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產(chǎn)品詳細介紹1.概述JM5840無線振動測試儀(http://www.yzjmtest.com/comp/2-JM5840.htm)又稱無線加速度傳感器。該無線振動測試儀內(nèi)置一個電容式三向加速度傳感器，可以測量一個點三個方向的振動。多個模塊可以組成無線振動測試網(wǎng)絡(luò)。該無線振動測試儀基于zigbee協(xié)議，低功耗設(shè)計，適合于長期監(jiān)測，廣泛應(yīng)用于橋梁、建筑物、飛機、船舶、車輛、起重機械等的振動測量和監(jiān)測。2.系統(tǒng)特點2.1 體積小巧，超低功耗2.2 支持在線、離線測試2.3 符合IEEE820.15.4/ZIGBEE通訊標準2.4 自組織、自恢復(fù)網(wǎng)絡(luò)2.5 內(nèi)置2M可擴充數(shù)據(jù)存儲器2.6 易用的離線測試文件管理功能2.7 全電子化、程控化設(shè)計2.8 直觀的工作狀態(tài)指示2.9 支持65535個測量節(jié)點2.10 內(nèi)置大容量可充電鋰電池2.11 內(nèi)建完全的充電功能2.12 標準的miniUSB充電接口2.13 即用的USB無線網(wǎng)關(guān)2.14 專業(yè)的無線配置及采集分析軟件3.系統(tǒng)組成3.1 USB無線網(wǎng)關(guān)3.2 JM5840無線加速度節(jié)點3.3 系統(tǒng)軟件4.主要性能指標4.1 通道數(shù)：3（X、Y、Z三向）4.2 工作電源：內(nèi)置可充電鋰離子電池4.3 電池容量：3.7V/1800mAH4.4 電池充電充電接口：miniUSB充電電壓：5V±0.25V充電電流：500mA、800mA可設(shè)置充電電源：計算機USB電源或?qū)Ｓ贸潆娺m配器可邊充電邊工作4.5 傳感器類型：內(nèi)置三向加速度傳感器4.6 量程：±2g、±6g可設(shè)置選擇4.7 頻率范圍：DC～600Hzmax（-3dB）4.8 橫向靈敏度比：<5%4.9 零點漂移：±0.8mgmax/°C4.10 非線性：±2%FSmax4.11 噪聲譜密度：50 μg/Hz-24.12 采集速率：最高1.5kHz多檔可設(shè)置4.13 AD位數(shù)：16bits4.14 采集方式：每通道獨立ADC并行同步采集4.15 內(nèi)置存儲器容量：2MB4.16 離線測試數(shù)據(jù)存儲形式：文件4.17 離線測試文件數(shù)：31max4.18 工作時間：約15h4.19 通訊協(xié)議：符合IEEE820.15.4/ZIGBEE通訊標準4.20 天線：外接揚州晶明科技有限公司揚州晶明測試技術(shù)有限公司地址: 江蘇揚州市維揚路25號公司主頁 http://www.yzjmtest.com公司郵箱 [email protected]電話     0514-87850416,87867922,82960507傳真     0514-82960507聯(lián)系人   唐先生手機     15952768463QQ       1225605447MSN      [email protected] 個人郵箱 [email protected] 或 [email protected] 

本技術(shù)可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學催化、超導(dǎo)、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術(shù)可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量優(yōu)于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現(xiàn)性好是本技術(shù)的優(yōu)勢。

南開大學 1978 年在國內(nèi)率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4個五年國家科技攻關(guān)計劃，獲科技部重點攻關(guān)和天津市科委的支持，經(jīng)過 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。于 2003 實現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國內(nèi)率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其組件制造技術(shù)。成為國際上為數(shù)不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、我國首條年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。

南開大學 1978 年在國內(nèi)率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4 個五年國家科技攻關(guān)計劃，獲科技部重點攻關(guān)和天津市科委的支持， 經(jīng)過 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。 于 2003 實現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國內(nèi)率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其 組件制造技術(shù)。成為國際上為數(shù)不多可開展大面積新一代硅基薄膜太 陽電池研究的單位。 2011 年，開發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、我國首條 年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生 產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。

