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本項目共包括10項授權專利，其中高品質微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項專利技術，同時將這種單晶薄膜應用在微波器件/結構、太赫茲結構/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項專利技術。本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁

專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種釔鐵石榴石單晶薄膜及其液相外延制備方法，本發明得到的釔鐵石榴石單晶薄膜的鐵磁共振線寬很窄，達到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、應力、含鉛量、雜相等都得到了較大的改善。

本發明公開了一種釔鋁石榴石(YAG)納米粉體的制備方法，其特點是將R2O3，Y2O3，鋁為原料，按照化學組成(RxY1-x)3Al5O12稱取，配成鹽溶液，Al3+的濃度為0.01～0.07mol/L，其中X=0.01～0.05；將沉淀劑配成濃度為0.5～1.5mol/L的溶液，沉淀劑摩爾數為鹽溶液總摩爾數的8～12倍，鹽溶液與沉淀劑的體積比為0.625～6.25；然后，將上述鹽溶液和沉淀劑通過蠕動泵，用并流沉淀法以2～50mL/min的鹽溶液和以2～24mL/min沉淀劑均勻混合，得到沉淀物；沉淀物經陳化，洗滌，干燥后過篩得到前驅體；前驅體在溫度900-1100℃煅燒得到摻釹釔鋁石榴石納米粉體。

專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。

本項目屬于電子信息功能材料技術領域。 特色及先進性：為了實現同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結合離子替代規律和多離子摻雜技術，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關對材料磁光性能的驗證。 技術指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。

本項目共包括8項授權專利，另有20余項專利正處于公開階段。 項目主要創新點為：（1）提出了一種Bi+Lu共摻雜新配方，實現了在傳統GGG襯底上外延出具有大法拉第效應的BiLuIG石榴石單晶薄膜材料。 （2）提出了“緩沖法”技術，克服了無鉛液相外延工藝中熔體粘度偏高，薄膜均勻性差的難題，成功制備出3英寸的高質量單晶BiLuIG薄膜材料，厚度可達20微米以上，其法拉第效應是含鉛工藝制備材料的10倍。項目總體達到國際先進水平，其中在Bi+Lu共摻雜材料設計和無鉛液相

棗莊嶧城數十萬余畝的冠世榴園，被譽為“中國古榴之鄉”，已載入天下吉尼斯大全。本地群眾向來有以榴葉煎茶以待高朋之美俗。據《圖經本草》紀錄：“榴葉者，主治咽喉燥渴、止下痢漏精、止血之功效?！笔癫枰虼耸衲廴~為質料，運用當代制茶工藝加工制作而成，含有十八種氨苦酸，含C、E、B2、P等多種維生素。榴葉茶具有解毒、掩護肝臟、防備血栓、壞血病及種種出血性疾病的作用，還具有降低血脂、血糖、軟化血管、加強心肌活氣，預防癌癥和動脈粥樣硬化，延緩生命朽邁之特別成果。榴芽茶是一種以石榴新苗為重要質料研制而成的茶劑，具有生津止渴、收斂固澀、止瀉止血，對糖尿病人有一定的保健作用。 本項目合作的目的是利用廠家的現有資源和江蘇省藥用植物生物技術重點實驗室的技術，提升產品品質，滿足消費者需求。項目合作單位：江蘇省藥用植物生物技術重點實驗室、棗莊康源石榴開發有限公司

目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。

“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域?，F有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.