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采用光互連技術可以有效的解決集成電路進一步發展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸的速度和頻率。Si基光子集成是實現集成電路光互聯的核心技術和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優良的光電轉換效率已經在光電子器件領域得到廣泛的應用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現Si基光子芯片的一種理想途徑。

面向日益復雜多樣的電子產品應用場景，電子設備的小型化進程不斷加快，對于高集成、多模式、多功能的芯片需求飛速高漲。本項研究成果針對生物醫療電子、個人無線體域網、近距離無感支付、車載定位、戰場實時感知、無人機導航等應用需求，提出一種超寬帶無線通信兼具FMCW雷達測距的復合型收發機創新性結構。收發機采用超寬帶射頻調頻+可再生型鑒頻技術，實現通信及雷達的共架構方案；提出多相中頻時差測距機理，將分辨率提高2個數量級，達到mm級精確測距，動態范圍擴大4倍；射頻前端基于電流共享技術，實現射頻振蕩器+功放、低噪放+鑒頻+混頻的一體化實現，系統功耗優化40%；提出子載波發生器+頻率校正環路的數字化復用結構，發射機可半數字化實現，從而得到一款支持無線數據傳輸、時差/頻差/相差雷達測距的極低功耗復用型收發芯片。 圖1.研制的通信+雷達集成收發機芯片顯微照片

項目組具有三維Pro/E、UG、SolidWorks、MasterCAM、Cimatron等CAD/CAM軟件的應用開發能力，建立了模具的參數化圖形庫、數據庫和標準件庫。能使用DynaForm、Moldflow、Deform、ProCAST 、Ansys、Marc等CAE分析軟件模擬沖壓成形、鍛造成形、塑料成型、壓鑄成形過程，預測產品質量，優化成形方案，分析模具受力狀態和失效形式，優化和改進模具結構，并將模擬結果和設計者的經驗知識編寫成專家系統程序集成到CAD/CAM系統中，開發出基于知識的智能C

本發明公開了一種配電變壓器集成式級聯型靜止補償器，包括 配電變壓器、級聯型靜止補償模塊、輸出濾波器和控制平臺，配電變 壓器高壓側的每相繞組的中心處設置有連接抽頭作為補償電流的注入 點，連接抽頭通過輸出濾波器連接級聯型靜止補償模塊的交流輸出端， 級聯型靜止補償模塊的控制輸入端連接控制平臺，控制平臺用于采集 配電變壓器高、低壓側及連接抽頭處的電壓和電流信息，依據這些信 息生成跟蹤指令電流信號，利用跟蹤指令電流信號控制級聯型靜止補 償模塊的輸出實現補償。本發明將級聯型多電平結構和配電變壓器進 行集成，提高

項目簡介：項目組具有三維 Pro/E、 UG、 SolidWorks、 MasterCAM、 Cimatron 等 CAD/CAM 軟件的應用開發能力，建立了模具的參數化圖形庫、數據庫和標準件庫。能使用 DynaForm、Moldflow、 Deform、 ProCAST 、 Ansys、 Marc 等 CAE 分析軟件模擬沖壓成形、鍛造成形、塑料成型、壓鑄成形過程，預測產品質量，優化成形方案，分析模具受力狀態和失效形式，優化和改進模具結構，并將模擬結果和設計者的經驗知識編寫成專家系統

該成果 2011 年獲得江蘇省農業技術推廣獎一等獎。成果明確了現階段小麥高產超高產的技術思路， 創新集成以“精種、 調肥、 抗逆”為核心、 以“播期播量與播種方式協調、控氮補磷增鉀、 綜合化調化保”為關鍵的小麥高產穩產優質抗逆栽培技術體系， 創新提出了“因茬、 因墑、 因種、 因苗、 因境”栽培管理技術關鍵， 集成組裝配套出 5 套適合不同茬口不同播種方式的高產超高產栽培模式。

本發明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結構和制備技術，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結構的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關鍵工藝——子電池內聯集成技術，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術領域。本發明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結合濕法腐蝕ZnO的方法，實現具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內聯集成技術，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太

本發明公開了一種超高壓液控集成換向閥，其包括閥體和多個 結構相同的單閥，該閥體上設有豎向閥孔和控制液進口，豎向閥孔的 兩端連接有螺堵和螺塞，螺塞上開設有相互連通的液控腔室和控制液 出口；該單閥安裝在螺堵和螺塞之間，其包括閥套、閥桿和閥座；閥 套與螺塞抵接，閥桿下端與閥套呈密封狀滑動配合，并將閥套分隔成 上下兩個液控腔；閥桿的底部與液控腔室之間安裝有彈簧，其上端安 裝有蓋帽；蓋帽內表面與閥桿上端構成球窩狀，用于安裝閥球；閥桿 上還套裝有支撐環；支撐環與螺堵之間安裝有閥座，閥座上開設有閥 口。本發明具備

