一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法,屬于半導(dǎo)體材料
與器件制備領(lǐng)域,解決現(xiàn)有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置
固定的問(wèn)題,以實(shí)現(xiàn)禁帶寬度和能帶位置的連續(xù)可調(diào),得到禁帶寬度
和能帶位置更加合適的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料。本發(fā)明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合
金薄膜,由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發(fā)源或者 Sb2Se3 粉末和
Sb2S3 粉末作為蒸發(fā)源,通過(guò)近空間升華法在襯底
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