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產(chǎn)品詳細(xì)介紹標(biāo)準(zhǔn)配置： LR-4A量熱儀主機(jī)、冷卻器、聯(lián)想電腦、打印機(jī)、充氧儀、氧彈 適用范圍及標(biāo)準(zhǔn)： LR-4A量熱儀采用并符GB/T213-2003《煤的發(fā)熱量測(cè)定方法》的要求，該量熱儀適用于煤炭、焦炭、石油及水泥黑生料等可燃物質(zhì)的熱值 技術(shù)參數(shù)：     測(cè)溫范圍：0℃~65℃                             測(cè)溫分辨率：0.001℃     樣品量：0.5g~1.5g                             自動(dòng)調(diào)節(jié)內(nèi)外桶水溫     發(fā)熱量測(cè)試精度：優(yōu)于0.2％（苯甲酸）     電源：AC220V±10％,50Hz     自動(dòng)定量水，定量誤差：≤±1g               功率：200W 主要特點(diǎn)：1.LR-4A量熱儀系統(tǒng)運(yùn)行于WindowsXP及以上系統(tǒng)，界面友好，易學(xué)易用。2.LR-4A量熱儀采用先進(jìn)的電子制冷工藝，完全不受環(huán)境溫度變化的影響，確保儀器內(nèi)外筒溫差符合國標(biāo)要求?？蛇B續(xù)長時(shí)間工作。3.LR-4A量熱儀自動(dòng)注水、排水、自動(dòng)調(diào)水溫，自動(dòng)完成測(cè)試全過程并打印測(cè)試結(jié)果 4.LR-4A量熱儀可作為單筒量熱儀使用，亦可對(duì)兩套量熱彈筒進(jìn)行異步操作。在進(jìn)行雙筒測(cè)控時(shí)，兩套量熱彈筒互不干擾，可隨時(shí)進(jìn)行其中一臺(tái)量熱儀的操作 

縱橫公路工程算量軟件通過自動(dòng)讀取Excel格式的工程數(shù)量表，能實(shí)現(xiàn)定額工程量、清單工程數(shù)量的自動(dòng)統(tǒng)計(jì)。讓造價(jià)人員專注于造價(jià)分析，而不是算工程量。 在項(xiàng)目前期階段，能快速形成造價(jià)文件的項(xiàng)目表、定額結(jié)構(gòu)，一步完成「量」的采集、「價(jià)」的預(yù)配。由此，即可便于用經(jīng)驗(yàn)法判斷設(shè)計(jì)數(shù)量的合理性；快速地初步分析設(shè)計(jì)方案的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性。 在項(xiàng)目招標(biāo)與實(shí)施階段，軟件能快速統(tǒng)計(jì)工程量清單、建立分部分項(xiàng)工程計(jì)量臺(tái)賬，節(jié)約施工圖復(fù)核的周期，加快推進(jìn)項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度。軟件生成的計(jì)量臺(tái)賬，作為項(xiàng)目業(yè)主施工圖復(fù)核的結(jié)果，據(jù)此與施工企業(yè)施工圖復(fù)核結(jié)果對(duì)照檢查，確保公平。

本發(fā)明公開了一種自乳化阿霉素納米藥物，是由阿霉素上8-羥乙?；聂驶ㄟ^體內(nèi)可降解的化學(xué)鍵與親水基團(tuán)連接而成的；該藥物前體通過將親水性小分子基團(tuán)或親水性聚合物短鏈量引入到疏水的DOX分子上使其成為親水-疏水型分子，在水中能自組裝納米大小的顆?；蚰遗?，可利用EPR效應(yīng)靶向腫瘤組織，具有載藥量高、毒副作用小、保留了阿霉素本身的高細(xì)胞毒性的特點(diǎn)。本發(fā)明還公開了一種自乳化阿霉素納米藥物的制備方法，載藥量高，產(chǎn)率高，適于工業(yè)化生產(chǎn)。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 針對(duì)三葉菜收獲依靠人工刀割，勞動(dòng)強(qiáng)度大、工作效率低、生產(chǎn)成本高，本成果研 制適用于秧草葉菜類蔬菜收獲機(jī)械。主要由行走裝置、雙動(dòng)刀切割裝置、氣流收集裝置 等。實(shí)現(xiàn)了秧草收割機(jī)械化，打破了傳統(tǒng)農(nóng)藝，大大提高了工作效率，本成果屬國內(nèi)領(lǐng) 先。