隨著包括5G通訊、物聯網在內的新型產業的興起，在實際應用中對于高速、低損耗的信息處理系統的需求與日俱增。傳統的電子器件受摩爾定律的限制，在儲存密度和運算速度的突破上均面臨瓶頸，并且進入“ 后摩爾時代”，電子器件不可無限制地進行集成。器件的尺寸越小，量子效應越明顯，集成的困難就越大。作為摩爾定律的延續，人們提出一種極具潛力的設計——光子芯片。相較于傳統的電子芯片，光子芯片的巨大優勢之一是光子之間無相互作用力，可以大大降低系統的功耗，增大信息傳輸的帶寬。因此，光子芯片可以在數據通信、高性能計算和傳感技術上有重要的應用。 帶通濾波器是一種信號前端處理器件，是光子芯片集成的重要元器件之一。它可以有效抑制不需要波段的信號，僅允許目標波段通過，這在信號處理領域具有廣泛的應用。然而，目前帶通濾波器在光子集成器件領域少見報道。傳統方法大多依賴經驗以及物理啟發進行結構設計和參數優化，需要耗費大量資源，器件的性能有局限性。相較于傳統的設計方法，利用算法設計納米光子學器件具有普適性和高效性。通過采用恰當的算法進行優化，可以有效提高設計效率，優化器件指標，避免出現局部最優的情況，找到性能最優的器件。 圖1.帶通濾波器掃描電鏡圖

1 成果簡介語音識別在嵌入式芯片上實現的主要矛盾是算法實現的性能精度與芯片功耗、速度之間的矛盾，一個性能較好的 800 條典型漢語普通話語音識別算法以純粹軟件嵌入方案實現通常需要 200MIPS 以上 ARM（ Advanced Risc Machine） MCU 處理速度，因此我們提出語音識別集成電路 IP 與協處理器來克服以上的問題，通過關鍵運算的硬件化映射來大幅提高語音識別計算的功耗和處理速度。該設計可作為語音識別集成電路 IP 放入客戶的 SoC 芯片中，也可作為協處理器放在片外。 關鍵性能指標如下： *工藝：蘇州 HJTC 0.18um 1P6M 標準 CMOS 工藝 *管芯面積： 1.5 x 2mm *邏輯規模： 3 萬等效門（標準二輸入與非門，不含 SRAM） *I/O 數： 52 封裝: CQFP64 *存儲規模：片上集成 1 片單口 SRAM，共 4K×16 比特 *供電電壓：核心部分->1.8V， IO 部分->3.3V *正常工作頻率： 20MHz（最高工作頻率 100MHz） *功耗： 80uW/MHz *速度： 4us/幀（特征維數取 27，時鐘頻率取 20MHz） 圖 1 語音識別集成電路版圖圖 2 ARM+語音識別協處理的測試系統表 1 與其他語音識別芯片的對比2 應用說明語音識別 IP 或協處理器基于對高斯混合模型計算的優化，適合于各種 HMM 模型的模式識別計算，在語音識別、說話人識別、說話人確認、語音合成等方面均可以廣泛應用。 語音識別 IP 或協處理器以加速 ASIC 的模式工作，相同時鐘主頻下計算性能是 TI C54x系列 16bit DSP 的 5.5 倍以上，對主系統計算性能提升可以達到 4~8 倍。 語音識別 IP 或協處理器對于性能要求型場合和功耗限制型場合都十分適合，芯片支持16bit 并行總線接口，適合于各種 32 位/16 位 MCU 系統，迅速為系統集成高性能語音處理能力。3 應用范圍車載導航， GPS 手機，支持大規模識別詞表（例如萬條以上的地名）支持模糊語音檢索；低端手機平臺，支持語音撥號、語音控制，支持用戶身份確認、聲紋密碼。4 效益分析語音識別 IP 或協處理器芯片可應用拓展到個人移動信息終端的全市場空間，以 GPS 產品為例，細分的預裝 GPS、個人導航設備（ Portable Navigation Device， PND）， GPS 手機三種產品，根據 CCID（ Consulting China Research Center）咨詢公司預測 2008 年這三者分別約占到全球市場總量的 15%、 35%和 50%。快速增長的 GPS 市場，對語音識別功能有著非常迫切而又實際的需求， GPS 應用提出的超大規模詞表、高混淆度和高環境復雜度這一系列語音識別的技術難題，也只能由語音識別芯片解決。語音識別加快了人機交互與地名等信息的檢索，可提高駕駛期間操作 GPS 的行車安全性，同時可以反過來進一步促進 GPS 產品的銷售增長。 語音識別技術通過芯片在性能得到大幅提升后，將擺脫傳統的人名撥號功能，可用于菜單控制、地名、信息、多媒體內容的檢索等等。而語音識別芯片使得低功耗和低成本的要求得以滿足，有望成為手機人機交互界面（ Man-Machine Interface， MMI）發展的新技術增長點，移動通信領域的市場潛力特別巨大。