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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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電子材料及器件低頻噪聲-可靠性測(cè)試平臺(tái)
電子材料及器件噪聲-可靠性測(cè)試平臺(tái)，該系統(tǒng)是國(guó)內(nèi)外首套電子器件噪聲-可靠性分析系統(tǒng)。采用了基于虛擬儀器的微弱噪聲測(cè)試、基于噪聲的可靠性診斷方法、電子器件噪聲的子波分析方法等關(guān)鍵技術(shù)，將子波分析用于噪聲-可靠性表征，可對(duì)各種電子器件和集成電路模塊進(jìn)行噪聲測(cè)試與分析、內(nèi)部潛在缺陷診斷和無(wú)損預(yù)篩選。系統(tǒng)可以測(cè)量電子器件的各種噪聲參數(shù)，同時(shí)對(duì)噪聲進(jìn)行頻譜分析、子波分析、集總參數(shù)分析。具有實(shí)時(shí)檢測(cè)、采集、和分析, 高精度、高可靠性、智能化、小體積的優(yōu)點(diǎn)，良好的通用性和可升級(jí)性使其同時(shí)適用于科研和生產(chǎn)單位。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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新型氣敏材料及MEMS氣敏器件的研究
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮團(tuán)隊(duì)首次結(jié)合硬模板法、原子層沉積技術(shù)和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線的多級(jí)異質(zhì)復(fù)合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對(duì)濃度低至1 ppm的硫化氫實(shí)
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項(xiàng)目主要研究和開(kāi)發(fā)高遷移率透明氧化物半導(dǎo)體薄膜，重點(diǎn)研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導(dǎo)體薄膜;篩選合適的介質(zhì)層材料，研 究和制備優(yōu)質(zhì)致密的透明介質(zhì)層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導(dǎo)電氧化物電極、透明氧化物半導(dǎo)體溝道層和透明介 質(zhì)層構(gòu)成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術(shù)對(duì) I-V 特
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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鎢酸鎘閃爍單晶材料的制備技術(shù)與器件應(yīng)用
寧波大學(xué)晶體材料實(shí)驗(yàn)室在國(guó)際上首次成功開(kāi)發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長(zhǎng)技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。
一、項(xiàng)目分類
關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、成果簡(jiǎn)介
閃爍單晶是廣泛應(yīng)用于高能射線探測(cè)成像技術(shù)的光學(xué)功能材料。寧波大學(xué)晶體材料實(shí)驗(yàn)室在國(guó)際上首次成功開(kāi)發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長(zhǎng)技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。近年來(lái)所制備閃爍單晶性能完全達(dá)到射線探測(cè)器制造所要求實(shí)用化指標(biāo)，CWO閃爍單晶材料可廣泛應(yīng)用于安檢設(shè)備、集裝箱檢查系統(tǒng)、CT診療儀等技術(shù)領(lǐng)域。迄今已經(jīng)形成單晶原坯、多規(guī)格晶片和單晶陣列的批量生產(chǎn)能力，相關(guān)材料產(chǎn)品已銷往國(guó)內(nèi)外相關(guān)射線探測(cè)成像設(shè)備制造廠商。
寧波大學(xué)
2022-08-16
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柔性儲(chǔ)能器件及傳感器件
利于層狀納米材料比表面積大的特點(diǎn)，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級(jí)電容器，及葡萄糖傳感器。超級(jí)電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點(diǎn)亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國(guó)際先進(jìn)水平，成果先后發(fā)表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重慶大學(xué)
2021-04-11
基于新材料的新型真空電子器件的基礎(chǔ)研究
本項(xiàng)目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場(chǎng)發(fā)射特性以及它們?cè)诟咝省⒏吖β屎透哳l率的真空電子器件中的應(yīng)用。相關(guān)SCI論文共計(jì)153篇，SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)中的他引次數(shù)為1058次，代表性論文被《自然-納米技術(shù)》、《物理評(píng)論快報(bào)》、《先進(jìn)材料》等國(guó)際頂級(jí)期刊上發(fā)表的SCI論文他引157次。這些學(xué)術(shù)成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學(xué)問(wèn)題，在國(guó)際真空電子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生了重大的影響。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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磁流變?cè)?em>器件
磁流變液是一種機(jī)敏材料，在外加磁場(chǎng)的作用下，液體的粘度發(fā)生很大的變化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且連續(xù)可控。運(yùn)用磁流液可以制作磁流變剎車、離合器、減振器和阻尼器等高科技磁液變?cè)骷鼈兛梢杂糜谲囕v懸掛系統(tǒng)，土木工程結(jié)構(gòu)抗震、減振及大型能量動(dòng)力設(shè)備的基礎(chǔ)隔振等方面。此外磁流變阻尼器還可用于制成無(wú)級(jí)可調(diào)式健身器材。我們針對(duì)磁流變減振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大學(xué)
2021-01-12
科學(xué)院大學(xué).jpg){kind=logo}
新型FinFET?器件工藝
已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規(guī)FinFET 漏電降低1 個(gè)數(shù)量級(jí)，驅(qū)動(dòng)電流增大2 倍，驅(qū)動(dòng)性能在低電源電壓下達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。由于替代了傳統(tǒng)的源漏SiGe 外延技術(shù)，與極小pitch 的大規(guī)模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術(shù)價(jià)值。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
光學(xué)微腔器件
成果創(chuàng)新點(diǎn) 1.在光學(xué)微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測(cè)方面，分別提出了先進(jìn) 而完善的實(shí)施方案，并申請(qǐng)了相關(guān)發(fā)明專利。現(xiàn)有晶體微 腔 Q 值國(guó)內(nèi)最高水平 106，國(guó)外達(dá)到 109，本項(xiàng)目可優(yōu)于 108， 從而達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)水平。 2.在光學(xué)微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線寬激光 器（精密測(cè)量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激 光技術(shù)
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
光學(xué)微腔器件
1.在光學(xué)微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測(cè)方面，分別提出了先進(jìn)而完善的實(shí)施方案，并申請(qǐng)了相關(guān)發(fā)明專利。現(xiàn)有晶體微腔 Q 值國(guó)內(nèi)最高水平 106，國(guó)外達(dá)到 109，本項(xiàng)目可優(yōu)于 108，從而達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)水平。
2.在光學(xué)微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線寬激光器（精密測(cè)量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激光技術(shù)）等小型化器件的技術(shù)原理和實(shí)現(xiàn)方案。與常規(guī)產(chǎn)品相比，體積可縮小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2個(gè)量級(jí)，成本可下降 80%。成果可實(shí)現(xiàn)的光學(xué)微腔器件主要指標(biāo)：研制出光學(xué)晶體微腔，Q 值優(yōu)于 108，根據(jù)用戶要求研制小型化應(yīng)用模塊。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2023-05-17