相干耦合和弛豫機(jī)制，對發(fā)展基于二維范德瓦爾斯材料的相干自旋系統(tǒng)及低維量子器件具有重要意義。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-10-17
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一種提高二氧化鈦光激發(fā)氣敏性能的方法及裝置
本發(fā)明公開了一種提高二氧化鈦光激發(fā)氣敏性能的方法及裝置， 該方法是在光氣敏傳感器工作過程中，通過對材料薄膜進(jìn)行加熱調(diào)控 （50℃-70℃），使氣敏材料表面物理吸附水減少，從而對環(huán)境濕度不 敏感；其次，表面保留的化學(xué)吸附水在紫外光照下產(chǎn)生的自由羥基， 以及由低溫加熱下產(chǎn)生少量熱激發(fā)誘導(dǎo)的光、熱聯(lián)合激發(fā)的協(xié)同效應(yīng)， 可大幅度提高其響應(yīng)恢復(fù)速度。裝置包括材料基片、光激發(fā)源、光激 發(fā)控制模塊、溫度控制模塊、信號調(diào)理模塊、計算
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種帶有硫化鋁外殼的二硫化鉬納米粉末材料及其制備方法
（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12