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本項目共包括10項授權(quán)專利，其中高品質(zhì)微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項專利技術(shù)，同時將這種單晶薄膜應用在微波器件/結(jié)構(gòu)、太赫茲結(jié)構(gòu)/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項專利技術(shù)。本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發(fā)明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。

本發(fā)明公開了一種釔鋁石榴石(YAG)納米粉體的制備方法，其特點是將R2O3，Y2O3，鋁為原料，按照化學組成(RxY1-x)3Al5O12稱取，配成鹽溶液，Al3+的濃度為0.01～0.07mol/L，其中X=0.01～0.05；將沉淀劑配成濃度為0.5～1.5mol/L的溶液，沉淀劑摩爾數(shù)為鹽溶液總摩爾數(shù)的8～12倍，鹽溶液與沉淀劑的體積比為0.625～6.25；然后，將上述鹽溶液和沉淀劑通過蠕動泵，用并流沉淀法以2～50mL/min的鹽溶液和以2～24mL/min沉淀劑均勻混合，得到沉淀物；沉淀物經(jīng)陳化，洗滌，干燥后過篩得到前驅(qū)體；前驅(qū)體在溫度900-1100℃煅燒得到摻釹釔鋁石榴石納米粉體。

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。

本項目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進性：為了實現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據(jù)晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內(nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關(guān)對材料磁光性能的驗證。 技術(shù)指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。

本項目共包括8項授權(quán)專利，另有20余項專利正處于公開階段。 項目主要創(chuàng)新點為：（1）提出了一種Bi+Lu共摻雜新配方，實現(xiàn)了在傳統(tǒng)GGG襯底上外延出具有大法拉第效應的BiLuIG石榴石單晶薄膜材料。 （2）提出了“緩沖法”技術(shù)，克服了無鉛液相外延工藝中熔體粘度偏高，薄膜均勻性差的難題，成功制備出3英寸的高質(zhì)量單晶BiLuIG薄膜材料，厚度可達20微米以上，其法拉第效應是含鉛工藝制備材料的10倍。項目總體達到國際先進水平，其中在Bi+Lu共摻雜材料設計和無鉛液相

棗莊嶧城數(shù)十萬余畝的冠世榴園，被譽為“中國古榴之鄉(xiāng)”，已載入天下吉尼斯大全。本地群眾向來有以榴葉煎茶以待高朋之美俗。據(jù)《圖經(jīng)本草》紀錄：“榴葉者，主治咽喉燥渴、止下痢漏精、止血之功效。”石榴茶因此石榴嫩葉為質(zhì)料，運用當代制茶工藝加工制作而成，含有十八種氨苦酸，含C、E、B2、P等多種維生素。榴葉茶具有解毒、掩護肝臟、防備血栓、壞血病及種種出血性疾病的作用，還具有降低血脂、血糖、軟化血管、加強心肌活氣，預防癌癥和動脈粥樣硬化，延緩生命朽邁之特別成果。榴芽茶是一種以石榴新苗為重要質(zhì)料研制而成的茶劑，具有生津止渴、收斂固澀、止瀉止血，對糖尿病人有一定的保健作用。 本項目合作的目的是利用廠家的現(xiàn)有資源和江蘇省藥用植物生物技術(shù)重點實驗室的技術(shù)，提升產(chǎn)品品質(zhì)，滿足消費者需求。項目合作單位：江蘇省藥用植物生物技術(shù)重點實驗室、棗莊康源石榴開發(fā)有限公司

目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們在國內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復性。利用磁控濺射技術(shù)成功實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點，具有綠色、高效、簡單等優(yōu)點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。

“一種化學浴沉積擇優(yōu)取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領(lǐng)域?，F(xiàn)有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.