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低粗糙度低方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜及其制備方法
本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜，該薄膜為三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構(gòu)成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上的透明導(dǎo)電層，該柔性透明 導(dǎo)電復(fù)合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見(jiàn)光范圍內(nèi)保持高于 80％的透光率，該透明導(dǎo)電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開(kāi)了該
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體材料 與器件制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問(wèn)題，以實(shí)現(xiàn)禁帶寬度和能帶位置的連續(xù)可調(diào)，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料。本發(fā)明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發(fā)源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發(fā)源，通過(guò)近空間升華法在襯底
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡(jiǎn)單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種制備高臨界電流密度釔鋇銅氧超導(dǎo)薄膜的方法
本新技術(shù)成果（ZL200910058055.7）于2012年3月21日授權(quán)。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
密封真空光纖饋通法蘭真空室導(dǎo)光半導(dǎo)體和薄膜處理應(yīng)用
北京錦正茂科技有限公司
2022-01-25
PT100鉑電阻溫度傳感器低溫測(cè)量薄膜型鉑熱電阻
北京錦正茂科技有限公司
2022-02-10
PT100鉑熱電阻低溫溫度計(jì)薄膜型溫度傳感器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-05
一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的系統(tǒng)及其方法，所述系統(tǒng)沿著薄膜輸送方向依次包括開(kāi)卷裝置、第一檢測(cè)裝置、上料裝置、壓合裝置、第二檢測(cè)裝置、裁切裝置、第三檢測(cè)裝置、下料裝置以及收卷裝置。其中開(kāi)卷和收卷裝置分別用于將薄膜展開(kāi)和纏繞收卷，上料和壓合裝置分別用于真空吸附片材和將片材在薄膜上疊合，裁切裝置用于對(duì)復(fù)合疊層執(zhí)行斷點(diǎn)切斷，第一、第二和第三檢測(cè)裝置用于檢測(cè)柔性薄膜的輸送、疊合對(duì)位和裁切效果予以檢測(cè)和反饋，下料裝置用于對(duì)復(fù)合疊層執(zhí)行下料及分類處理。通過(guò)本發(fā)明，能夠保證薄膜的穩(wěn)定輸送及其與片材之間的精確定位，防止片材出現(xiàn)彎曲和脆裂現(xiàn)象，而且便于對(duì)復(fù)合疊層進(jìn)行裁切和分類處理。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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東南大學(xué)生物科學(xué)與醫(yī)學(xué)工程學(xué)院激光共聚焦顯微鏡項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告
生物科學(xué)與醫(yī)學(xué)工程學(xué)院激光共聚焦顯微鏡招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在南京市建鄴區(qū)西城路300號(hào)君泰國(guó)際大廈C座3樓新華招標(biāo)有限公司獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月04日14點(diǎn)00分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。
東南大學(xué)
2022-06-14
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摻鋁氧化鋅薄膜的退火真空度和氬離子濺射清洗工藝控制
摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無(wú)毒環(huán)保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡(jiǎn)單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優(yōu)點(diǎn)，而后續(xù)處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵。為此我們研究 105 到 10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)：電阻率的降低集中在相對(duì)狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa 到 10 Pa 之間，電阻率陡降了 2 個(gè)數(shù)量級(jí)。電阻率在 10 Pa 退火時(shí)達(dá)到最小值，繼續(xù)提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續(xù)降低。這一研究結(jié)果不僅澄清了以往對(duì)溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續(xù)工藝處理的模糊認(rèn)識(shí)，而且對(duì)實(shí)際生產(chǎn)工藝具有重要的指導(dǎo)意義，例如以此為根據(jù)，選擇合適的真空度退火，達(dá)到既滿足產(chǎn)品的性能指標(biāo)，又能節(jié)能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS 的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+ 對(duì) Zn2+ 離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用 Ar+ 離子對(duì)退火后的樣品進(jìn)行反濺射清洗，能進(jìn)一步提高電導(dǎo)率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結(jié)構(gòu)，能將入射太陽(yáng)光分散到各個(gè)角度。用作太陽(yáng)能電池電極時(shí)，能有效增強(qiáng)太陽(yáng)能電池內(nèi)的光吸收材料對(duì)入射太陽(yáng)光的捕獲，提高光能利用率。
遼寧大學(xué)
2021-04-11