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硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一段移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線和一個(gè)隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線和一個(gè)電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱(chēng)共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、非對(duì)稱(chēng)共面帶線和一個(gè)隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波
東南大學(xué)
2021-04-14
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高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽(yáng)能電池正面銀漿
本項(xiàng)目是通過(guò)控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長(zhǎng)速度，可以得到 單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過(guò)引入銀納米晶核，控制溶液相中均 79 相成核和晶體的各向異性生長(zhǎng)，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn) 而制得太陽(yáng)能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-13
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一種耐高溫納米硅薄膜二極管及其制備技術(shù)
該成果是一種用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)方法進(jìn)行低成本的耐高溫二極管制備的技術(shù)，它采用高熔點(diǎn)的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對(duì)通入生長(zhǎng)腔體中的氣體進(jìn)行快速分解，通過(guò)控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長(zhǎng)氣壓等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)不同導(dǎo)電類(lèi)型的納米硅薄膜的沉積和相關(guān)二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測(cè)器和傳感器、光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)光器件等相關(guān)領(lǐng)域。 該成果
南京航空航天大學(xué)
2021-04-14
高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽(yáng)能電池正面銀漿
本項(xiàng)目是通過(guò)控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長(zhǎng)速度，可以得到單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過(guò)引入銀納米晶核，控制溶液相中均相成核和晶體的各向異性生長(zhǎng)，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn)而制得太陽(yáng)能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科大實(shí)現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控
郭國(guó)平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學(xué)布法羅分校胡學(xué)東教授以及本源量子計(jì)算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點(diǎn)中實(shí)現(xiàn)了自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控，為該體系實(shí)現(xiàn)自旋軌道開(kāi)關(guān)以及提升自旋量子比特的品質(zhì)提供了重要的指導(dǎo)意義。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02