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面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基固支梁可重構(gòu)SIW帶通濾波器
本發(fā)明公開了一種面向物聯(lián)網(wǎng)的硅基固支梁可重構(gòu)SIW帶通濾波器，包括SIW帶通濾波器、轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)(3)和MEMS固支梁結(jié)構(gòu)。SIW帶通濾波器包括相互級聯(lián)的SIW諧振腔(9)，相鄰的SIW諧振腔之間存在耦合窗口(14)，MEMS固支梁結(jié)構(gòu)設(shè)置于耦合窗口中。在一些特定的需要控制無源濾波器通帶中心頻率頻繁切換的電路中，本發(fā)明通過MEMS固支梁結(jié)構(gòu)很好的避免了需要依靠增加濾波器數(shù)量去控制電路的問題，并且MEMS固支梁結(jié)構(gòu)的閉合所需要的電壓較小也基本不會影響電路的正常工作，能夠有效地降低電路控制的功耗。MEMS固支梁(6)可以實(shí)現(xiàn)快速的DOWN態(tài)和UP態(tài)的轉(zhuǎn)換，可以有效地實(shí)現(xiàn)微波電路中對濾波器濾波范圍的控制。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種磷硅鎘單晶體的生長方法與生長容器
一種磷硅鎘單晶體的制備方法，以富磷CdSiP2多晶粉末為原料，工藝步驟為：（1）生長容器的清洗與干燥；（2）裝料；（3）將裝有生長原料并封結(jié)的雙層坩堝放入三溫區(qū)管式晶體生長爐，然后將生長爐的高溫區(qū)和低溫區(qū)以30~60℃/h的速率分別升溫至1150~1180℃、950~1050℃，并保持該溫度，繼后調(diào)節(jié)梯度區(qū)的溫度，使溫度梯度為10~20℃/cm，當(dāng)所述生長原料在高溫區(qū)保溫12~36h后，控制雙層坩堝以3~6mm/day勻速下降，當(dāng)雙層坩堝下降到低溫區(qū)并完成單晶生長后，使其停止下降，在低溫區(qū)保溫24~72h，保溫時(shí)間屆滿，將高溫區(qū)、梯度溫區(qū)、低溫區(qū)的溫度同時(shí)以20~60℃/h降至室溫。一種單晶體生長容器，由內(nèi)層坩堝和外層坩堝組成，內(nèi)層坩堝與外層坩堝之間的環(huán)形腔室內(nèi)加有調(diào)壓用CdSiP2多晶粉末。
四川大學(xué)
2021-04-11
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一種硅太陽電池表面等離子體增益的方法
本發(fā)明公開了一種硅太陽電池表面等離子體增益的方法，采用將金屬納米顆粒分散在醇溶劑中形成金屬納米顆粒膠體溶液，在硅太陽電池片迎光面上，絲網(wǎng)印刷或噴淋或旋涂金屬納米顆粒膠體溶液，烘烤使醇溶劑從電池片表面揮發(fā)完全，在保護(hù)氣體氛圍下進(jìn)行快速熱處理退火溫度，再進(jìn)行二次常規(guī)熱處理退火，實(shí)現(xiàn)硅太陽電池表面等離子體增益。本發(fā)明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特點(diǎn)，具有較大的應(yīng)用前景。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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表面包硅的近紅外熒光磁性納米粒子及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了表面包硅的近紅外熒光磁性納米復(fù)合粒子及其制備方法和應(yīng)用，屬于 納米技術(shù)與生物醫(yī)學(xué)的交叉領(lǐng)域。本發(fā)明是在微乳體系中，將磁性納米粒子與近紅外熒 光量子點(diǎn)納米粒子或近紅外熒光有機(jī)染料分子一起包埋到二氧化硅粒子中，形成表面包 硅的近紅外熒光磁性納米復(fù)合粒子，這種納米復(fù)合粒子中還可以結(jié)合抗癌藥物以及具有 靶向識別功能的抗體、配體、多肽、細(xì)胞因子等多種生物分子。本發(fā)明通過納米粒子的 磁學(xué)性質(zhì)、量子尺寸效應(yīng)、光的熱效應(yīng)以及抗癌藥物的藥效作用和生物分子的識別功能， 將制備的納米復(fù)合粒子用于腫瘤的治療中，在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
同濟(jì)大學(xué)
2021-04-13
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含硅固廢（尾礦）綠色制備納米孔道 ZSM-5 分子篩技術(shù)
本技術(shù)提出以無溶劑法合成ZSM-5分子篩，在分子篩合成過程中無溶劑參與，僅將初始原料研磨混勻后，轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜中進(jìn)行晶化反應(yīng)，從而簡化了合成工藝，實(shí)現(xiàn)ZSM-5分子篩低成本、高效、綠色合成。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應(yīng)的ＣＰＷ信號線終端的直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測；頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設(shè)置有一段移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和一個(gè)隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和一個(gè)電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應(yīng)的ＣＰＷ信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14