本發(fā)明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過DMF、DMSO、環(huán)己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術(shù)：調(diào)整激光能量和基底溫度，通過激光脈沖數(shù)控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發(fā)明利用脈沖激光沉積技術(shù)制備CsPbBr3薄膜，可實現(xiàn)均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節(jié)約材料，有利于該材料在太陽能電池的工業(yè)化生產(chǎn)與應(yīng)用。

本成果包含如下內(nèi)容：高轉(zhuǎn)換效率的小面積碲化鎘太陽電池制造技術(shù)，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽電池組件規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，年產(chǎn)30-50MW碲化鎘太陽電池生產(chǎn)線及關(guān)鍵設(shè)備的設(shè)計。 主要技術(shù)指標： 組件效率超過12%。 應(yīng)用范圍： 用于太陽能直接發(fā)電，建立大規(guī)模光伏電站或小型戶用光伏發(fā)電系統(tǒng)。國家扶持光伏發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽電池，出口不會受到限制。 項目目前已進入產(chǎn)業(yè)化階段，成果權(quán)屬為我校獨自擁有。

一種柔性碲化鎘薄膜太陽電池結(jié)構(gòu)，本項發(fā)明所屬領(lǐng)域為新型 能源。為了降低碲化鎘太陽電池的成本，擴大電池的應(yīng)用范圍，柔性 碲化鎘太陽電池將是未來發(fā)展方向之一。柔性碲化鎘電池面臨的難題 之一是如何解決金屬背電極與碲化鎘薄膜歐姆接觸，即尋找一種材 料，加入到金屬電極與碲化鎘薄膜之間，有利于p載流子傳輸。本發(fā) 明是采用石墨烯作為碲化鎘層與金屬電極層的過渡層，充分利用石墨 烯載流子傳輸速度高、力學性能好的特點。將結(jié)晶石墨進行化學清洗， 用帶膠的聚酰亞胺薄膜剝離石墨，使得一層石墨烯粘附于聚酰亞氨表 面。在此基礎(chǔ)上再濺射沉積碲化鎘，惰性氣體保護下CdCl2退火，濺 射沉積硫化鎘和ITO薄膜。制作出的柔性碲化鎘薄膜電池具有重量 輕、成本低的優(yōu)點。

北京大學物理學院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術(shù)發(fā)展和國防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現(xiàn)標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎(chǔ)，而且對當前國際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價值。

本發(fā)明公開了一種用于柔性薄膜卷繞工藝的雙驅(qū)動精密脹軸， 包括支撐模塊、傳動模塊、切換模塊、動力模塊和脹軸模塊，其中傳 動模塊能夠在僅使用單個驅(qū)動電機的情況下，將動力模塊的動力傳遞 到脹軸模塊，并通過切換模塊使得同一個動力模塊可以分別向脹軸的 兩種運動提供動力；脹軸模塊包括轉(zhuǎn)動軸、外軸、芯軸、滑塊端蓋和 膨脹塊等，其中轉(zhuǎn)動軸和外軸彼此固定聯(lián)接，芯軸安裝在兩者的內(nèi)部， 并且膨脹塊可以在外軸上的通槽中徑向升降，從而對料卷執(zhí)行張緊操 作。通過本發(fā)明，能夠僅采用機械構(gòu)造即可實現(xiàn)料卷的張緊功能，同 時具備張力均

納米粒子由于具有非常小的顆粒尺寸和大的比表面積，通常顯示出許多不同于常規(guī)塊體材料的電、磁、光和化學特性，在現(xiàn)代工業(yè)、國防和高技術(shù)發(fā)展中充當著重要的角色。隨著科學技術(shù)的迅速發(fā)展，對材料性能的要求也越來越高，因此尋找一種可替代液相法的真空氣相法來獲得表面清潔納米粒子的制備技術(shù)是開發(fā)具有優(yōu)異性能新型納米結(jié)構(gòu)材料的迫切要求。特別是納米粒子組裝復(fù)合薄膜材料由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)越性，成為一個重要的前沿研究熱點，它有望將“傳統(tǒng)功能材料”通過“納米復(fù)合化”達到進一步提高和拓展材料性能的目的。