本發(fā)明屬于高壓水射流領(lǐng)域，尤其涉及一種通過自激振蕩形成自吸磨料或空氣的多功能自振周期偏擺脈沖射流發(fā)生器。主要由上噴嘴、調(diào)節(jié)環(huán)、滾動(dòng)軸承、擋板、轉(zhuǎn)子、磨料輸送管、外殼、振蕩腔體、下噴嘴、高壓空氣輸送管組成;所述上噴嘴通過螺紋與調(diào)節(jié)環(huán)相連;所述調(diào)節(jié)環(huán)、擋板、

本發(fā)明公開了一種抑制激光探針自吸收效應(yīng)的方法，該方法采 用脈沖激光對(duì)待測(cè)樣品進(jìn)行燒蝕以產(chǎn)生等離子體，再利用與等離子體 中基態(tài)粒子受激吸收躍遷到高能態(tài)能級(jí)相匹配的激光束對(duì)等離子體進(jìn) 行選擇性激發(fā)，提高對(duì)基態(tài)粒子的受激吸收躍遷效率，避開對(duì)等離子 體中心待測(cè)元素發(fā)射光譜的自吸收，以避免待測(cè)元素激光等離子體自 吸收效應(yīng)的產(chǎn)生。本發(fā)明從等離子體的本征物理特性出發(fā)去消除自吸 收效應(yīng)，同時(shí)又不引入外來干擾，這樣不僅可以獲得等離子體

本發(fā)明公開了一種基于爆炸自毀作用的加卸載裝置，包括高強(qiáng)混凝土柱、金屬圓盤、起爆孔管、內(nèi) 殼、凹槽；內(nèi)殼為圓柱體型空殼、其內(nèi)空腔作為裝藥藥室；內(nèi)殼上頂面固定設(shè)置有金屬圓盤、并與金屬 圓盤一起封裝在高強(qiáng)混凝土柱內(nèi)、下底面通過起爆孔管與外界連通；高強(qiáng)混凝土柱下底面沿下底面半徑 方向設(shè)置有與起爆孔管連通的凹槽；普通乳化炸藥通過起爆孔管注入裝藥藥室內(nèi)，電雷管通過起爆孔管 置入裝藥藥室內(nèi)，使電雷管前端與乳化炸藥相接觸，并把電雷管腳線通過凹槽引出。本發(fā)明可以

過使用金屬元素錸摻雜的方式，成功優(yōu)化了樣品的電學(xué)性能。團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，適量的錸元素?fù)诫s能夠調(diào)控Sb2Te3(GeTe)12的載流子濃度以提高其功率因子。同時(shí)，團(tuán)隊(duì)運(yùn)用球差矯正透射電子顯微鏡清楚地捕捉到了樣品中的二維缺陷以及鍺析出物在摻雜前后的尺寸變化，大量文獻(xiàn)表明，材料內(nèi)部的這些缺陷會(huì)強(qiáng)烈的散射聲子，進(jìn)一步降低材料的晶格熱導(dǎo)率。該工作使得Sb2Te3(GeTe)12基熱電材料的總體熱電性能得到大幅優(yōu)化，在773 K溫度下的熱電優(yōu)值達(dá)到了2.25，晶格熱導(dǎo)

成果描述：本發(fā)明公開了一種柴油機(jī)微粒捕集器DPF碳累積量估計(jì)方法，通過壓差傳感器測(cè)得DPF前后總壓力差，根據(jù)DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據(jù)灰分質(zhì)量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產(chǎn)生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產(chǎn)生的流阻即可得到積碳所產(chǎn)生的流阻，根據(jù)積碳產(chǎn)生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質(zhì)量通過廢氣質(zhì)量流量和發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速經(jīng)過積分計(jì)算得到。本發(fā)明提出了碳積累量增量估計(jì)方法，可以基于當(dāng)前總流阻、當(dāng)前灰分質(zhì)量和當(dāng)前廢氣體積流量計(jì)算出碳積累量的增量，然后得到當(dāng)前的碳積累量。本發(fā)明方法得到的DPF碳累積量估計(jì)精度更高，而且避免了使用現(xiàn)有估計(jì)方法中物理意義不明確的參數(shù)，估計(jì)過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時(shí)機(jī)的準(zhǔn)確性。市場(chǎng)前景分析：內(nèi)燃機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。與同類成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：技術(shù)先進(jìn)，性價(jià)比較高。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。