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本發(fā)明公開了一種適于用作有機(jī)染料催化劑的籠狀納米金銀合金的制備方法，其主要步驟以下：將海藻酸鈉水溶液和銀鹽水溶液混合，在攪拌條件下，控制反應(yīng)溫度為50 100℃，完全反應(yīng)10 180min；之后，加入氯金酸，控制反應(yīng)溫度為50 100℃，繼續(xù)反應(yīng)10 180min，即得；其中，銀鹽為硝酸銀、氯化銀或銀氨溶液中的一種或幾種的混合物，其與氯金酸的摩爾比為1︰1 10。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、綠色環(huán)保，所制備出的納米金銀合金為籠狀結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定、活性高，不易聚集、可長(zhǎng)期儲(chǔ)存不變性；并具有很高的催化活性，可催化有機(jī)染料的降解與脫色，具有良好的市場(chǎng)前景。

南方科技大學(xué)材料科學(xué)與工程系助理教授任富增課題組提出通過調(diào)控合金界面結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分實(shí)現(xiàn)超高耐磨性能的新策略。相關(guān)研究成果發(fā)表在金屬材料領(lǐng)域頂級(jí)期刊Acta Materialia上。該研究成果對(duì)服役于極端環(huán)境的新型高強(qiáng)耐磨合金設(shè)計(jì)提供了新思路，將有助于開拓多主元合金在耐磨損領(lǐng)域的應(yīng)用，對(duì)設(shè)計(jì)用于嚴(yán)苛環(huán)境的高強(qiáng)度、耐磨損、熱穩(wěn)定合金具有一定意義，且為拓展界面相工程在多主元高熵合金領(lǐng)域的應(yīng)用挖掘了潛在研究方向。本研究中開發(fā)出的TiMoNb合金除可用于高溫耐磨材料之外，其高強(qiáng)度、良好的生物相容性、耐腐蝕性使其在牙科、骨科等醫(yī)用植入材料領(lǐng)域亦有廣泛的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開了一種非晶合金微細(xì)零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內(nèi)；準(zhǔn)備用于制備非晶合金微細(xì)零件的硅模具，將該硅模具置于內(nèi)部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護(hù)氣，對(duì)非晶合金原材料進(jìn)行熔煉，并通過降低銅模具內(nèi)的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內(nèi)；脫模即可得到非晶合金微細(xì)零件。本發(fā)明還公開一種非晶合金微細(xì)零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 一種 690-730MPa 超高強(qiáng)度 80-100mm 淬透性鋁合金及其制備方法，其特征是所述的 鋁合金主要由鋁（Al）、鋅（Zn）、鎂（Mg）、銅（Cu）、鋯（Zr）和鍶（Sr）組成，其中， 鋅（Zn）的質(zhì)量百分比為 10.78～13.01%，鎂（Mg）的質(zhì)量百分比為 2.78～3.51%，銅（Cu） 的質(zhì)量百分比為 2.26～2.80%，鋯（Zr）的質(zhì)量百分比為 0.204～0.24%，鍶（Sr）的質(zhì)量 百分比為 0.0025～0.0751%，余量為鋁和少量雜質(zhì)元素。所述

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

本專利公開了一種無氰離子的電鍍工藝，屬于材料表面處理領(lǐng)域。該工藝本專利是采取新的電鍍液，具有滲透性強(qiáng)、分散性好的特性。 鑄件在整個(gè)電鍍過程中，可以克服現(xiàn)有鑄鋼件電鍍工藝的所有缺陷，實(shí)現(xiàn)鑄件快速高效優(yōu)質(zhì)電鍍，該工藝具有鍍層厚度均勻、鍍層光澤度好、鍍層與鑄件結(jié)合力牢固、鍍層致密、鍍層抗氧化能力好的特點(diǎn)，鍍層的中性鹽霧化試驗(yàn)、酸霧化試驗(yàn)達(dá)到國(guó)家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)（96小時(shí)無腐蝕點(diǎn)）。目前該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成熟，有很大的推廣應(yīng)用價(jià)值。通過X射線能譜儀分析鍍層的成分，具體分析譜圖見附件。

三維（3D）親鋰集流體可以調(diào)節(jié)鋰金屬負(fù)極中鋰枝晶生長(zhǎng)，然而目前大部分集流體的親鋰層在高溫環(huán)境下使用熔融法預(yù)儲(chǔ)存鋰時(shí)面臨著熔化或脫落的挑戰(zhàn)。針對(duì)該問題，鄧永紅研究團(tuán)隊(duì)通過簡(jiǎn)單的去合金法制備了一種帶有親鋰鋅位點(diǎn)的3D多孔CuZn合金集流體。由于親鋰鋅位點(diǎn)以量子點(diǎn)的形式存在于CuZn合金中，熔融法預(yù)鋰化時(shí)親鋰鋅位點(diǎn)不僅不會(huì)融化與脫落，反而由于鋅對(duì)鋰具有強(qiáng)

本發(fā)明公開了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

本發(fā)明公開了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。