|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種AO一體化凈化微污染源水的反應器
本實用新型公開了一種AO一體化凈化微污染源水的反應器，包括絮凝區、A區和O區；絮凝區的頂端作為反應器的進水端，其設在反應器的中間位置；A區設在絮凝區的下方，且A區的中心位置與絮凝區連通，A區內設有攪拌裝置；O區的頂端作為反應器的出水端，其設在絮凝區的圓周外圍，且O區的下端與A區的上端非中心位置連通，O區內設有曝氣裝置。本實用新型的優點在于反應器結構緊湊，集生物反應(懸浮微生物和附著微生物)、絮凝、吸附、沉淀于一體；使用該反應器處理污染水源，可以將水源中有機物、氨氮、錳、鐵、亞硝酸鹽氮等還原性指標均高
安徽建筑大學
2021-01-12
一種類奔德斯分解的下垂控制孤島微電網潮流計算方法
本發明公開一種類奔德斯分解的孤島微電網潮流計算方法，將孤島微電網潮流計算分解成通過傳統潮流計算子問題和下垂節點更新子問題，對下垂節點進行等效后進行初始化；基于系統角頻率，更新負荷和線路阻抗參數；通過傳統潮流計算子問題，求解作為平衡節點的下垂節點和作為PV節點的下垂節點的相關變量參數；然后通過系統前后兩次迭代狀態變量之差來判斷算法是否收斂：若收斂，停止迭代獲得最終潮流解；若不收斂，通過下垂節點更新子問題，修正或求解作為平衡節點的下垂節點和作為PV節點的下垂節點相關變更參數；以此方式交替迭代，獲得最終的
東南大學
2021-04-14
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。
上海理工大學
2021-04-11
用于鑄件表面的優良綠色鋅合金電鍍的強滲透性與高分散性的電鍍液
本專利公開了一種無氰離子的電鍍工藝，屬于材料表面處理領域。該工藝本專利是采取新的電鍍液，具有滲透性強、分散性好的特性。 鑄件在整個電鍍過程中，可以克服現有鑄鋼件電鍍工藝的所有缺陷，實現鑄件快速高效優質電鍍，該工藝具有鍍層厚度均勻、鍍層光澤度好、鍍層與鑄件結合力牢固、鍍層致密、鍍層抗氧化能力好的特點，鍍層的中性鹽霧化試驗、酸霧化試驗達到國家規定的標準（96小時無腐蝕點）。目前該項技術已經發展成熟，有很大的推廣應用價值。通過X射線能譜儀分析鍍層的成分，具體分析譜圖見附件。
南京工程學院
2021-04-13
西南交通大學康國政團隊《Nature》子刊發表最新成果：高強鋁合金焊接強韌性獲突破
高強度鋁合金結構強韌性差一直是困擾航空航天、高速列車等重大裝備的世紀難題。自從焊接技術發明以來，鋁合金熔焊結構頻繁發生疲勞破壞，根源在于損傷演化機理不明。
西南交通大學
2022-10-14
多孔銅鋅合金中的親鋰鋅位點誘導金屬鋰的均勻成核與無枝晶沉積
三維（3D）親鋰集流體可以調節鋰金屬負極中鋰枝晶生長，然而目前大部分集流體的親鋰層在高溫環境下使用熔融法預儲存鋰時面臨著熔化或脫落的挑戰。針對該問題，鄧永紅研究團隊通過簡單的去合金法制備了一種帶有親鋰鋅位點的3D多孔CuZn合金集流體。由于親鋰鋅位點以量子點的形式存在于CuZn合金中，熔融法預鋰化時親鋰鋅位點不僅不會融化與脫落，反而由于鋅對鋰具有強
南方科技大學
2021-04-14
一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強合金工具鋼粉末的制備方法
本發明公開了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫
華中科技大學
2021-04-14
一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強合金工具鋼粉末的制備方法
本發明公開了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫
華中科技大學
2021-04-14
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。
上海理工大學
2021-04-13
愛備護實驗室急救藥箱 ABH-G002A 手提基礎款鋁合金急救箱套裝
杭州愛貝護醫療科技有限公司
2021-12-13