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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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薄膜電致電光器件的大平面制備方法
薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)儀表顯示、車(chē)站、機(jī)場(chǎng)、銀行、證券交易市場(chǎng)、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會(huì)場(chǎng)、廣場(chǎng)高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點(diǎn)為全固體化、亮度高、壽命長(zhǎng)、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡(jiǎn)單較之國(guó)內(nèi)外同類(lèi)產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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千萬(wàn)門(mén)級(jí)抗輻照 、軍用級(jí) FPGA 芯片器件
現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(Field-Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)是半導(dǎo) 體集成電路領(lǐng)域的一類(lèi)通用核心器件，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有著廣 泛的應(yīng)用。美國(guó)廠商壟斷了全球幾乎所有的 FPGA 芯片市場(chǎng)，而我國(guó) 的航空航天技術(shù)和國(guó)防工業(yè)對(duì) FPGA 芯片有超大量的需求和嚴(yán)重的 依賴(lài)，高端 FPGA 技術(shù)和芯片產(chǎn)品被美國(guó)等列為對(duì)華出口的嚴(yán)格限制 清單中，嚴(yán)重制約了航空航天技術(shù)和國(guó)防工業(yè)發(fā)展。針對(duì)上述問(wèn)題， 項(xiàng)目組通過(guò)自主創(chuàng)新研制
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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EMI多層片式LC濾波器材料和器件
內(nèi)容介紹： 本項(xiàng)目通過(guò)通過(guò)研究EMI多層片式LC濾波器的制造技術(shù)，攻克了材料 的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)、器件的獨(dú)石化流延工藝技術(shù)、異種材料的疊層共燒技術(shù) 和多層片式LC濾波器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)難題，釆用先進(jìn) 的流延成型工藝技術(shù)制備出尺寸為2Xl.2X0.8mm （0805規(guī)格）的EMI多 層片式LC濾波器，電學(xué)參數(shù)測(cè)試結(jié)果表明其各項(xiàng)性能參數(shù)與國(guó)外同類(lèi)產(chǎn) 品相當(dāng)，關(guān)鍵技術(shù)獲得國(guó)家專(zhuān)利3項(xiàng)，并榮獲陜西省科
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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大尺寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及器件
本技術(shù)涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實(shí)現(xiàn)材料、裝備、器件協(xié)同發(fā)展。主要針對(duì)8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進(jìn)行開(kāi)發(fā)研究，該技術(shù)屬于我國(guó)“卡脖子”技術(shù)，目前國(guó)際市場(chǎng)空白。在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)方面，開(kāi)發(fā)了大尺寸智能單晶生長(zhǎng)設(shè)備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)模擬仿真設(shè)計(jì)、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)工藝開(kāi)發(fā)、生長(zhǎng)-檢測(cè)-分析-控制人工智能系統(tǒng)。采用離子束切片鍵合技術(shù)制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統(tǒng)的薄膜制備方法無(wú)法制備單晶鈮酸鋰薄膜
山東大學(xué)
2021-04-14
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光纖柵陣列傳感器件及檢測(cè)技術(shù)
本項(xiàng)目的創(chuàng)新點(diǎn)主要是采用環(huán)形鏡解調(diào)和GSM數(shù)字移動(dòng)網(wǎng)傳輸信號(hào)的技術(shù)。具有響應(yīng)速度快、調(diào)諧范圍寬、可實(shí)時(shí)檢測(cè)、使用壽命長(zhǎng)、抗電磁干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，有重要實(shí)用意義。 光纖光柵傳感器陣列的每一個(gè)光柵反射率大于90%，線寬小于0.4nm，各光柵中心波長(zhǎng)間隔大于1nm。 研制出寬帶光源等實(shí)驗(yàn)裝置，寬帶光源輸出功率大于1mw，帶寬30nm；已成功應(yīng)用于光纖光柵傳感器陣列檢測(cè)實(shí)驗(yàn)。 研制出寬帶光源、高雙折射光纖環(huán)鏡濾波邊緣濾波解調(diào)系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)。 研制出快
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-14
華東師大殷東敏研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)嗅覺(jué)調(diào)控的外周靶點(diǎn)
近年來(lái)，科學(xué)家們對(duì)嗅覺(jué)調(diào)控相關(guān)神經(jīng)環(huán)路的研究取得了較大進(jìn)展，但對(duì)嗅覺(jué)調(diào)控的外周靶點(diǎn)還知之甚少。
華東師范大學(xué)
2022-03-10
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二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件、量子輸運(yùn)和可見(jiàn)光探測(cè)方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測(cè)器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見(jiàn)光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時(shí)具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處?kù)`敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動(dòng)態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測(cè)器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應(yīng)時(shí)間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。
北京大學(xué)
2021-04-11
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基于MEMS傳感器和VLC定位融合的單卡爾曼濾波導(dǎo)航裝置和方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于MEMS傳感器和VLC定位融合的單卡爾曼濾波導(dǎo)航裝置和方法，包括MEMS傳感器、INS模塊、VLC定位模塊、PDR定位模塊和測(cè)姿定位單卡爾曼濾波器模塊；本發(fā)明基于INS慣導(dǎo)機(jī)械編排的誤差方程作為融合濾波器的系統(tǒng)方程，觀測(cè)方程包括VLC定位信息更新、PDR定位信息更新和磁力計(jì)觀測(cè)量更新。融合濾波器輸出VLC接收器的姿態(tài)給VLC定位模塊，輸出PDR設(shè)備的姿態(tài)給PDR定位模塊以校正姿態(tài)的影響。首次在VLC定位領(lǐng)域使用融合測(cè)姿準(zhǔn)確估計(jì)VLC接收器的姿態(tài)信息，主要解決了VLC定位容易受設(shè)備姿態(tài)影響以及在光信號(hào)被遮擋情況下定位不連續(xù)的問(wèn)題。
東南大學(xué)
2021-04-11
基于MEMS傳感器和VLC定位融合的雙卡爾曼濾波導(dǎo)航裝置和方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于MEMS傳感器和VLC定位融合的雙卡爾曼濾波導(dǎo)航裝置和方法，包括MEMS傳感器、INS模塊、PDR定位模塊、VLC定位模塊以及測(cè)姿定位雙卡爾曼濾波器；對(duì)于測(cè)姿濾波器，基于慣導(dǎo)機(jī)械編排的誤差方程作為系統(tǒng)方程，觀測(cè)方程包括加速度計(jì)觀測(cè)量更新和磁力計(jì)觀測(cè)量更新，輸出姿態(tài)信息給VLC定位模塊和PDR定位模塊以校正姿態(tài)的影響。對(duì)于定位濾波器，二維平面的位置信息作為系統(tǒng)狀態(tài)向量，基于行人航位推算的誤差方程作為系統(tǒng)方程，而VLC的定位結(jié)果為觀測(cè)方程。本發(fā)明的技術(shù)方案解決VLC定位容易受設(shè)備姿態(tài)影響以及在光信號(hào)被遮擋情況下定位不連續(xù)的問(wèn)題，消除姿態(tài)對(duì)VLC定位的影響。
東南大學(xué)
2021-04-11
單分子晶體管器件研究取得重要進(jìn)展
當(dāng)電子器件基本單元--晶體管的尺寸進(jìn)入到亞納米尺度，量子效應(yīng)將越來(lái)越顯著。探索極端尺度下的晶體管器件并研究其性能和物理機(jī)理，對(duì)未來(lái)信息技術(shù)以及介觀物理學(xué)的發(fā)展具有深刻的意義。
科技部
2021-04-19