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一種混合型磁通耦合超導故障限流器及限流方法
本發明涉及一種混合型磁通耦合超導故障限流器及限流方法，本發明中：耦合變壓器的一次側繞組 線圈同快速開關相聯且并入 MOA 氧化鋅電阻片，二次側繞組線圈同超導限流材料相串聯，繼而將一、 二次側繞組線圈呈反向并聯后接入電力系統主回路。在電力系統正常運行時，快速開關處于閉合狀態； 當系統發生短路故障后，控制快速開關觸發斷開，耦合變壓器的磁通鎖定特性將解除，且超導材料因其 通流大于臨界電流設定而切換到高阻態，此時限流器呈現電感-電阻混合式成分進行故障限
武漢大學
2021-04-14
混合導通模式的逆變電源裝置及其直接電荷量控制方法
本發明公開了一種混合導通模式的逆變電源裝置及其直接電荷 量控制方法，適用于高功率密度、高性能的單相及三相逆變電源。逆 變電源由逆變橋、濾波電感、濾波電容以及直接電荷量控制器構成。 該裝置采用小電感量的濾波電感來降低其體積，并在減小磁芯損耗的 同時降低開關損耗，縮小散熱器體積，從而提高功率密度。但小濾波 電感使得其電流在每個工頻周期中的各個開關周期中即可工作在連續導通模式，也可工作于不連續導通模式。因此，本發明在每個開關周 期中，采用直接電荷量控制器通過采樣輸出電壓和負載電流，計算下 一周期中流過濾波
華中科技大學
2021-04-14
ZL-034C8通道大小鼠通用型跳臺儀（Plus）
簡單介紹：
學習記憶實驗方法的基礎是條件反射，各種各樣的方法均由此衍化出而來，跳臺法就是其中的一種較常用的方法，該方法的優點是簡便易行，多通道大小鼠通用型跳臺儀（Plus）一次可同時試驗多只動物，即可觀察**對記憶過程的影響，也可觀察對學習的影響，有較高的敏感性，尤適合于初篩**。多通道大小鼠通用型跳臺儀（Plus）具有液晶顯示、設定方便、記數準確、形象直觀、結構緊湊、維護方便、使用安全等特點適合科研和教學使用，是各種增智健腦、提高記憶、抗衰老**和保健品篩選、開發研制必不可少的工具。多通道大小鼠通用型跳臺儀（Plus）用微電腦控制對動物下臺行為有判斷能力，可設定測試時間記錄下臺潛伏期和次數。
詳情介紹：
技術指標1、*長自動記錄時間：120分00秒2、*短自動記錄時間：1秒3、*多記錄實驗數據：60組4、每室*大記錄次數：999999次5、記錄數據有：***、潛伏期、錯誤次數6、8通道獨立開始和停止功能。7、計時**度：0.01秒8、時鐘設定項目：年、月、日、時、分、秒9、通道設置：1~8通道任意設置10、刺激電流：8通道獨立可條調，刺激范圍0.1~5mA,步長0.111、輸入電壓：交流，200V-230V 50Hz12、消耗功率：30W13、工作環境溫度：0-40℃14、帶USB數據導出功能15、可連小鼠跳臺箱（八室，每室110×110×160mm），或大鼠跳臺箱（八室，每室200×200×290mm）
安徽耀坤生物科技有限公司
2022-05-26
OM-886F頭戴式耳機往返壽命試驗機/機耳機拉伸疲勞試驗
產品詳細介紹
歐美奧蘭儀器有限公司
2021-08-23
1435C/D/E/F/H/L信號發生器9KHz~400GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17
一種聚集增強發光效率的NIR-II熒光J-聚集體及其應用
本發明提出一種聚集增強發光效率的NIR?II熒光J?聚集體及其應用。AS5Br(δ)能夠在水介質中輕松形成J?聚集體，無需復雜的制備過程且具有聚集誘導熒光效率增強特性。經過轉化成為J?聚集體納米粒子AS5Br(δ)NPs后，實現了迄今為止報道的NIR?II熒光J?聚集體中量子產率最高的記錄，NIR?II熒光量子產率達到5.2%。AS5Br(δ)NPs的熒光量子產率甚至超過了AS5Br(δ)在最佳溶劑中的熒光量子產率，克服了將NIR?II熒光J?聚集體轉化為生物相容性納米粒子面臨的難題，在小鼠的血管和腫瘤部位進行NIR?II成像以及腫瘤切除實驗中，展現了其作為超亮NIR?II熒光團的潛力。
南京工業大學
2021-01-12
微生物轉化生產洛伐他汀中間體 R-J6 的關鍵技術
他汀類藥物(statins)是一類羥甲基戊二酰輔酶 A (HMG-CoA)還原酶選擇性抑制劑，能夠降低血漿膽固醇和脂蛋白水平，是防治冠心病、腦中風、高血脂、動脈粥樣硬化的首選用藥。目前，工業化生產他汀類藥物側鏈關鍵中間體主要途徑為化學合成法，此法反應步聚復雜，條件不易控制，所需手性試劑價格昂貴，污染嚴重，收率低。而酶法催化生產他汀類藥物側鏈關鍵中間體具有工藝簡單、周期短、耗能低、專一性強、收率高、提取方便等優點，因而受到越來越多的關注。采用酶法合成瑞舒伐他汀鈣側鏈關鍵中間體，體現降耗環保的時代需求；采用非水相體系進行酶催化反應，解決了底物難溶的瓶頸問題。
江南大學
2021-04-11
酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法
本發明公開了一種酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用酸性烤藍工藝在軟磁合金粉末表面包覆由尺寸均勻的納米Fe3O4形成的包覆層，經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型的軟磁復合材料。本發明的優點是：采用酸性烤藍工藝制備Fe3O4方法簡單，并且容易控制Fe3O4層的厚度, 由于該反應是原位反應，因此制備的絕緣層致密，與磁粉的結合度高。與傳統的軟磁復合材料相比，由于絕緣層為亞鐵磁性的Fe3O4，有效減少了磁稀釋現象，從而可以得到具有高飽和磁通密度、高磁導率的軟磁復合材料。
浙江大學
2021-04-11
堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法
本發明公開了一種堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用堿性烤藍工藝使磁粉表面氧化生成一層均勻的Fe3O4的絕緣層，然后經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型軟磁復合材料。本發明的優點是：采用堿性烤藍工藝制備的Fe3O4是在軟磁粉末的表面原位生長，因此絕緣包覆層與磁粉之間結合度高，并且包覆均勻致密；由于Fe3O4具有較高的電阻率，因此具有較好的絕緣效果；另一方面，用亞鐵磁性的Fe3O4作為絕緣包覆劑，克服了傳統非磁性物質作為包覆劑的磁稀釋現象，可以獲得更高的磁導率及磁通密度；堿性烤藍工藝操作簡單，成本較低，有利于實現工業化生產。
浙江大學
2021-04-11
一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法及其產品
本發明公開了一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯過程。本發明還公開了相應的通孔互聯結構產品。通過本發明
華中科技大學
2021-04-14