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一種適用于復雜零件的固熔復合增材成形方法
本發明公開了一種適用于復雜零件的固熔復合增材成形方法， 該方法包括以下步驟：建立金屬零件 CAD 幾何模型，然后提取 STL 模型，利用分層切片軟件以分層厚度為單位對 STL 模型進行合理分層 并提取各層的輪廓信息，由計算機根據這些輪廓信息生成控制指令； 通過切割裝置用該層對應的數控指令沿該層的輪廓軌跡切割該層板 料；按照各層的排列次序通過焊料依次將各層板料進行粘合，以此完 成整個零件的粘合處理；粘合處理后的整個零件進行加熱，以實現固 熔復合熔接成形，以此方式，完成復雜零件的增材成形。本發明與現 有
華中科技大學
2021-04-14
頭孢類抗生素藥物頭孢卡品酯 與其噻唑酸側鏈的合成
頭孢卡品酯是由日本鹽野義公司開發的新型頭孢菌素類抗生素，于1997年以Flomox的商品 名首次上市。這一頭孢抗生素品種對頭孢烯羧酸母核的7-位、3-位和4-位進行了化學修飾，使 其成為它一個口服吸收性能好，對革蘭氏陽性菌及陰性菌有廣泛抗菌活性的頭孢類抗生素品 種。日本14、15、16版藥局方收錄頭孢卡品酯一水合物鹽酸鹽作為商品活性物。由于頭孢卡品 酯的專利到期，國內多家企業在開發仿制。 頭孢卡品酯由于涉及頭孢烯羧酸母核三個結構部位的化學修飾，以及它的噻唑酸側鏈的合 成，因此具有較高的難度。華東理工大學經數年潛心研究，打通頭孢卡品酯合成工藝，并且開 發了立體選擇性合成噻唑酸側鏈的新工藝，形成具有自主知識產權的頭孢卡品酯合成工藝，工 藝簡便、收率高。 所開發的頭孢卡品酯與噻唑酸側鏈合成路線的優點在于： 1. 工藝路線設計合理，反應步驟簡潔，避免使用無機堿，提高了關鍵中間體頭孢卡品酸二 異丙胺鹽的收率和質量。 2. 在合成路線中，使用一鍋煮工藝，操作簡便，易于規?；a。 3. 采用高效、高立體選擇性技術合成噻唑酸側鏈，可以合成單一完全順式的側鏈產物。 4. 在全部的合成步驟中，避免了敏感昂貴試劑的使用，均使用結晶的方法分離中間體與終 產物，消除了分離的難點。
華東理工大學
2021-04-11
紅芪多糖在制備預防或治療骨質疏松藥物或保健品中的 應用
紅 芪 (Radix Hedysari) 系豆科巖黃芪屬植物多序巖黃芪(Hedysarum polybotrys Hand. -Mazz)的根.為甘肅特產名貴藥材，中醫將其作為傳統中藥，在臨床上其具有強心，降糖，利尿，抗病毒，抗衰老等功效。紅芪多糖(Radix Hedysari polysaccharides HPS)作為其主要活性成分之一,其中 HPS-1，HPS-3，HPS-4 部分具有較明顯的降血糖及體外抗氧化等作用。 骨質疏松癥(osteoporosis
蘭州大學
2021-04-14
生物質富氮熱解聯產含氮化學品與摻氮焦的系統
本發明公開了一種生物質富氮熱解聯產含氮化學品與摻氮焦的系統，包括富氮熱解子系統、焦炭摻氮子系統、外源氮素引入子系統、富氮氣體冷凝子系統。富氮熱解子系統產生高溫煙氣，并促使生物質與外源氮素發生反應；富氮氣體冷凝子系統將熱解氣體進行冷凝分離出富集含氮化學品的液體產物并進行存儲；焦炭摻氮子系統產生高溫氣化氣，并對焦炭進行深加工處理并存儲冷卻后的焦炭產品；外源氮素引入子系統向富氮熱解子系統和焦炭摻氮子系統提供外源氮素，并
華中科技大學
2021-04-14
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發明專利/實用新型/：發明授權 簡介：本發明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產生沉淀物，將獲得的沉淀經洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學
2021-04-14
一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法與設備
本發明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設備。方法根據待成形金屬構件切片輪廓形狀確定成型缸的內部 結構，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構件切片輪廓形 狀對應的區域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設備包括一個或多個成型缸，該成型缸的內部結構與待成 形金屬構件切片輪廓形狀相匹配。本發明通過使用鑲塊以及與金屬構 件切片輪廓形狀相適應的異形基板，實現了針對不同金屬構件
華中科技大學
2021-04-14
一種用于高能束增材制造的溫度場主動調控系統及其控制方法
本發明公開了一種梯度溫度場主動調控系統及其控制方法，系 統由溫度場監控系統、加熱系統和控制系統；溫度場監控系統用于測 量成形區域 XOY 平面及四周的溫度場信息，將獲得的溫度場信息進行 量化處理后反饋給控制系統，加熱系統根據控制系統指令對成型缸的 底部和四周進行溫度場的分區獨立實時調節，以實現在加工過程中整 個加工區域的溫度場恒定，保證已加工區域與未加工區域處于合理的 溫度梯度，避免熱應力導致構件翹曲、變形、開裂。本
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法
本發明屬于結構優化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構建基 于參數化水平集方法的優化模型，在宏觀材料布局優化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優化，并輸出最優細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優化及細觀微結構拓撲優化，避免了在增材制造成型
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法
本發明屬于結構優化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場;(2)構建基 于參數化水平集方法的優化模型，在宏觀材料布局優化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優化，并輸出最優細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優化及細觀微結構
華中科技大學
2021-04-14